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[導(dǎo)讀]三星輕薄型LPDDR5X DRAM的封裝厚度僅0.65mm,散熱控制能力更強,適合端側(cè)AI在移動端的應(yīng)用 LPDDR封裝采用12納米級工藝,四層堆疊,在提升Die密度的同時,減少厚度,提高耐熱性 深圳2024年8月6日 /美通社/ -- 2024年8月6日,三星電子今日宣布其...

三星輕薄型LPDDR5X DRAM的封裝厚度僅0.65mm,散熱控制能力更強,適合端側(cè)AI在移動端的應(yīng)用

LPDDR封裝采用12納米級工藝,四層堆疊,在提升Die密度的同時,減少厚度,提高耐熱性

深圳2024年8月6日 /美通社/ -- 2024年8月6日,三星電子今日宣布其業(yè)內(nèi)最薄的12納米(nm)級LPDDR5X DRAM(內(nèi)存)開始量產(chǎn),支持12GB和16GB容量。這將進一步鞏固三星在低功耗內(nèi)存市場的地位。

三星LPDDR5X DRAM


三星LPDDR5X DRAM

憑借在芯片封裝領(lǐng)域豐富的技術(shù)經(jīng)驗,三星可提供超薄的LPDDR5X DRAM封裝,使移動設(shè)備內(nèi)有多余的空間,促進空氣流動。散熱控制能力因此得到提升,這一屬性對于像端側(cè)人工智能類具有復(fù)雜功能的高性能應(yīng)用尤為關(guān)鍵。

三星LPDDR5X DRAM封裝示意圖


三星LPDDR5X DRAM封裝示意圖

“LPDDR5X DRAM在具備卓越的移動端低功耗性能的同時,還能在超輕薄的封裝中提供先進的熱管理功能,為高性能端側(cè)AI解決方案樹立了新標準?!比请娮哟鎯ζ鳟a(chǎn)品企劃團隊執(zhí)行副總裁YongCheol Bae表示?!叭菍⒊种院愕嘏c客戶密切合作,不斷創(chuàng)新,提供能夠滿足符合時代的低功耗DRAM解決方案。

憑借LPDDR5X DRAM的封裝技術(shù),三星提供了其業(yè)內(nèi)最薄,采用四層堆疊結(jié)構(gòu)[1]的12納米級LPDDR DRAM。與上一代產(chǎn)品相比,厚度降低約9%,耐熱性能提升約21.2%。

三星LPDDR5X DRAM緊有0.65mm,薄如指甲


三星LPDDR5X DRAM緊有0.65mm,薄如指甲

通過采用更先進的印刷電路板(PCB)和環(huán)氧樹脂模塑料(EMC)[2]工藝,新一代LPDDR DRAM的封裝厚度僅0.65毫米(mm),薄如指甲,超過之前所有12GB及以上容量的LPDDR DRAM。此外,三星優(yōu)化了背面研磨工藝[3],進一步壓縮了封裝厚度。

三星計劃通過向移動處理器生產(chǎn)商,和移動設(shè)備制造商供應(yīng)0.65mm的LPDDR5X DRAM芯片,繼續(xù)擴大低功耗DRAM的市場。隨著市場對高性能、高密度且封裝尺寸更小的移動存儲解決方案的需求持續(xù)增長,三星計劃開發(fā)6層24GB和8層32GB的模組,為未來設(shè)備打造超薄的LPDDR DRAM封裝。

除非經(jīng)特殊說明,本文中所涉及的數(shù)據(jù)均為三星內(nèi)部測試結(jié)果,涉及的對比均為與三星產(chǎn)品相比較。

[1] 四層堆疊封裝,每層均由兩片LPDDR DRAM芯片組成

[2] 用于保護半導(dǎo)體電路免受高溫、沖擊和潮濕等外部環(huán)境影響的材料。

[3] 研磨晶圓的背面使厚度變薄的工藝

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