在下述的內(nèi)容中，小編將會對PMOS的相關(guān)消息予以報道，如果PMOS是您想要了解的焦點之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
一、為什么這款PMOS電路圖整體功耗偏大
今天看到道友發(fā)來一張NPN三極管控制PMOS的電路圖，提問是為什么整體功耗偏大?那么您有沒有發(fā)現(xiàn)為什么整體功耗偏大呢?電路圖如下。
先闡述一下電路工作原理：EN控制三極管導(dǎo)通或者關(guān)斷，當(dāng)EN輸出高電平時，三極管導(dǎo)通，PMOS管的柵極拉低到地，從而PMOS的Vgs達(dá)到開啟條件，PMOS導(dǎo)通，VBUS向VCC供電;當(dāng)EN輸出低電平時，三極管截止，PMOS關(guān)斷，從而VCC斷電。
確實，上圖的電路也能“正常工作”，那么功耗為什么這么大?您是不是已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了呢?
答案是：三極管的基極電阻R3選的10Ω，實在是太小了!!!!
假設(shè)EN輸出高電平為3.3V，按Vbe=0.7V算(實際上Vbe比這個要大);那么Ib=(3.3V- 0.7V)/10Ω ≈0.26A!!(單片機的IO輸出能力一般在20mA內(nèi)，這個R3實在是太小了，單片機竟然沒壞??!)那么這個R3上的功率PR3≈0.26*0.26*10=0.676W
0603電阻封裝功率一般按0.1W算，其實這個R3電阻已經(jīng)超額了!!
所以這就是電路功耗大的原因!!三極管的Ib占了主要的功耗來源。甚至可能會損毀單片機!
那么這個電路怎么改善呢?群友給了兩個改善方法：
群友A：10Ω太小了(上面已分析)，增大R3阻值為100k。然后提問的群友又回復(fù)了，R3換為100K后三極管不能導(dǎo)通了
(究其原因是因為R3和R4一分壓，3.3V的控制信號被分壓到了0.3V，所以三極管不能導(dǎo)通了)，所以解決方案應(yīng)該是增加R3阻值，增加到10K~100K，同時增大R4阻值(例如讓R4比R3大十倍，讓R3和R4分壓后可以使三極管飽和導(dǎo)通);這樣三極管就能正常導(dǎo)通了，而且功耗也不會很大啦。
群友B：直接把Q2從三極管更換為NMOS管，因為三極管是流控器件，MOS管是壓控器件，換成MOS管可以平替三極管，解決三極管Ib的電流。
那么大概修改后的電路就大致更改為
那么您更傾向于哪種改法呢?哈哈，要是我的話，那肯定是哪個便宜用那個啦，我選第一種改法，畢竟NMOS要比三極管要貴一些，要勤儉持家?guī)屠习迨″X是不是，哈哈。
二、怎么解決PMOS不能關(guān)斷問題
分享一個我解決PMOS不能關(guān)斷問題，我之前遇到了一個PMOS不能關(guān)斷的問題，這個PMOS是用于電源開關(guān)的，電路大概是這樣子的，很常見的電路，當(dāng)然PMOS不是這個AO3401,是一個大電流的PMOS，原理是一樣的，只不過小的PMOS和大的PMOS有點不同而已，PMOS不能完全關(guān)斷的問題不是我的G極設(shè)計參數(shù)的問題也不是體二極管導(dǎo)通的問題，這個我把控的很好不會有問題。G極設(shè)計問題這種幼稚的問題，我才不會發(fā)出來呢，PMOS不能完全關(guān)斷的問題發(fā)生的條件就是PMOS的G極關(guān)斷，但是S極完全懸空的情況下，這時候S極就會有虛電，大概的電壓的話是D極的一半多一點，多發(fā)生在大電流PMOS管下，小電流的PMOS管暫時沒看見，解決的辦法的話就是在D極加一個放電電阻，大概10K左右就能解決，為什么會發(fā)生D極虛電的情況呢？
我查了一些資料，總結(jié)了一下，大概就是，PMOS關(guān)斷時，不是完全關(guān)斷，還是會有一些電荷漏過去，由于PMOS管的關(guān)斷時的內(nèi)阻很高，所以只要有一點點電荷就能撐起很高的電壓，會給人造成這樣一種假象我的PMOS沒關(guān)斷，這種問題，很容易發(fā)生在沒有經(jīng)驗的人身上，故在此記錄。
以上就是小編這次想要和大家分享的內(nèi)容，希望大家對本次分享的內(nèi)容已經(jīng)具有一定的了解。如果您想要看不同類別的文章，可以在網(wǎng)頁頂部選擇相應(yīng)的頻道哦。
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