深度分析電感不為人知的核心參數(shù)
隨著半導(dǎo)體材料的發(fā)展,氮化鎵、碳化硅第三代半導(dǎo)體逐漸走入人們視野,不斷縮小充電器的體積。支持多個(gè)設(shè)備同時(shí)充電的多口充電器,大大方便了我們的生活。低功率的移動(dòng)電源也逐步退出市場(chǎng),越來(lái)越多的高功率快充充電寶涌入市場(chǎng),體積與普通充電寶差異不大,但卻支持高功率輸入與輸出。
多口充電器、移動(dòng)電源、拓展塢、車載充電器,甚至到電動(dòng)車等,這些設(shè)備內(nèi)的降壓或升降壓功率電感,你又知道多少呢?
在開(kāi)關(guān)電源(指直流轉(zhuǎn)直流電路,如Buck、Boost、Buck-Boost等拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),因?yàn)橐灿薪K端成品叫開(kāi)關(guān)電源,指的是交流轉(zhuǎn)直流的方案,因?yàn)槎际峭ㄟ^(guò)改變開(kāi)關(guān)頻率轉(zhuǎn)換電壓,都稱為開(kāi)關(guān)電源)電路的設(shè)計(jì)中,電感的設(shè)計(jì)與選型,給設(shè)計(jì)工程師帶來(lái)了許多的挑戰(zhàn)。亦或者電感的選型被絕大部分人所忽視。
電感量 L 又稱作自感系數(shù),是物理量表示電感元件自感應(yīng)能力的一種方式。當(dāng)通過(guò)一個(gè)線圈的磁通(即通過(guò)某一面積的磁力線數(shù))發(fā)生變化時(shí),線圈中便會(huì)產(chǎn)生電勢(shì),這是電磁感應(yīng)現(xiàn)象。
所產(chǎn)生的電勢(shì)稱感應(yīng)電勢(shì),電勢(shì)大小正比于磁通變化的速度和線圈匝數(shù)。當(dāng)線圈中通過(guò)變化的電流時(shí),線圈產(chǎn)生的磁通也要變化,磁通掠過(guò)線圈,線圈兩端便產(chǎn)生感應(yīng)電勢(shì),這便是自感應(yīng)現(xiàn)象。
因此,電感感量的大小,主要取決于線圈的圈數(shù)(匝數(shù))、繞制方式、有無(wú)磁心及磁心的材料等等。自感電勢(shì)的方向總是阻止電流變化的,猶如線圈具有慣性,這種電磁慣性的大小就用電感量 L 來(lái)表示。
L 的大小與線圈匝數(shù)、尺寸和導(dǎo)磁材料均有關(guān),采用硅鋼片或鐵氧體作線圈鐵芯,可以較小的匝數(shù)得到較大的電感量。 通常,線圈圈數(shù)越多、繞制的線圈越密集,電感量就越大。有磁心的線圈比無(wú)磁心的線圈電感量大;磁心導(dǎo)磁率越大的線圈,電感量也越大。
電感器中,E6(容許差20%)、E12(10%)、E24(5%)系列較為常用。
工程師在設(shè)計(jì)中,比較常關(guān)注的參數(shù)有:
1、電感的感值(根據(jù)開(kāi)關(guān)電源的工作頻率,以及輸入輸出的電壓,選取適合的感值);
2、電感的直流導(dǎo)通阻抗(在開(kāi)關(guān)電源的SW端流進(jìn)電感一側(cè),再?gòu)碾姼辛硪粋?cè)流出,選取低DCR來(lái)降低電感本身的耗散功率);
3、電感的飽和電流(根據(jù)整體電路需要提供的輸出能力,選取適合的飽和電流,使電感低飽和工作);
4.電感的溫升電流(電感兩側(cè)加載直流時(shí),電感本身的抵抗和流經(jīng)電感的電流的平方會(huì)產(chǎn)生熱能,電感溫度上升,溫升電流越大代表溫升越理想)等等。
資深的工程師,會(huì)關(guān)注:
1、電感的繞線結(jié)構(gòu),不同的繞線結(jié)構(gòu),其對(duì)應(yīng)產(chǎn)生磁力線的方向會(huì)不同,磁力線的方向所經(jīng)過(guò)的地方,需要考慮是否有容易被干擾的元器件,是否需要考慮旋轉(zhuǎn)電感的擺放方向,或者增加屏蔽罩等措施來(lái)優(yōu)化整機(jī)工作性能,優(yōu)化EMC等;
