這些MOS驅(qū)動(dòng)電路你見過嗎？設(shè)計(jì)MOS驅(qū)動(dòng)電路需要注意什么？

以下內(nèi)容中，小編將對MOS驅(qū)動(dòng)電路的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行著重介紹和闡述，希望本文能幫您增進(jìn)對MOS驅(qū)動(dòng)電路的了解，和小編一起來看看吧。

一、MOS驅(qū)動(dòng)電路

MOS管開關(guān)電路在DC-DC電源、開關(guān)控制、電平轉(zhuǎn)換等電路中都有普遍的應(yīng)用，今天就和大家一起學(xué)習(xí)一下MOS管柵極驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)。

那首先，我們來簡單看一款MOS驅(qū)動(dòng)電路，大家好有一個(gè)感性的認(rèn)識(shí)。

1、IC直接驅(qū)動(dòng)型

這種電路通過電源IC直接提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)給MOS管的柵極。其結(jié)構(gòu)簡單，成本較低，適用于對開關(guān)速度要求不高的場合。

但需要注意的是，如果電源IC的峰值驅(qū)動(dòng)電流不足，可能會(huì)導(dǎo)致MOS管開啟速度較慢。

2、推挽輸出電路增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)

是一種增加電流供應(yīng)能力的驅(qū)動(dòng)電路。它由兩個(gè)互補(bǔ)型MOSFET組成，一個(gè)是N通道MOSFET，另一個(gè)是P通道MOSFET。當(dāng)輸入信號(hào)為高電平時(shí)，N通道MOSFET導(dǎo)通，P通道MOSFET截止；當(dāng)輸入信號(hào)為低電平時(shí)，情況相反。這樣，通過兩個(gè)管的互補(bǔ)工作，推挽電路能夠快速完成柵極電容的充電過程，增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力。

3、驅(qū)動(dòng)電路加速M(fèi)OS管的關(guān)斷

在關(guān)斷的瞬間，驅(qū)動(dòng)電路加速M(fèi)OS管的關(guān)斷電路能夠提供低阻抗的通路，使MOS管的柵極和源極之間的電容快速放電。

該圖顯示的是一種常見的加速關(guān)斷電路，它利用三極管釋放GS電容的電荷，實(shí)現(xiàn)最短時(shí)間內(nèi)的放電，從而最大限度地減小關(guān)斷時(shí)的交叉損耗。

二、MOS管柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

模電課本上定義MOS管為一種壓控流型器件，理想狀態(tài)下，當(dāng)MOS管處于開關(guān)狀態(tài)時(shí)，開關(guān)波形應(yīng)該和控制信號(hào)電壓波形一樣標(biāo)準(zhǔn)才對，可實(shí)際情況并不總?cè)缛艘狻?

如下圖所示，輸入信號(hào)為1MHz，幅度5V的方波信號(hào)，通過200ohm電阻R1連接到NMOS的柵極。從波形中可以發(fā)現(xiàn)，Ud電壓最小值還在5V左右就又開始上升，即開關(guān)并未完全導(dǎo)通。

了解過“密勒平臺(tái)”的同學(xué)應(yīng)該都知道，MOS管GS和GD之間分別有一個(gè)等效電容，電容兩端電壓不能突變，因此當(dāng)柵極加上一個(gè)開關(guān)信號(hào)時(shí)，本質(zhì)上就是對這些電容進(jìn)行充放電，來使Vgs電壓達(dá)到導(dǎo)通和關(guān)閉的門限。

當(dāng)柵極串聯(lián)較大的電阻后，柵極上的充放電電流就比較小，對電容的充電速度較慢，因此就會(huì)出現(xiàn)上述MOS管還未完全導(dǎo)通，下一個(gè)關(guān)閉MOS管的信號(hào)又到達(dá)的情況。

這時(shí)，我們將串聯(lián)電阻R1縮小為20ohm，可以看到Vd電壓信號(hào)基本保持方波，且可以完全導(dǎo)通了。但是可以觀察到Ud關(guān)斷時(shí)，有較長的“爬坡”，這表明，即使柵極驅(qū)動(dòng)電流增大了，但是MOS管本身的開關(guān)頻率也是有上限的。

在上述基礎(chǔ)上，我們再將柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)的頻率降低到100kHz，這時(shí)我們觀察到Ud和Ugs基本都是一個(gè)比較標(biāo)準(zhǔn)的方波信號(hào)（通過Ugs信號(hào)能觀察到“密勒平臺(tái)”），一般我們認(rèn)為這樣的驅(qū)動(dòng)才是合格的。

針對前兩種不完全導(dǎo)通和邊沿爬坡較緩的現(xiàn)象，會(huì)產(chǎn)生哪些問題？

從功耗的計(jì)算公式P=U*I來看，當(dāng)MOS管完全導(dǎo)通時(shí)，我們可以近似認(rèn)為MOS管的損耗為0，即MOS的損耗僅存在于開關(guān)過程，即電壓、電流都不為0的時(shí)候。當(dāng)MOS不完全導(dǎo)通或者邊沿較緩時(shí)，MOS管本身的損耗就會(huì)加大，會(huì)加重MOS管的發(fā)熱，嚴(yán)重的會(huì)導(dǎo)致MOS管燒毀。

以上便是小編此次帶來的有關(guān)MOS驅(qū)動(dòng)電路的全部內(nèi)容，十分感謝大家的耐心閱讀，想要了解更多相關(guān)內(nèi)容，或者更多精彩內(nèi)容，請一定關(guān)注我們網(wǎng)站哦。