在這篇文章中，小編將為大家?guī)?a href="/tags/IGBT" target="_blank">IGBT的相關報道。如果你對本文即將要講解的內(nèi)容存在一定興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
一、IGBT開通延遲過程
1、IGBT柵極電容的組成
Ciss= CGE+ CGC 輸入電容
Coss= CGC+ CEC 輸出電容
Crss= CGC 米勒電容
下面是比較詳細的電容分布
對于IGBT 器件，柵極電容包括四個方面電容，如上圖所示:
(1)柵極—發(fā)射極金屬電容C1
(2)柵極—N + 源極氧化層電容C2
(3)柵極—P 基區(qū)電容Cgp，Cgp由C3，C5構成;
(4)柵極—集電極電容Cgc，Cgc由C4，C6構成。其中，柵極—發(fā)射極電容( 也稱為輸入電容) 為Cge = C1 + C2 + Cgp，柵極—集電極電容( 也稱為反向傳輸電容或密勒電容) 為Cgc。此外，Cgp隨柵極電壓的變化而變化，Cgc隨IGBT 集射極電壓的變化而變化。電容Cgp的變化趨勢如下圖 所示。因此，Cgp隨著電壓的增加，其電容值先減小，隨著電壓的進一步增加，其大小又逐漸增加，并達到穩(wěn)定值。
2、開通延時過程中驅(qū)動回路等效電路
由于在IGBT 集電極電流上升之前， IGBT 仍然處于關斷狀態(tài)，柵極電壓的變化量相對于IGBT的阻斷電壓可以忽略不計。因此，柵極電壓的上升過程對于柵極—集電極電容( Cgc) 及其電荷量的影響可以忽略不計，因此開通延時階段的充電過程只針對電容C1、C2和Cgp。因此，結合驅(qū)動回路的等效電路，可以得到上述充電過程中驅(qū)動回路的等效電路如下圖所示
其中Vg為柵極驅(qū)動板輸出電壓，Ｒg為驅(qū)動電阻，Cin為驅(qū)動板輸出端口電容，Ｒs和Ls分別為驅(qū)動回路寄生電阻和寄生電感。柵極電壓開始上升一段時間后達到閾值電壓，集電極電流開始上升，這個過程也稱之為開通延遲，一般我們表示為td(on)。
基于上述分析可知，柵極電壓在到達閾值電壓之前，輸入電容并不是恒定值，而是有一個由大逐漸變小，再逐步增大的過程。因此，在IGBT 開通過程中，驅(qū)動回路并不是給恒定電容充電。下圖是開通過程柵極電壓上升趨勢
二、IGBT膝電壓
膝電壓是指在IGBT導通狀態(tài)下，集電極與發(fā)射極之間的電壓降，通常以Vce(sat)表示。在IGBT的工作過程中，膝電壓是導通階段IGBT的主要損耗之一，其大小直接影響著器件的效率和性能特點。因此，正確地理解和處理膝電壓是確保IGBT正常工作和提高轉(zhuǎn)換效率的關鍵之一。
膝電壓的大小與多個因素有關。首先是IGBT的設計和制造工藝。采用不同的工藝和材料選擇可能導致不同的膝電壓水平。其次是工作溫度。溫度上升會增加載流子的熱激活能量，減小導電通道的電阻，進而減小膝電壓。此外，由于控制端電流的不足或者IGBT內(nèi)部不均勻的電流分布，也會導致膝電壓的增加。IGBT的膝電壓對其性能和應用有重要影響。首先，膝電壓影響著IGBT的開關速度。在IGBT切換過程中，膝電壓會導致能量損耗，影響開關速度和效率。當膝電壓較高時，即使控制端施加較高的電壓，導通過程仍然存在較大的電阻，導致開關速度變慢。其次，膝電壓對IGBT的損耗和散熱也有直接影響。膝電壓愈高，能耗和損耗也愈大，散熱效果也較差。此外，膝電壓還會影響IGBT的電流承受能力和耐壓能力。為了降低膝電壓，IGBT的制造技術和結構設計都在不斷改進。例如，采用一些高壓大電流IGBT芯片并行的方式，將電流分擔到多個芯片中，從而減小膝電壓和功耗。此外，設計師們還通過改變材料配比、改良導電通道結構等方法來改進IGBT的特性，以降低膝電壓和提高工作效率。
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