2、電感的機(jī)械尺寸,在同等條件下,需要考慮電路工作的環(huán)境溫度,是消費(fèi)類產(chǎn)品的工作溫度還是工業(yè)級(jí)或汽車級(jí),不同領(lǐng)域的工作環(huán)境不同,電感的通電工作時(shí)自身會(huì)產(chǎn)生溫升,疊加上環(huán)境溫度,以及密閉的惡劣條件,周圍器件的溫升疊加,是否需要考慮選用更大一尺寸的功率電感,同條件下,更大尺寸的電感,熱阻系數(shù)低,接觸空氣的表面積大,自身發(fā)熱會(huì)更低等等。
在更嚴(yán)峻的一些應(yīng)用場(chǎng)景中,又需要考慮發(fā)熱,但終端產(chǎn)品的體積又受限制,有的產(chǎn)品很薄,有的產(chǎn)品面積很小,不允許任性的選擇大體積的電感,這時(shí)候,工程師開(kāi)始靜下心來(lái)研究電感的一些“隱藏參數(shù)”,比如:
1、電感的交流導(dǎo)通阻抗(電感實(shí)際在應(yīng)用中,DCDC的SW輸出是一個(gè)直流疊加交流的波形,不同的開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān)頻率不同,頻率越高,電感的交流等效阻抗會(huì)衰減);
2、電感磁芯的矯頑力,剩磁(電感的整體損耗除了銅線的直流導(dǎo)通阻抗,交流阻抗,還有磁芯的材質(zhì)導(dǎo)致本身的磁損,也有成為鐵損的),同樣條件下,不同的磁材料的電感,在整體電路中應(yīng)用時(shí),整體效率,發(fā)熱的結(jié)果大相徑庭。
3、居里溫度,在一些極惡劣環(huán)境,指極度高溫時(shí),磁芯的磁導(dǎo)率會(huì)急劇下降,通常在一些極限應(yīng)用中會(huì)關(guān)注。
4、電感的工藝結(jié)構(gòu),不同的工藝,漏磁不同,因?yàn)榇艌?chǎng)是看不見(jiàn)的,尤其是一些半屏蔽電感,主要也是在一些條件苛刻的EMC認(rèn)證時(shí)會(huì)特別關(guān)注,如一些軍標(biāo)的認(rèn)證要求。
綜上,絕對(duì)大部分的工程師,關(guān)注的最多的還是電感的感值、直流導(dǎo)通阻抗(DCR)、飽和電流(Isat)。但如今的電子產(chǎn)品,功率越做越大,體積卻在越來(lái)越輕薄,經(jīng)常在產(chǎn)品的設(shè)計(jì)過(guò)程中,會(huì)遇到高度問(wèn)題,發(fā)熱問(wèn)題,但對(duì)電感沒(méi)有太深入的了解,這個(gè)廠家的電感不行,換個(gè)供應(yīng)商的試試,試了很多方案,還是不行,可能起初在方向就錯(cuò)了,眼看著項(xiàng)目交期臨近,著實(shí)傷腦筋。以下三體微為你深度剖析電感的選型要點(diǎn),理解電感中各個(gè)參數(shù)的含義。
電感的功能
功率電感的用途,常常為開(kāi)關(guān)電源的輸出端中,搭建成LC濾波電路,其中的L就是功率電感(C是輸出電容)。只理解到這個(gè)程度還不夠,為了使得電感在設(shè)計(jì)中更優(yōu)化,甚至許多場(chǎng)合,發(fā)熱問(wèn)題和高度問(wèn)題都聚焦在電感上,我們必須搞清楚電感的發(fā)熱有哪些部分組成,隨著電子產(chǎn)品越做越小型化,越做越薄,終究有一天要弄清楚這個(gè)問(wèn)題,為了解決發(fā)熱問(wèn)題,必須更深入的了解電感在工作時(shí)的行為本質(zhì)。
在眾多開(kāi)關(guān)電源的拓?fù)渲?,?yīng)用原理相同,我們以降壓電源轉(zhuǎn)換(Buck拓?fù)?舉例,如圖1所示。電感的一側(cè)是連接在功率開(kāi)關(guān)切換處,連接到輸入或GND,另一側(cè)連接到輸出電壓。電路中由Q1功率管和CR1功率續(xù)流二極管來(lái)回高速切換進(jìn)行工作,隨著半導(dǎo)體工藝提升,越來(lái)越多Buck電路中的續(xù)流二極管已經(jīng)被功率開(kāi)關(guān)管所取代,并成熟應(yīng)用于諸多領(lǐng)域。
