QLC存儲(chǔ)新里程：德明利探索高效存儲(chǔ)之路，賦能數(shù)據(jù)時(shí)代新需求

時(shí)間：2024-06-11 14:08:23

關(guān)鍵字：德明利半導(dǎo)體存儲(chǔ) 芯片國產(chǎn)存儲(chǔ)企業(yè)

手機(jī)看文章

掃描二維碼
隨時(shí)隨地手機(jī)看文章

[導(dǎo)讀] 在大數(shù)據(jù)和人工智能時(shí)代，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，市場(chǎng)對(duì)存儲(chǔ)媒介的性能、容量和能效提出了更高要求。隨著閃存技術(shù)向高存儲(chǔ)密度發(fā)展，一個(gè)存儲(chǔ)單元可以存儲(chǔ)四比特單位的QLC（Quad-Level Cell）以其高容量、低成本的特點(diǎn)，成為滿足這一需求的重要技術(shù)方向。相較于傳統(tǒng)的一個(gè)存儲(chǔ)單元可以存儲(chǔ)三比特單位的TLC（Triple-Level Cell），QLC在保持成本優(yōu)勢(shì)的同時(shí)，提供了更大的存儲(chǔ)容量，成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。

一、QLC創(chuàng)新實(shí)踐：M.2 2280 PCle 4.0x4 NVMe SSD實(shí)現(xiàn)性能飛躍

德明利聚焦于創(chuàng)新性存儲(chǔ)解決方案的研發(fā)，深入探索存儲(chǔ)介質(zhì)及QLC特性分析。德明利研發(fā)團(tuán)隊(duì)通過引入先進(jìn)的糾錯(cuò)算法、智能功耗管理和高性能的硬件架構(gòu)，與PCIe Gen4 M.2接口結(jié)合，打造出一系列商規(guī)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品，為市場(chǎng)提供性能與成本雙優(yōu)的存儲(chǔ)解決方案。通過采用QLC NAND閃存，德明利M.2 2280 PCle 4.0x4 NVMe SSD容量達(dá)到4TB，實(shí)現(xiàn)同等體積下存儲(chǔ)容量的成倍增長(zhǎng)，且順序讀取速度超過7000 MB/s。在保持高性價(jià)比的同時(shí)，確保QLC SSD品質(zhì)等效TLC SSD，滿足人工智能、大數(shù)據(jù)處理等應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)設(shè)備的高性能要求。

二、 QLC 應(yīng)用加速：國內(nèi)首顆支持ONFI 5.0標(biāo)準(zhǔn)TW6501 SATA SSD 存儲(chǔ)芯片

為了進(jìn)一步釋放QLC技術(shù)的潛能，德明利自主研發(fā)的TW6501 SATA SSD存儲(chǔ)芯片目前正處于回片驗(yàn)證的關(guān)鍵階段。標(biāo)志著德明利在QLC技術(shù)探索上又邁出了重要一步。作為國內(nèi)首顆支持ONFI 5.0標(biāo)準(zhǔn)TW6501 SATA SSD存儲(chǔ)芯片支持4TB大容量存儲(chǔ)，采用4K LDPC糾錯(cuò)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)新型閃存顆粒的兼容，提升數(shù)據(jù)傳輸效率與安全性。設(shè)計(jì)上采用RISC-V指令集，集成多種自研硬件加速模塊，確保高速數(shù)據(jù)處理，同時(shí)低功耗設(shè)計(jì)（工作1W/支持Devslp），符合綠色存儲(chǔ)的未來趨勢(shì)。

德明利在QLC閃存介質(zhì)上的持續(xù)探索，不僅體現(xiàn)在產(chǎn)品性能的提升，更在于對(duì)整個(gè)存儲(chǔ)生態(tài)的積極推動(dòng)作用。通過在M.2 2280 PCle 4.0x4 NVMe SSD創(chuàng)新實(shí)踐及TW6501 SATA SSD 存儲(chǔ)芯片上的創(chuàng)新應(yīng)用，德明利不僅為市場(chǎng)提供了高性能、大容量、低能耗的存儲(chǔ)解決方案，也為QLC閃存介質(zhì)在存儲(chǔ)領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。在數(shù)據(jù)洪流的今天，德明利正積極推動(dòng)存儲(chǔ)行業(yè)邁向一個(gè)高效、綠色且成本效益顯著提升的新時(shí)代，滿足了市場(chǎng)對(duì)存儲(chǔ)設(shè)備高性能、大容量、低能耗的綜合需求。