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[導(dǎo)讀]TVS在直流電路中的防護(hù)應(yīng)用:可以保護(hù)直流穩(wěn)壓電源,在穩(wěn)壓輸出端應(yīng)用TVS時(shí)其電源儀器設(shè)備可以受到很好的保護(hù)。

TVS直流電路中的防護(hù)應(yīng)用:可以保護(hù)直流穩(wěn)壓電源,在穩(wěn)壓輸出端應(yīng)用TVS時(shí)其電源儀器設(shè)備可以受到很好的保護(hù),同時(shí)能夠吸收電路中晶體管的集電極到發(fā)射極間的峰值電壓,晶體管從而得到有效保護(hù)。在每個(gè)穩(wěn)壓源輸出端建議都能夠增加一個(gè)TVS管,這樣整機(jī)的可靠性將會(huì)大幅度的提高。

TVS在交流電路中的防護(hù)應(yīng)用:在交流電路中運(yùn)用TVS管能夠有效的抑制電網(wǎng)帶來(lái)的過(guò)載脈沖,對(duì)于整流橋以及負(fù)載中的元器件能夠起到很好的保護(hù)作用。

TVS二極管在集成電路中的防護(hù)應(yīng)用:眾所周知,集成電路中其集成度越來(lái)越高,其中的耐壓就會(huì)越來(lái)越低,很容易受到瞬變電壓的沖擊而導(dǎo)致?lián)p壞,所以必須得采用保護(hù)措施。一般在CMOS電路的輸出端網(wǎng)絡(luò)都會(huì)采取保護(hù)措施,其中為了可靠性,對(duì)于整機(jī)的外接口的網(wǎng)絡(luò)同時(shí)采用了各保護(hù)。

1.什么是TVS

TVS(Transient Voltage Suppressor),即瞬態(tài)電壓抑制器,TVS采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制程工藝制作,通過(guò)調(diào)節(jié)半導(dǎo)體PN結(jié)兩端電壓來(lái)啟動(dòng)保護(hù),具有導(dǎo)通電壓精準(zhǔn)、啟動(dòng)速度快、一致性好無(wú)老化的優(yōu)點(diǎn),是專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用來(lái)抑制電路中的過(guò)壓保護(hù)器件,它可以將幾KV的靜電電壓和浪涌電壓限制在一個(gè)非常安全的電壓范圍之內(nèi),從而保護(hù)電路中的敏感組件免受高壓靜電和浪涌的損壞。所以TVS管既可以用來(lái)防護(hù)ESD,也可以用來(lái)防護(hù)Surge,但是還有一個(gè)細(xì)分品類(lèi)叫ESD防護(hù)二極管,它專(zhuān)業(yè)用來(lái)防護(hù)ESD,但不足以應(yīng)對(duì)Surge,在選型TVS管時(shí),要充分考慮其防護(hù)兩種電應(yīng)力的能力。

2.Zener(齊納)二極管

圖2-1顯示了典型的齊納二極管I-V曲線,曲線左側(cè)顯示反向偏壓區(qū)域的Zener,只要測(cè)試或工作電壓保持在VRWM以下(0V~|VRWM|),電流會(huì)非常小。VRWM是指關(guān)閉狀態(tài)工作電壓,低于該電壓時(shí),反向泄漏電流小于指定的IRM。當(dāng)電壓升高時(shí),電流會(huì)突然增加,此時(shí)出現(xiàn)雪崩區(qū),即達(dá)到擊穿電壓VBR。也就是說(shuō)保護(hù)動(dòng)作工作在雪崩區(qū),瞬間的脈沖出現(xiàn)時(shí),Zener快速反應(yīng)進(jìn)入雪崩區(qū),吸收一部分能量,并將剩余能量導(dǎo)入GND。

采用電流驅(qū)動(dòng)型測(cè)試設(shè)置,對(duì)Zener施加反向電壓直到二極管流過(guò)1mA電流,此時(shí)的電壓定義為可擊穿電壓VBR。曲線右側(cè)顯示正向偏壓區(qū)域的Zener,如果電壓超過(guò)VF,電流開(kāi)始快速回升,可將負(fù)浪涌脈沖電壓鉗制到較低值(VF?0.7V),Zener作為保護(hù)器件時(shí)是單向保護(hù)。