注意,當(dāng)上管與下管(也有稱為High Side與Low Side)都是功率開(kāi)關(guān)管時(shí),兩個(gè)功率管是不允許同時(shí)導(dǎo)通的(同時(shí)導(dǎo)通的話,輸入到GND的回路阻抗最低,會(huì)直接短路,電路會(huì)失效),必須以合適的時(shí)間進(jìn)行上管與下管的導(dǎo)通,關(guān)斷的管理,使得兩管交替工作,稱之為“死區(qū)時(shí)間”。即Q1導(dǎo)通的時(shí)候,Q2必須斷開(kāi),Q2導(dǎo)通的時(shí)候,Q1必須斷開(kāi),必須非常精準(zhǔn)的進(jìn)行同步控制,所以上下都是功率開(kāi)關(guān)管的電源轉(zhuǎn)換電路,也被稱為同步整流電源轉(zhuǎn)換。

圖1.降壓電源轉(zhuǎn)換基本結(jié)構(gòu)
如圖2,分別是兩個(gè)工作狀態(tài),在狀態(tài)1中,電感會(huì)通過(guò)上管(“high-side”)連接到輸入,在狀態(tài)2中,電感連接到GND。

圖2.Buck電路控制狀態(tài)
我們?cè)敿?xì)分析一下這兩個(gè)工作狀態(tài),電感的電流與電壓是如何變化的,如圖3所示。
在狀態(tài)1中,電感的一端連接到的是輸入電壓,另一端連接到的是輸出電壓。對(duì)于一個(gè)降壓轉(zhuǎn)換器,輸入電壓高于輸出電壓,因此會(huì)在電感上形成一個(gè)正向的壓降。
在狀態(tài)2中,原來(lái)連接到輸入電壓的電感一端被連接到GND(通過(guò)續(xù)流二極管或者同步整流構(gòu)架的下管)。輸出電壓為正端,因此會(huì)在電感上形成一個(gè)負(fù)向的壓降。

圖3.電感在Buck電路中電流與電感的變化過(guò)程
由電感的電壓計(jì)算公式:
V=L(dI/dt)
單獨(dú)拉出其中一個(gè)周期做分析,如圖4,狀態(tài)1時(shí),電感上的電流會(huì)慢慢增加;狀態(tài)2時(shí),電感上的電流就會(huì)慢慢減小。具體電感的電流如下所示:
圖4.電感單個(gè)周期的電流狀態(tài)
先通過(guò)上管Q1為電感儲(chǔ)能,再通過(guò)下管Q2導(dǎo)通釋放到輸出端。電感不停的從輸入端存儲(chǔ)能量,輸出端釋放能量,電感儲(chǔ)能與放能為一個(gè)周期,每秒電感進(jìn)行了幾次儲(chǔ)能與放能,就是電感的工作頻率。
通過(guò)圖4可以看到,流過(guò)電感的最大電流為DC電流加開(kāi)關(guān)峰峰電流的一半。也稱之為紋波電流。根據(jù)上述的公式,可以計(jì)算出峰值電流:
其中,ton是狀態(tài)1的時(shí)間,T是開(kāi)關(guān)周期(開(kāi)關(guān)頻率的倒數(shù)),DC為狀態(tài)1的占空比。
備注:上面的計(jì)算是基于各元器件(MOSFET上的導(dǎo)通壓降,電感的導(dǎo)通壓降或異步電路中肖特基二極管的正向壓降)上的壓降對(duì)比輸入和輸出電壓是相對(duì)可以忽略的簡(jiǎn)化公式。
如果,各器件的壓降不作忽略,計(jì)算公式會(huì)復(fù)雜些:
同步整流轉(zhuǎn)換電路:
異步轉(zhuǎn)換電路:
其中,Rs為感應(yīng)電阻阻抗加電感繞線電阻的阻。Vf 是肖特基二極管的正向壓降。R是Rs加MOSFET導(dǎo)通電阻,R=Rs+Rm。
電感損耗組成及詳解
詳細(xì)講述了某一個(gè)周期的電感狀態(tài)的變化,開(kāi)始正式進(jìn)入電感選型的深度解析,眾所周知,開(kāi)關(guān)電路當(dāng)中,在設(shè)計(jì)中往往遇到高溫以及高度問(wèn)題的瓶頸時(shí),電感基本都是聚焦點(diǎn),那么電感的耗散功率到底有哪些部分組成呢?
