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[導讀]新產(chǎn)品采用高速二極管,旨在改善橋式電路和逆變電路應用中至關重要的反向恢復特性。

2024年2月22日,中國上海——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,在新一代[1]具有超結結構的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI(HSD),該系列適用于包括數(shù)據(jù)中心和光伏功率調(diào)節(jié)器等應用的開關電源。首批采用TO-247封裝的兩款650V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品“TK042N65Z5”和“TK095N65Z5”,于今日開始支持批量出貨。

新產(chǎn)品采用高速二極管,旨在改善橋式電路和逆變電路應用中至關重要的反向恢復[2]特性。與標準型DTMOSVI相比,新產(chǎn)品將反向恢復時間(trr)縮短了65%,并將反向恢復電荷(Qrr)減少88%(測試條件:-dIDR/dt=100 A/μs)。

新產(chǎn)品采用的DTMOSVI(HSD)工藝改善了東芝DTMOSIV系列(DTMOSIV(HSD))的反向恢復特性,并在高溫下具有更低的漏極截止電流。此外,新產(chǎn)品的品質(zhì)因數(shù)“漏極-源極導通電阻×柵極-漏極電荷”也更低。相較于東芝現(xiàn)有的TK62N60W5[4] [5]器件,TK042N65Z5的高溫漏極截止電流降低了約90%[3],漏極-源極導通電阻×柵極-源極電荷降低了72%。這將一進步將降低功率損耗,有助于提高產(chǎn)品效率。在1.5kW LLC電路[6]測試中,與使用TK62N60W5相比,使用TK042N65Z5可使電源效率提高約為0.4%。

即日起,客戶可在東芝網(wǎng)站上獲取使用TK095N65Z5的參考設計“1.6”。此外,東芝還提供支持開關電源電路設計的相關工具。除能夠迅速驗證電路功能的G0 SPICE模型外,現(xiàn)在還提供能夠準確地再現(xiàn)電路瞬態(tài)特性的高精度G2 SPICE模型。

東芝計劃在未來擴展DTMOSVI(HSD)的產(chǎn)品線。新器件將采用TO-220和TO-220SIS通孔型封裝,以及TOLL和DFN88表貼型封裝。

此外,在已推出的650V和600V產(chǎn)品以及新的高速二極管型產(chǎn)品基礎上,東芝還將繼續(xù)擴展DTMOSVI系列的產(chǎn)品線,以提高開關電源的效率,為設備節(jié)能做出貢獻。

標準型和高速二極管型650V功率MOSFET的Qrr比較

TK095N65Z5與TK35N65W5的IDSS@150°C×trr比較

TK042N65Z5和TK62N60W5的RDS(ON)×Qgd比較

TK042N65Z5和TK62N60W5的效率比較

使用新產(chǎn)品的參考設計“1.6kW服務器電源(升級版)”:

電路板外觀

簡易方框圖

應用:

工業(yè)設備

- 開關電源(數(shù)據(jù)中心服務器、通信設備等)

- 電動汽車充電站

- 光伏發(fā)電機組的功率調(diào)節(jié)器

- 不間斷電源系統(tǒng)

特點:

- 新一代DTMOSVI系列高速二極管型產(chǎn)品

- 高速二極管型產(chǎn)品的反向恢復時間:

TK042N65Z5 trr=160ns(典型值)

TK095N65Z5 trr=115ns(典型值)

- 通過低柵漏電荷實現(xiàn)高速開關時間:

TK042N65Z5 Qgd=35nC(典型值)

TK095N65Z5 Qgd=17nC(典型值)

主要規(guī)格:

(除非另有說明,Ta=25 °C)

東芝推出新一代DTMOSVI高速二極管型功率MOSFET,助力提高電源效率

注:

[1] 截至2024年2月22日的東芝調(diào)查。

[2] MOSFET體二極管從正向偏置切換到反向偏置的開關動作

[3] 數(shù)值由東芝測量得出:

-新產(chǎn)品TK042N65Z5為0.2mA(測試條件:VDS=650V、VGS=0V、Ta=150°C)

-現(xiàn)有產(chǎn)品TK62N60W5為1.9mA(測試條件:VDS=600V、VGS=0V、Ta=150°C)

[4] 600V DTMOSIV(HSD)系列

[5] 數(shù)值由東芝測量得出。

測試條件:

-TK62N60W5

RDS(ON):ID=30.9A、VGS=10V、Ta=25°C

Qgd:VDD=400V、VGS=10V、ID=61.8A、Ta=25°C

-TK042N65Z5

RDS(ON):ID=27.5A、VGS=10V、Ta=25°C

Qgd:VDD=400V、VGS=10V、ID=55A、Ta=25°C

[6] 數(shù)值由東芝測量得出。

測試條件:Vin=380V、Vout=54V、Ta=25°C

[7] VDSS=600V

如需了解有關新產(chǎn)品的更多信息,請訪問以下網(wǎng)址:

TK042N65Z5:

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/400v-900v-mosfets/detail.TK042N65Z5.html

TK095N65Z5:

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/400v-900v-mosfets/detail.TK095N65Z5.html

如需了解東芝MOSFET產(chǎn)品的更多信息,請訪問以下網(wǎng)址:

MOSFET:

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets.html

*本文提及的公司名稱、產(chǎn)品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。

*本文檔中的產(chǎn)品價格和規(guī)格、服務內(nèi)容和聯(lián)系方式等信息,在公告之日仍為最新信息,但如有變更,恕不另行通知。

關于東芝電子元件及存儲裝置株式會社

東芝電子元件及存儲裝置株式會社是先進的半導體和存儲解決方案的領先供應商,公司累積了半個多世紀的經(jīng)驗和創(chuàng)新,為客戶和合作伙伴提供分立半導體、系統(tǒng)LSI和HDD領域的杰出解決方案。

公司22,200名員工遍布世界各地,致力于實現(xiàn)產(chǎn)品價值的最大化,東芝電子元件及存儲裝置株式會社十分注重與客戶的密切協(xié)作,旨在促進價值共創(chuàng),共同開拓新市場,公司現(xiàn)已擁有超過8,598億日元(62億美元)的年銷售額,期待為世界各地的人們建設更美好的未來并做出貢獻。

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