常用電子系統(tǒng)轉(zhuǎn)換器故障排除的一般規(guī)則
本文針對(duì)無(wú)法始終按計(jì)劃工作的主要電子系統(tǒng)進(jìn)行故障排除:開(kāi)關(guān)模式、低壓、DC-DC、單相、非隔離、基本降壓轉(zhuǎn)換器電路。
轉(zhuǎn)換器故障排除的一般規(guī)則
排除故障時(shí),重要的是要考慮哪些變量在起作用并減少可能的故障原因的數(shù)量。
以下是一些可以幫助您的指南:
您需要可靠地使系統(tǒng)無(wú)法排除故障。一個(gè)問(wèn)題自己消失了,它自己又回來(lái)了。
一次只改變一件事并注意效果。
如果電路停止工作,詢問(wèn)“發(fā)生了什么變化?”是否有與失敗同時(shí)發(fā)生的事件?
查看故障是否隨轉(zhuǎn)換板、芯片或負(fù)載一起移動(dòng)。
考慮到這些概念,以下是您在設(shè)計(jì) DC-DC 降壓轉(zhuǎn)換器時(shí)可能會(huì)遇到的九個(gè)常見(jiàn)問(wèn)題以及一些可能的原因。

測(cè)量輸出電壓的 10× 探頭。圖片來(lái)源:埃里克·博加廷
問(wèn)題#1:紋波太多
如果您看到太多紋波,則電感可能太低 - 較高的值會(huì)產(chǎn)生較低的紋波,但瞬態(tài)響應(yīng)較慢。
另外,請(qǐng)記住,大電感紋波電流意味著更高的峰值電流和更大的電感飽和可能性,尤其是在高溫下,并且對(duì) FET 造成更大的壓力。
其他問(wèn)題可能是C out太低(沒(méi)有足夠的存儲(chǔ)來(lái)支持輸出)或C out ESR(等效串聯(lián)電阻)太高(導(dǎo)致C out中的 IR 壓降)。
最后,低開(kāi)關(guān)頻率會(huì)導(dǎo)致更多紋波。

