HBM內(nèi)存嚴(yán)重供不應(yīng)求！存儲(chǔ)龍頭擴(kuò)產(chǎn)激戰(zhàn)：產(chǎn)能一搶而空

7月12日消息，隨著人工智能技術(shù)的飛速發(fā)展，作為AI芯片的關(guān)鍵技術(shù)支持，高頻寬存儲(chǔ)器(HBM)成為市場(chǎng)上的新寵，導(dǎo)致HBM內(nèi)存目前面臨嚴(yán)重的供不應(yīng)求局面。

因此存儲(chǔ)器行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，包括SK海力士、三星和美光，都在積極擴(kuò)充HBM的產(chǎn)能，以應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)。

HBM技術(shù)以其高速數(shù)據(jù)傳輸能力，成為AI芯片設(shè)計(jì)中不可或缺的一部分，從HBM1到HBM3E，每一代產(chǎn)品都在堆疊層數(shù)、傳輸速度和存儲(chǔ)容量上實(shí)現(xiàn)了顯著提升。

英偉達(dá)的AI芯片需求激增，特別是其采用HBM3E存儲(chǔ)器規(guī)格的H200芯片，進(jìn)一步推動(dòng)了HBM市場(chǎng)的火熱。

據(jù)悉，SK海力士、三星和美光三大廠商今年的HBM供應(yīng)能力已全部耗盡，且明年的產(chǎn)能也大部分已被預(yù)訂，為了滿足市場(chǎng)需求，這些廠商正在展開一場(chǎng)激烈的產(chǎn)能擴(kuò)充競(jìng)賽。

SK海力士計(jì)劃大幅增加其第5代1b DRAM的產(chǎn)能，以應(yīng)對(duì)HBM和DDR5 DRAM需求的增加。三星也在今年3月宣布將大幅提高HBM產(chǎn)能，而美光正在美國(guó)建設(shè)先進(jìn)的HBM測(cè)試生產(chǎn)線，并考慮在馬來(lái)西亞生產(chǎn)HBM。

在這場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中，SK海力士因其HBM3產(chǎn)品性能領(lǐng)先，已成為英偉達(dá)的主要供應(yīng)商，三星則專注于云端客戶訂單，而美光則跳過(guò)HBM3，專注于HBM3E產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)。