絕大部分的設(shè)計(jì)人員,選型電感時(shí)只看重DCR,即電感的直流導(dǎo)通阻抗,但已經(jīng)選擇的較低DCR的電感,還是太燙,那就選一個(gè)更大尺寸的電感,希望通過(guò)更大的體積,接觸空氣的表面積更多,以及本身熱阻更低來(lái)降低溫度。
但如果體積與高度不允許的情況下呢?那就沒(méi)有退路了,所以必須搞清楚電感的耗散功率到底有哪些部分組成。三體微通過(guò)成功經(jīng)驗(yàn)的積累以及大量數(shù)據(jù)分析與你分享以下重要內(nèi)容。
電感的耗散功率,有三部分組成:
其中,Pdcr是直流偏置損耗,即大部分我們看到的電感規(guī)格書中的DCR。
即電感電流中,平均電流的平方與直流導(dǎo)通阻抗的乘積,但電感在此應(yīng)用當(dāng)中,并不是直流狀態(tài),而是交流狀態(tài),所以引入了Pacr的耗散功率部分。Pacr是交流偏置部分的損耗。
與Pdcr不同,Pdcr的損耗是下面長(zhǎng)方形部分的面積,而Pacr是電感電流三角波部分的面積,這里面有兩個(gè)變量,首先是電感自身的ACR是隨頻率變化的,即不同的開(kāi)關(guān)電源,開(kāi)關(guān)頻率是不同的。
如國(guó)際型電源芯片廠商,凌力爾特、ADI等,有幾十MHz的電源解決方案,國(guó)內(nèi)本土品牌鈺泰科技(ETA)有近10MHz的電源解決方案,當(dāng)然個(gè)別應(yīng)用場(chǎng)景為了其他設(shè)計(jì)要求,也有只能選擇低頻開(kāi)關(guān)頻率的電源方案。
頻率越高,電感的ACR值會(huì)越差,不同結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的線圈,不同的磁芯配方,都會(huì)導(dǎo)致不同衰減系數(shù)的ACR。在高頻下電子在集膚效應(yīng)的作用下,電子流通率明顯降低,這就是為什么ACR在高頻下會(huì)衰減的原因。
以下是三體微一款用于65W無(wú)線充低ACR的成品實(shí)測(cè)曲線,在不同頻率下,電感的ACR會(huì)發(fā)生明顯的變化。
另外一個(gè)重要變量,則是開(kāi)關(guān)電源的占空比,在不同的占空比下,比如19V轉(zhuǎn)16.8V,其占空比是88.42%,和19V轉(zhuǎn)1V,其占空比是5.26%,占空比不同,電感電流的di/dt完全不同,三角波面積也會(huì)完全不同,其對(duì)ACR的要求也會(huì)完全不同。
而以上兩組電源轉(zhuǎn)換,是在筆記本電腦當(dāng)中尤為常見(jiàn)的兩組電壓,分別是給4s電池充電的電路和CPU供電的電路。
就拿這兩個(gè)常用案例來(lái)說(shuō),前者,三體微推薦SCHB1040-2R2M,該系列將優(yōu)化點(diǎn)重心放在優(yōu)化DCR上;后者,三體微推薦SCHH0630-R22M,該系列將兼?zhèn)鋬?yōu)化DCR同時(shí)優(yōu)化ACR。針對(duì)不同應(yīng)用,需要精準(zhǔn)判斷尋找適合的解決方案。
另外,關(guān)于Pcore,磁芯損耗,也有簡(jiǎn)稱為鐵損的:
這基本都是全球頭部電感供應(yīng)商的核心技術(shù),core是電感磁芯的意思,在一體成型電感當(dāng)中,即磁粉原材料用不同的配方,直接影響Pcore的耗散功率。
