今天,小編將在這篇文章中為大家?guī)?a href="/tags/可控硅" target="_blank">可控硅的有關(guān)報道,通過閱讀這篇文章,大家可以對它具備清晰的認識,主要內(nèi)容如下。
一、什么是可控硅
可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR,是一種大功率電器元件,也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點。在自動控制系統(tǒng)中,可作為大功率驅(qū)動器件,實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。
可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,簡稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當于兩個單向可控硅反向連接,這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負脈沖)可使其正向(或反向)導通。這種裝置的優(yōu)點是控制電路簡單,沒有反向耐壓問題,因此特別適合做交流無觸點開關(guān)使用。
可控硅的主要參數(shù)有:
1、 額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下,陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。
2、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發(fā)信號,陽極正向電壓還未超過導能電壓時,可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓??煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯担荒艹^手冊給出的這個參數(shù)值。
3、 反向阻斷峰值電壓VPR 當可控硅加反向電壓,處于反向關(guān)斷狀態(tài)時,可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時,不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。
4、 觸發(fā)電壓VGT 在規(guī)定的環(huán)境溫度下,陽極---陰極間加有一定電壓時,可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導通狀態(tài)所需要的最小控制極電流和電壓。
5、 維持電流IH 在規(guī)定溫度下,控制極斷路,維持可控硅導通所必需的最小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世,如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅,可以用正或負的觸發(fā)信號控制兩個方向?qū)ǖ?a href="/tags/雙向可控硅" target="_blank">雙向可控硅,可以用正觸發(fā)信號使其導通,用負觸發(fā)信號使其關(guān)斷的可控硅等等。
二、可控硅型號怎么看
按一機部IBI144一75的規(guī)定,普通型可控硅稱為KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅閘流管》。
額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個。正反向重復蜂值屯壓級別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級,1000V以上的管子每200V為一級。取電壓教除以100做為級別標志。
通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組,用宇毋表示。
例如.KP500-12D表示的是通態(tài)平均電流為500A,額定(正反向重復峰值)電壓為1200V,管壓降(通態(tài)平均電壓)為0.6---0.7V的普通型可控硅。
綜上所述,小結(jié)如下:
(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形,有三個電極,用硅半導體材料制成的管芯由PNPN四層組成。
(2)可控硅由關(guān)斷轉(zhuǎn)為導通必須同時具備兩個條件:(1〕受正向陽極電壓;(2)受正向門極電壓。
(3)可控硅導通后,當陽極電流小干維持電流In時.可控硅關(guān)斷。
(4)可控硅的特性主要是:1.陽極伏安特性曲線,2.門極伏安特性區(qū)。
(5)應(yīng)在額定參數(shù)范圍內(nèi)使用可控硅。
常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220ABC、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252、SOT-23、SOT23-3L等。
二、可控硅型號與參數(shù)表
可控硅的主要技術(shù)參數(shù)
1.正向阻斷峰值電壓(VPFU)
是指在控制極開路及正向阻斷條件下,可以重復加在器件上的正向電壓的峰值。此電壓規(guī)定為正向轉(zhuǎn)折電壓值的80%。
2.反向阻斷峰值電壓(VPRU)
它是指在控制極斷路和額定結(jié)溫度下,可以重復加在器件上的反向電壓的峰值。此電壓規(guī)定為最高反向測試電壓值的80%。
3.額定正向平均電流(IF)
在環(huán)境溫度為+40C時,器件導通(標準散熱條件)可連續(xù)通過工頻(即指供電網(wǎng)供給的電源頻率.一般為50Hz或60Hz,我國規(guī)定為50Hz)正弦半波電流的平均值。
4.正向平均壓降(UF)
在規(guī)定的條件下,器件通以額定正向平均電流時,在陽極與陰極之間電壓降的平均值。
5.維持電流(IH)
在控制極斷開時,器件保持導通狀態(tài)所必需的最小正向電流。
6.控制極觸發(fā)電流(Ig)
陽極與陰極之間加直流6V電壓時,使可控硅完全導通所必需的最小控制極直流電流。
7.控制極觸發(fā)電壓(Ug)
是指從阻斷轉(zhuǎn)變?yōu)閷顟B(tài)時控制極上所加的最小直流電壓。
以上所有內(nèi)容便是小編此次為大家?guī)淼挠嘘P(guān)可控硅的所有介紹,如果你想了解更多有關(guān)它的內(nèi)容,不妨在我們網(wǎng)站或者百度、google進行探索哦。