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[導(dǎo)讀]MOS管將是下述內(nèi)容的主要介紹對象,通過這篇文章,小編希望大家可以對它的相關(guān)情況以及信息有所認識和了解,詳細內(nèi)容如下。

MOS管將是下述內(nèi)容的主要介紹對象,通過這篇文章,小編希望大家可以對它的相關(guān)情況以及信息有所認識和了解,詳細內(nèi)容如下。

一、MOS管

MOS,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。

二、NMOS開關(guān)驅(qū)動電路

注:

Q5:一個NMOS管。

R25/100R 的作用:防止振蕩減少柵極充電的峰值電壓,保護NMOS管的D-S及不被擊穿防止震蕩,GPIO口輸出端可能有些雜散的電感,在電壓突變的情況下,可能會產(chǎn)生LC振蕩,當(dāng)我們加入R25之后,會提高阻尼減少振蕩。

減少柵極充電的峰值電壓,當(dāng)柵極的電壓拉高,首先對柵極的寄生電容進行充電,I=Q/t。充電的峰值電流可能大于GPIO的輸出能力,為了保護IC,添加R25之后,可能有效的增長充電的時間,進而減小充電時候的電流。

從導(dǎo)通到截止?fàn)顟B(tài),VDS電壓迅速增加,如果dVDS/dt過大,可能會燒壞器件,R17的存在可以讓柵極電容緩慢放電,從而保護mos管。

R26 10K的作用:

下拉型抗干擾電阻,GPIO輸出狀態(tài)下,在Nmos端,可以看出mos端處于一個高阻態(tài)或者懸浮的一個狀態(tài),為了避免意外打開mos管,加上了個10k下拉。

三、高邊NMOS防反

PMOS的高邊防反接使用自驅(qū)效應(yīng),但其存在待機電流偏大和電流反灌隱患,并且PMOS價格偏高,幾乎沒有使用驅(qū)動IC+PMOS高邊防反這種設(shè)計,所以為了均衡價格因素和Rdson,消除待機電流偏大和電流反灌隱患(若單純使用高邊NMOS,也會有待機電流和電流反灌問題),使用驅(qū)動IC+NMOS這種高邊防反接設(shè)計。但這里并不是否定低邊NMOS防反和高邊PMOS防反,實際上低邊NMOS防反和高邊PMOS防反使用的更多,驅(qū)動IC+NMOS這種方式一方面是為了應(yīng)對測試機構(gòu)的測試用例,一方面是應(yīng)對可預(yù)見的實際問題。通常使用高邊PMOS防反接并沒有什么問題。

使用高邊NMOS防反接,通常沒有足夠高的電壓來驅(qū)動?xùn)艠O,此時可以使用驅(qū)動IC來從高邊取電,輸出比S極更高的電壓來驅(qū)動NMOS導(dǎo)通,驅(qū)動IC有兩種:電荷泵型和Buck-Boost型,見圖11-1。帶驅(qū)動IC這種形式,雖然這增加了電路的復(fù)雜性,但N溝道MOSFET的導(dǎo)通電阻較低。

在大部分時間都處于正常連接供電場景中,由于電荷泵型和Buck-Boost型將額外消耗電流(需要不斷地工作產(chǎn)生驅(qū)動電壓維持NMOS的開啟),單純的高邊PMOS防反接效率反而更好。

圖:高邊NMOS防反驅(qū)動--->NMOS+驅(qū)動IC

以上便是小編此次想要和大家共同分享的有關(guān)MOS管的內(nèi)容,如果你對本文內(nèi)容感到滿意,不妨持續(xù)關(guān)注我們網(wǎng)站喲。最后,十分感謝大家的閱讀,have a nice day!

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