圖2-1:Zener的I-V曲線

Zener為接口提供單向保護(hù),對(duì)于負(fù)浪涌事件,限制到相對(duì)較低的電壓(高于VF),而對(duì)于正浪涌事件,根據(jù)VCL等式,鉗制到鉗位電壓,鉗位電壓:

3.TVS(瞬態(tài)抑制)二極管

如果串聯(lián)連接兩個(gè)方向相反的Zener,則形成雙向ESD器件,此時(shí)整合起來(lái)就變成TVS管,如果這兩個(gè)二極管相同,則I-V曲線對(duì)稱,如圖2-所示:

圖2-2:TVS的I-V曲線

鉗位電壓的計(jì)算公式與單向ESD二極管的反向等式相同:

VBR由VF值和另一個(gè)二極管的反向擊穿電壓VBR1組成。支持正負(fù)工作電壓范圍的接口必須采用ESD保護(hù),例如模擬音頻信號(hào),大多數(shù)只支持正工作電壓的數(shù)字接口可通過(guò)單向解決方案獲得保護(hù),不過(guò)有許多工程師會(huì)采用雙向ESD保護(hù)方案。對(duì)于負(fù)ESD放電,SOC會(huì)接觸到更高的負(fù)鉗位電壓,應(yīng)盡量避免這種情況,因?yàn)檫@會(huì)嚴(yán)重影響系統(tǒng)級(jí)穩(wěn)健性。

如果必須按照IEC-61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)系統(tǒng)芯片,使其免遭具有更高能量和更長(zhǎng)脈沖持續(xù)時(shí)間的負(fù)浪涌事件影響,則尤其需要注意上述問(wèn)題。如果浪涌保護(hù)只能根據(jù)IEC-61000-4-2處理ESD脈沖,那么使用雙向拓?fù)浔憧蔀橄鄬?duì)不敏感的芯片提供充分保護(hù)。設(shè)計(jì)低電容ESD保護(hù)組件時(shí),選擇這種兩個(gè)ESD二極管串聯(lián)的結(jié)構(gòu)十分有用,因?yàn)槠浼纳娙荼葐蜗蚱骷?,如下式所示?

4.TVS保護(hù)原理

保護(hù)和損壞機(jī)制

當(dāng)TVS二極管的兩極受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時(shí),它能以10的負(fù)12次方秒量級(jí)的速度,將其兩極間的高阻抗變?yōu)榈妥杩?,吸收高達(dá)數(shù)千瓦的浪涌功率,使兩極間的電壓箝位于一個(gè)預(yù)定值,有效地保護(hù)電子線路中的精密元器件,免受各種浪涌脈沖的損壞。

圖2-3:原始靜電-綠色是被TVS保護(hù)后的安全電壓

從圖2-3來(lái)說(shuō),綠線部分的面積越小越好,那么就要求抑制電壓越小越好,這樣對(duì)后面電路的保護(hù)效果就越好。從被保護(hù)器件的角度考慮,主要有兩種方式造成器件損壞:

1:過(guò)電壓,由于抑制后的剩余電壓部分過(guò)高,遠(yuǎn)超出被保護(hù)器件的額定電壓,導(dǎo)致器件對(duì)地產(chǎn)生漏電流或者是電極與電極之間發(fā)生放電的現(xiàn)象,導(dǎo)致器件不能工作或者工作失常,通常情況下,從器件的表面觀察不到異常情況。

2:過(guò)電流,在被保護(hù)器件引腳和引腳之間,引腳和GND之間產(chǎn)生過(guò)電流現(xiàn)象,表現(xiàn)為被保護(hù)器件失去應(yīng)有的工作狀態(tài)或?qū)Φ囟搪贰?