使用 10× 探頭測(cè)量噪聲。Eric Bogatin 的“如何測(cè)量開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS) 中的噪聲”的屏幕截圖
問(wèn)題#2:無(wú)法啟動(dòng)
首先,問(wèn)自己這個(gè)問(wèn)題:“啟用”引腳是否正確驅(qū)動(dòng)(或上拉)?電源良好輸出也是如此。
啟動(dòng)失敗可能是因?yàn)槟l(fā)現(xiàn)負(fù)載電容過(guò)大(例如 FPGA),就像短路一樣,觸發(fā)了電流限制。有些芯片具有消隱和軟啟動(dòng)功能來(lái)解決這個(gè)問(wèn)題。
將電流限制點(diǎn)設(shè)置得盡可能高以避免誤報(bào),并與 FPGA 工程師協(xié)商在系統(tǒng)級(jí)別優(yōu)化電容。
最后,確保V輸入不會(huì)下降,并且 UV 鎖定不會(huì)由于輸入下降而激活。
問(wèn)題#3:關(guān)閉時(shí)輸出端存在電壓
如果您的電路確實(shí)關(guān)閉,但您在輸出上看到電壓,則該電壓通常來(lái)自另一個(gè)電源電路。檢查是否存在通往其他活動(dòng)導(dǎo)軌的不明顯路徑。
問(wèn)題#4:監(jiān)管不力
通過(guò)遠(yuǎn)程V輸出檢測(cè),電源路徑歐姆壓降可能會(huì)導(dǎo)致調(diào)節(jié)不良,這可能是由于分配到電路板上過(guò)多負(fù)載的電源軌(單個(gè)電源轉(zhuǎn)換器輸出線)造成的。這就是為什么有時(shí)避免使用多軌轉(zhuǎn)換器 IC (“PMIC”),而是在負(fù)載旁邊使用多個(gè)轉(zhuǎn)換器。
如果您的電壓檢測(cè)引腳有噪音,請(qǐng)保持該引腳的布局整潔,并確保與檢測(cè)信號(hào)相關(guān)的任何電阻器放置在控制器附近。
另一種解釋是您的參考電壓在濾波不足時(shí)可能不穩(wěn)定。
問(wèn)題#5:瞬態(tài)響應(yīng)緩慢
這里的罪魁禍?zhǔn)资强赡苡刑蟮拇笕萘枯敵鲭娙莼蛱蟮碾姼衅鳌?
另一個(gè)問(wèn)題可能是環(huán)路補(bǔ)償不良。如果沒(méi)有合適的設(shè)備,則很難完全表征環(huán)路特性。但即使您沒(méi)有網(wǎng)絡(luò)分析儀,您也可以使用階躍負(fù)載并觀察瞬態(tài)振鈴,它會(huì)以低廉的成本告訴您很多信息。
此外,在開(kāi)發(fā)過(guò)程中,如果設(shè)計(jì)負(fù)載發(fā)生變化,補(bǔ)償通常也必須改變。例如,您是否以設(shè)計(jì)負(fù)載的一半使用工廠評(píng)估模塊?你看到問(wèn)題所在了。
問(wèn)題#6:不穩(wěn)定
C out ESR 可能是不穩(wěn)定的一個(gè)原因,因?yàn)樗诃h(huán)路響應(yīng)中引入了零,這使得增益曲線停止下降并開(kāi)始橫向移動(dòng),從而侵蝕或消除了增益裕度。如果零頻率足夠低,則在相位達(dá)到 180° 之前增益不會(huì)過(guò)零。
較便宜的轉(zhuǎn)換器芯片可能會(huì)進(jìn)行內(nèi)部補(bǔ)償以節(jié)省外部部件,但請(qǐng)確保您的C輸出滿足最小和最大C輸出ESR 范圍,在該范圍內(nèi)它們將保持穩(wěn)定。
不穩(wěn)定的其他解釋可能包括電壓感應(yīng)不良或求和節(jié)點(diǎn)布局或噪聲。
確保使用設(shè)計(jì)軟件生成波特圖并檢查相位和增益裕度,包括溫度范圍。
問(wèn)題#7:效率低下
自舉電容器需要足夠大,以便為高側(cè) FET 柵極提供電荷,否則,該 FET 可能無(wú)法完全導(dǎo)通,然后會(huì)消耗功率。與升壓引腳串聯(lián)的電阻器可用于調(diào)節(jié)開(kāi)啟以控制振鈴。
測(cè)量電源電路效率(尤其是 90% 以上)并非易事,因?yàn)樗枰娏鳒y(cè)量,并且是兩個(gè)功率量的比率。希望您已經(jīng)通過(guò)電子表格工具描述了每個(gè)組件對(duì)損耗的貢獻(xiàn),該工具通常會(huì)告訴您 MOSFET 和電感器電阻(“DCR”或直流電阻)是造成熱量浪費(fèi)的主要因素。

顯示降壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的效率與頻率的關(guān)系圖。該圖取自 Linear Tech/Analog Devices的 LT8610 數(shù)據(jù)表。
問(wèn)題#8:低溫問(wèn)題
請(qǐng)記住,低溫下電解電容的 ESR 會(huì)上升,電容也會(huì)下降。
問(wèn)題 #9:PMBus 問(wèn)題
在共享數(shù)據(jù)通信總線上,確保當(dāng)您不注意時(shí)另一個(gè)節(jié)點(diǎn)不會(huì)間歇性地喋喋不休。
另外,請(qǐng)確保您使用的上拉電阻足夠強(qiáng):47kΩ 上拉電阻(如在 FPGA 中)遠(yuǎn)不如 10kΩ。
結(jié)論
如果您完全不知道該怎么做,請(qǐng)獲取更多數(shù)據(jù),這將為您提供分析、創(chuàng)造想法和促進(jìn)團(tuán)隊(duì)討論的東西。