IGBT模塊主要參數(shù)有哪些?IGBT對柵極驅(qū)動電路有哪些要求?
今天,小編將在這篇文章中為大家?guī)?a href="/tags/IGBT" target="_blank">IGBT的有關(guān)報道,通過閱讀這篇文章,大家可以對它具備清晰的認識,主要內(nèi)容如下。
一、IGBT模塊主要參數(shù)
RGint:模塊內(nèi)部柵極電阻:為了實現(xiàn)模塊內(nèi)部芯片均流,模塊內(nèi)部集成有柵極電阻。該電阻值應(yīng)該被當成總的柵極電阻的一部分來計算IGBT驅(qū)動器的峰值電流能力。
RGext:外部柵極電阻: 外部柵極電阻由用戶設(shè)置,電阻值會影響IGBT的開關(guān)性能。
上圖中開關(guān)測試條件中的柵極電阻為Rgext的最小推薦值。用戶可通過加裝一個退耦合二極管設(shè)置不同的Rgon和Rgoff。
已知柵極電阻和驅(qū)動電壓條件下,IGBT驅(qū)動理論峰值電流可由下式計算得到,其中柵極電阻值為內(nèi)部及外部之和。
實際上,受限于驅(qū)動線路雜散電感及實際柵極驅(qū)動電路非理想開關(guān)特性,計算出的峰值電流無法達到。 如果驅(qū)動器的驅(qū)動能力不夠,IGBT的開關(guān)性能將會受到嚴重的影響。 最小的Rgon由開通di/dt限制,最小的Rgoff由關(guān)斷dv/dt限制,柵極電阻太小容易導(dǎo)致震蕩甚至造成IGBT及二極管的損壞。
Cge:外部柵極電容: 高壓IGBT一般推薦外置Cge以降低柵極導(dǎo)通速度,開通的di/dt及dv/dt被減小,有利于降低受di/dt影響的開通損耗。
IGBT寄生電容參數(shù):
IGBT寄生電容是其芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)固有的特性,芯片結(jié)構(gòu)及簡單的原理圖如下圖所示。輸入電容Cies及反饋電容Cres是衡量柵極驅(qū)動電路的根本要素,輸出電容Coss限制開關(guān)轉(zhuǎn)換過程的dv/dt,Coss造成的損耗一般可以被忽略。
其中:Cies=CGE+CGC:輸入電容(輸出短路)Coss=CGC+CEC:輸出電容(輸入短路)Cres=CGC:反饋電容(米勒電容)動態(tài)電容隨著集電極與發(fā)射極電壓的增加而減小,如下圖所示。
CGE的值隨著VCE的變化近似為常量。CCG的值強烈依賴于VCE的值,并可由下式估算出:
IGBT所需柵極驅(qū)動功率可由下式獲得:
或者
二、IGBT對柵極驅(qū)動電路的要求
IGBT對柵極驅(qū)動電路的要求主要是保證電路的穩(wěn)定性和可靠性。IGBT驅(qū)動電路需要具備良好的絕緣性能、耐壓性能和耐溫性能,以及足夠的電流和電壓控制能力,以保證IGBT的正常工作。此外,IGBT驅(qū)動電路還需要具備足夠的電流和電壓控制能力,以保證IGBT的正常工作。
IGBT 的靜態(tài)和動態(tài)特性與柵極驅(qū)動條件密切相關(guān)。柵極的正偏壓+VGE、負偏壓-VGE 和柵極電阻RG 的大小,對IGBT 的通態(tài)電壓、開關(guān)時間、開關(guān)損耗,承受短路能力以及dvce/dt 等參數(shù)都有不同程度的影響。
柵極驅(qū)動電路提供給IGBT 的正偏壓+VGE使IGBT 導(dǎo)通。在實際應(yīng)用中,綜合該電壓對開通時間、開通損耗以及器件在短路時承受短路電流時間等方面的因素,通常使用+15V。柵極驅(qū)動電路提供給IGBT 的負偏壓-VGE使其關(guān)斷。它直接影響IGBT 的可靠運行,為了防止IGBT 產(chǎn)生動態(tài)擎住現(xiàn)象,柵極負偏壓應(yīng)為-5V 或更低一些的電壓,負偏壓的大小對關(guān)斷時間損耗的影響不大。
此外,柵極驅(qū)動電壓必須有足夠快的上升和下降速度,使IGBT 盡快開通和關(guān)斷,以減少開通和關(guān)斷損耗。在器件導(dǎo)通后,驅(qū)動電壓和電流應(yīng)保持足夠的幅度,保證IGBT 處于飽和狀態(tài)。由于IGBT 多用于高電壓、大電流場合,信號控制電路與驅(qū)動電路之間應(yīng)采用抗干擾能力強、信號傳輸時間短的高速光電隔離器件加以隔離。為了提高抗干擾能力,應(yīng)采用驅(qū)動電路到IGBT 模塊的引線盡可能短、引線為雙膠線或屏蔽線等措施。
以上便是小編此次想要和大家共同分享的有關(guān)IGBT的內(nèi)容,如果你對本文內(nèi)容感到滿意,不妨持續(xù)關(guān)注我們網(wǎng)站喲。最后,十分感謝大家的閱讀,have a nice day!