CGD為數(shù)據(jù)中心、逆變器等更多應(yīng)用推出新款低熱阻GaN功率IC封裝

2024 年 6 月 4 日

英國劍橋 - 無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日推出兩款新型 ICeGaN? 產(chǎn)品系列 GaN 功率 IC 封裝，它們具有低熱阻并便于光學(xué)檢查。這兩種封裝均采用經(jīng)過充分驗(yàn)證的 DFN 封裝，堅(jiān)固可靠。

DHDFN-9-1(雙散熱器DFN)是一種薄的雙面冷卻封裝，外形尺寸僅為10x10 mm，并采用側(cè)邊可濕焊盤技術(shù)，便于光學(xué)檢查。它具有低熱阻(Rth(JC))，可采用底部、頂部和雙側(cè)冷卻方式運(yùn)行，在設(shè)計(jì)上具有靈活性。在頂部尤其是雙側(cè)冷卻配置中，性能優(yōu)于常用的TOLT封裝。DHDFN-9-1封裝采用雙極引腳設(shè)計(jì)，有助于優(yōu)化PCB布局和簡單并聯(lián)，使客戶能夠輕松處理高達(dá)6千瓦的應(yīng)用。

BHDFN-9-1(底部散熱器 DFN)是一種底部冷卻式組件，同樣采用側(cè)邊可濕焊盤技術(shù)，便于光學(xué)檢查。其熱阻為0.28 K/W，比肩或優(yōu)于其他領(lǐng)先設(shè)備。BHDFN的外形尺寸為10x10 mm，雖然比常用的 TOLL 封裝更小，但具有相似封裝布局，因此也可以使用 TOLL 封裝的 GaN 功率 IC 進(jìn)行通用布局，便于使用和評估。

Nare Gabrielyan | CGD 產(chǎn)品市場經(jīng)理

“新型封裝是我們戰(zhàn)略的一部分，為了使客戶將我們的 ICeGaN? 產(chǎn)品系列 GaN 功率 IC 用于服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、逆變器/電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、微型逆變器和其他工業(yè)應(yīng)用，獲得它們帶來的更高的功率密度和效率優(yōu)勢。這些應(yīng)用不僅對設(shè)備的要求更高、同時(shí)要求設(shè)備堅(jiān)固可靠、易于設(shè)計(jì)。新型封裝支持并擴(kuò)展了ICeGaN? 產(chǎn)品系列的這些固有特性。”

提高熱阻性能有以下好處：第一，在相同的RDS(on)下可以實(shí)現(xiàn)更多的功率輸出。設(shè)備在相同功率下也能以較低的溫度運(yùn)行，因此需要較少的散熱，從而降低了系統(tǒng)成本。第二，更低的工作溫度也會帶來更高的可靠性和更長的壽命。最后，如果應(yīng)用需要更低的成本，設(shè)計(jì)者可以使用具有較高RDS(on)的低成本產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)所需的功率輸出。

采用新型封裝的 ICeGaN? 產(chǎn)品系列 GaN 功率 IC 封裝產(chǎn)品將于2024年6月11日至13日在德國紐倫堡舉行的 PCIM 展覽上首次公開展示。CGD的展位號為7-643。歡迎用戶蒞臨參觀和了解這些產(chǎn)品。