所以較低的抑制電壓(VCL)和殘余電流意味著被保護(hù)器件或IC具有較低的發(fā)熱,另外被保護(hù)器件的額定耐壓指的是常態(tài)下的耐壓(RMS),和瞬態(tài)的耐壓不是一個(gè)概念。

關(guān)鍵參數(shù)

VRWM:器件最大反向工作電壓

在線路沒(méi)有受到電應(yīng)力影響時(shí),TVS管是要求不工作的,所以VRWM應(yīng)該大于線路上最高的工作電壓。這樣才能保證TVS 在電路正常工作下不會(huì)影響電路工作(當(dāng)工作電壓大于VRWM時(shí),反向漏電流會(huì)顯著增大,從上述波形圖來(lái)看雖然實(shí)際也能使用但是不建議)。但也不能選的太高,如果太高,鉗位電壓也會(huì)較高,所以在選擇VRWM時(shí),要綜合考慮被保護(hù)電路的工作電壓及后級(jí)電路的承受能力,通常選取VRWM為工作電壓的1.1~1.2倍。

VBR:器件反向擊穿電壓

器件反向擊穿電壓,通常在器件通過(guò)IR=1mA的電流情況下測(cè)試,代表器件擊穿時(shí)的一種臨界狀態(tài)。

VCL:鉗位電壓

對(duì)器件施加規(guī)定波形的峰值脈沖電流Ipp時(shí)(或者對(duì)器件進(jìn)行模擬ESD測(cè)試),TVS管反向電擊穿后隨著電壓增加到一確定值后,TVS管兩端測(cè)得的峰值電壓保持不變,此電壓就是TVS管的最大鉗位電壓。TVS 鉗位電壓應(yīng)小于后級(jí)被保護(hù)器件最大可承受的瞬態(tài)安全電壓,但要大于后級(jí)被保護(hù)器件的正常工作電壓。

Ipp:器件最高可承受峰值脈沖電流,詳細(xì)波形圖見(jiàn)器件規(guī)格書(shū)。其實(shí)Ipp和VCL才是真正衡量TVS在電路保護(hù)中防護(hù)ESD和Surge脈沖電流和限制電壓能力的參數(shù),在相同Ipp下的VCL越小,表明TVS的鉗位特性越好。

VF:器件的正向壓降

RD:器件的動(dòng)態(tài)電阻

IR:漏電流,也叫待機(jī)電流,漏電流主要帶來(lái)功率的損耗,比如在模擬信號(hào)中,會(huì)影響AD信號(hào)的采樣值,所以TVS的漏電流越小越好。

Pppm:額定功率,TVS產(chǎn)品的額定瞬態(tài)功率應(yīng)大于電路中可能出現(xiàn)的最大瞬態(tài)浪涌功率。

Cd:結(jié)電容

TVS管的結(jié)電容一般從幾pF到nF級(jí)別,隨著反向電壓的增加,Cd呈下降規(guī)律,電容的大小會(huì)影響TVS器件的響應(yīng)時(shí)間。在通訊線路上需要考慮TVS管的Cd值,過(guò)大的結(jié)電容會(huì)影響通訊線路的信號(hào)質(zhì)量(增加信號(hào)的上升時(shí)間,改變線路的特性阻抗等)。

5.TVS的選型要點(diǎn)

從上面的分析中我們篩選出若干選型要點(diǎn),并按照優(yōu)先級(jí)排列如下:

1:TVS的VRWM大于線路上的最大工作電壓。

2:TVS的VBR大于線路上的最大工作電壓。

3:被保護(hù)器件(線路)的正常工作電壓

4:TVS選擇符合測(cè)試要求的功率Pppm。

5:TVS的Cd一定要滿足適合被保護(hù)信號(hào)線的速率要求,建議參考如下關(guān)系,也可以參考時(shí)鐘頻率。

數(shù)據(jù)傳輸速率1.5Mbps(200KB/s),Cd≤30pF

數(shù)據(jù)傳輸速率12Mbps(1.5MB/s),Cd≤10pF

數(shù)據(jù)傳輸速率480Mbps(60MB/s),Cd≤4pF

數(shù)據(jù)傳輸速率5Gbps(640MB/s),Cd≤0.8pF

數(shù)據(jù)傳輸速率10Gbps(1280MB/s),Cd≤0.4pF

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