在磁粉的耗散功率中,又由磁滯損耗,剩余損耗和渦流損耗組成,其中占比最大的是磁滯損耗,其他兩部分不作為主要討論對(duì)象。
磁芯材料磁化時(shí),送到磁場(chǎng)的能量有2部分,一部分轉(zhuǎn)化為勢(shì)能,即去掉外磁化電流時(shí),磁場(chǎng)能量可以返回電路;而另一部分變?yōu)榭朔Σ潦勾判景l(fā)熱消耗掉,這就是磁滯損耗。
磁化曲線中陰影部分的面積代表了在一個(gè)工作周期內(nèi),磁芯在磁化過(guò)程中由磁滯現(xiàn)象引起的能量損耗。如上圖可知, 影響損耗面積大小幾個(gè)參數(shù)是:最大工作磁通密度B、最大磁場(chǎng)強(qiáng)度H、剩磁Br、矯頑力Hc,其中B和H取決于外部的電場(chǎng)條件和磁芯的尺寸參數(shù),而Br和Hc取決于材料特性。
電感磁芯每磁化一周期,就要損耗與磁滯回線包圍面積成正比的能量,頻率越高,損耗功率越大,磁感應(yīng)擺幅越大,包圍面積越大,磁滯損耗越大。
三體微有著頂尖的磁粉配方團(tuán)隊(duì),曾于全球頂尖磁性元器件廠商核心配粉專家組工作十余年。其主要突破重心則是降低剩磁,以及矯頑力,從而使得磁滯面積縮小,抑制其在高頻工作時(shí)產(chǎn)生的耗散功率,同時(shí)在磁粉配方當(dāng)中,三體微專屬的解決方案,可降低成品熱阻特性,使得成品與友商在同樣的效率下,發(fā)熱優(yōu)于其他方案,降低熱系數(shù),解決發(fā)熱問(wèn)題。
正如電流流過(guò)導(dǎo)體,電阻產(chǎn)生的壓降會(huì)發(fā)熱。電感內(nèi)部磁場(chǎng)方向高頻變化,也會(huì)造成功率損耗。電感的損耗分為三大部分:直流損耗、交流損耗、磁芯損耗。其中直流損耗即電感內(nèi)阻與電流的乘積。在實(shí)際應(yīng)用中主要為交流損耗和磁芯損耗。
電感磁芯的飽和度
通過(guò)已經(jīng)計(jì)算的電感峰值電流,我們可以發(fā)現(xiàn)電感上產(chǎn)生了什么。很容易會(huì)知道,隨著通過(guò)電感的電流增加,它的電感量會(huì)減小。這是由于磁芯材料的物理特性決定的。
電感量會(huì)減少多少非常重要,而不僅僅只是看一個(gè)飽和電流,如果電感量衰減系數(shù)高,意味著過(guò)飽和電流后,衰減極具,反之則有較為平緩的下降幅度,可以應(yīng)用短時(shí)間大電流的特殊應(yīng)用場(chǎng)景。
要知道,如果在負(fù)載出現(xiàn)微短路狀態(tài),如果電感徹底飽和,意味著直通,作為降壓電路,高壓直通到負(fù)載,負(fù)載會(huì)瞬間損壞。
以三體微SCCT系列和SCHT系列舉例,其磁衰非常緩慢,針對(duì)某些場(chǎng)景,需要特別高的飽和電流,甚至應(yīng)用時(shí)個(gè)別狀態(tài)會(huì)使得電感處于高磁飽狀態(tài)的,是非常適合推薦的。
可以對(duì)比一下市面上抗磁衰普通的電氣性能:
有非常多的應(yīng)用場(chǎng)景,電感的選型著實(shí)讓工程師絞盡腦汁,電感廠商三體微專注于開(kāi)發(fā)頂尖的功率電感產(chǎn)品和方案,針對(duì)實(shí)際應(yīng)用,從整體系統(tǒng)的角度為客戶精準(zhǔn)定位,推薦最為合適的產(chǎn)品,縮短整體研發(fā)周期。