MOS管驅(qū)動(dòng)電路了解嗎？MOS管的兩種使用介紹（都有電路圖）

MOS管將是下述內(nèi)容的主要介紹對(duì)象，通過這篇文章，小編希望大家可以對(duì)MOS管的相關(guān)情況以及信息有所認(rèn)識(shí)和了解，詳細(xì)內(nèi)容如下。

一、MOS管驅(qū)動(dòng)電路

MOS管分為N溝道與P溝道兩種，N溝道用于電源負(fù)極的控制，P溝道用于電源正極的控制，兩者直接的控制信號(hào)電壓也存在區(qū)別。對(duì)于NMOS來講，當(dāng)柵極與源極的電壓超過一定電壓閾值的之后就會(huì)導(dǎo)通，PMOS與之相反。

NMOS與PMOS還有一點(diǎn)比較大的區(qū)別，NMOS的導(dǎo)通內(nèi)阻一般比PMOS要小一些，并且制造成本性對(duì)較低，所以在功率較大的控制場(chǎng)合，一般會(huì)選用NMOS，當(dāng)然也要根據(jù)控制電路的邏輯關(guān)系進(jìn)行選擇。以NMOS為例，當(dāng)Vgs大于最小控制電壓閾值時(shí)，MOS管會(huì)導(dǎo)通，但是其導(dǎo)通內(nèi)阻無法達(dá)到最小設(shè)計(jì)值，所以想要保證其導(dǎo)通內(nèi)阻，就要有足夠的控制驅(qū)動(dòng)電壓。

上圖是常用N溝道MOS管AO4468參數(shù)手冊(cè)中給出的導(dǎo)通內(nèi)阻參考值，當(dāng)控制電壓4.5V的時(shí)候，導(dǎo)通內(nèi)阻小于22mΩ；控制電壓10V時(shí)，導(dǎo)通內(nèi)阻小于14mΩ，從這個(gè)參數(shù)上能夠看出，不同的驅(qū)動(dòng)電壓下，導(dǎo)通內(nèi)阻是存在一定差別的。

二、MOS管的兩種使用

MOS管的使用通常可以分為兩種情形：

①參與普通的邏輯控制，和三極管一樣作為開關(guān)管使用，電流可達(dá)數(shù)安培，如圖1為MOS管驅(qū)動(dòng)直流電機(jī)電路。R6下拉電阻是必須的（取值一般10--20k），原理和NPN三極管下拉電阻一樣；原理參見文章《三極管的“非教科書式”解析，徹底告別放大狀態(tài)的噩夢(mèng)！》。

此類應(yīng)用的MOS管Vgs電壓大于門檻電壓4.5V（又叫平臺(tái)電壓）即可正常使用。小功率的邏輯控制本人還是選擇使用三極管。

圖1：邏輯控制MOS管

②參與PWM控制，例如文章《為什么PWM驅(qū)動(dòng)采用圖騰柱而不是互補(bǔ)推挽？》；橋式驅(qū)動(dòng)電路以及開關(guān)電源電路等應(yīng)用廣泛。

如圖2為有刷直流電機(jī)橋式驅(qū)動(dòng)電路，G1、G2、G3、G4為推挽PWM控制，VS1、VS2接電機(jī)，可實(shí)現(xiàn)大功率直流電機(jī)調(diào)速，正反轉(zhuǎn)控制。此類應(yīng)用的MOS管Vgs電壓大于10V，通常使用12V（為保證導(dǎo)通深度，PWM的幅值為12V）。且G極的電阻必須是小電阻通常取4.7--100Ω，與電阻并聯(lián)一個(gè)反向二極管，目的是保證MOS管的關(guān)斷速度比導(dǎo)通速度快，防止上橋與下橋直通短路。

圖2：有刷直流電機(jī)橋式驅(qū)動(dòng)電路

上述所有信息便是小編這次為大家推薦的有關(guān)MOS管的內(nèi)容，希望大家能夠喜歡，想了解更多有關(guān)它的信息或者其它內(nèi)容，請(qǐng)關(guān)注我們網(wǎng)站哦。