如何設(shè)計(jì)MOSFET驅(qū)動(dòng)電路電源？大神呀！

在下述的內(nèi)容中，小編將會(huì)對(duì)MOSFET的相關(guān)消息予以報(bào)道，如果MOSFET是您想要了解的焦點(diǎn)之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。

一、MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的基本要求

MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路有一些基本要求，接下來(lái)將詳細(xì)介紹這些要求。首先，MOSFET對(duì)于驅(qū)動(dòng)電路的電壓要求非常嚴(yán)格。由于MOSFET的工作電壓通常在幾百伏特到數(shù)千伏特之間，因此驅(qū)動(dòng)電路需要能提供足夠高的電壓以確保正常工作。此外，由于MOSFET具有較高的耐壓能力，驅(qū)動(dòng)電路的電壓峰值應(yīng)該小于MOSFET的耐壓能力，以避免過(guò)電壓損壞。其次，MOSFET對(duì)于驅(qū)動(dòng)電路的電流要求也很重要。MOSFET的驅(qū)動(dòng)電流通常較大，因此驅(qū)動(dòng)電路需要能夠提供足夠的電流來(lái)驅(qū)動(dòng)MOSFET的導(dǎo)通和截止。此外，驅(qū)動(dòng)電路還需能夠保證電流的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性，以確保MOSFET的工作可靠性。此外，驅(qū)動(dòng)電路對(duì)于MOSFET的速度要求也很高。MOSFET的開(kāi)關(guān)速度非?？?，因此驅(qū)動(dòng)電路需要能夠提供足夠高的速度來(lái)操作MOSFET的導(dǎo)通和截止過(guò)程。驅(qū)動(dòng)電路的速度主要由驅(qū)動(dòng)信號(hào)的上升時(shí)間和下降時(shí)間決定，因此合理設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路的輸入電路和輸出電路，以減少信號(hào)傳輸延遲和電路響應(yīng)時(shí)間，可以提高驅(qū)動(dòng)電路的速度。

二、MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的電源設(shè)計(jì)

1、變壓器隔離電源

當(dāng)使用MOSFET驅(qū)動(dòng)由上下橋臂構(gòu)成的H橋、三相逆變器或類(lèi)似的電路時(shí)，上橋臂和下橋臂的電源必須彼此隔離。

圖3.1顯示了使用變壓器的電源示例。

驅(qū)動(dòng)MOSFET的下臂的電源可以共用。因此，H橋需要三個(gè)電源，而三相橋需要四個(gè)電源。

2、自舉電路

由二極管和電容器組成的自舉電路可以用來(lái)代替浮地電源。當(dāng)MOSFET由逆變器或類(lèi)似電路的上臂和下臂驅(qū)動(dòng)時(shí)，可以在每個(gè)相中使用自舉電容C，如圖3.2所示，而不是浮置電源。最初，必須接通下臂中的器件以通過(guò)虛線的路徑從下臂的電源對(duì)電容C充電。下臂MOSFET每次導(dǎo)通時(shí)，電容C通過(guò)該路徑充電。由于上臂器件的占空比與電容C上存儲(chǔ)的電荷量有一定的關(guān)系，因此上臂的占空比存在限制。與輸出電壓的情況一樣，上臂的柵極電壓波動(dòng)使其對(duì)噪聲敏感。因此，在設(shè)計(jì)上臂門(mén)電路時(shí)應(yīng)謹(jǐn)慎。

3、電荷泵

電荷泵由振蕩電路、二極管和電容組成。電荷泵每一級(jí)提升的電壓存儲(chǔ)在電容器中，如圖3所示。當(dāng)MOSFET由上下橋臂構(gòu)成時(shí)，點(diǎn)荷泵可用于驅(qū)動(dòng)高邊。與自舉電路不同，電荷泵對(duì)輸出器件的占空比沒(méi)有任何限制。

以上所有內(nèi)容便是小編此次為大家?guī)?lái)的有關(guān)MOSFET的所有介紹，如果你想了解更多有關(guān)它的內(nèi)容，不妨在我們網(wǎng)站進(jìn)行探索哦。