IGBT的工作原理是什么?IGBT兩類短路保護(hù)了解嗎
在下述的內(nèi)容中,小編將會對IGBT的相關(guān)消息予以報(bào)道,如果IGBT是您想要了解的焦點(diǎn)之一,不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
一、IGBT的工作原理
IGBT是由MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)和BJT(雙極型晶體管)兩個(gè)器件構(gòu)成。它結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn),具備高電壓和高電流開關(guān)能力。IGBT的工作原理可以分為四個(gè)階段:導(dǎo)通、關(guān)斷、過渡和飽和。1. 導(dǎo)通階段:在導(dǎo)通階段,IGBT的門極電壓(V_GS)通過控制電壓源施加,使得MOSFET部分的導(dǎo)電層建立。這導(dǎo)致P型基區(qū)變窄,觸發(fā)NPN晶體管的導(dǎo)通。2. 關(guān)斷階段:當(dāng)控制電壓源斷開時(shí),IGBT進(jìn)入關(guān)斷階段,MOSFET的導(dǎo)電層消失,導(dǎo)致P型基區(qū)變寬,阻斷NPN晶體管的導(dǎo)通。3. 過渡階段:在導(dǎo)通到關(guān)斷或關(guān)斷到導(dǎo)通的過程中,MOSFET和BJT之間會出現(xiàn)瞬態(tài)電流。這種過渡階段的持續(xù)時(shí)間非常短暫,可以忽略不計(jì)。4. 飽和階段:在導(dǎo)通時(shí),當(dāng)IGBT處于飽和狀態(tài)時(shí),BJT處于工作飽和區(qū),MOSFET的導(dǎo)通特性主導(dǎo)電流的流動。在關(guān)斷時(shí),MOSFET工作在堆肯定區(qū),BJT處于截止?fàn)顟B(tài)。
二、IGBT短路保護(hù)
1、一類短路
發(fā)生一類短路時(shí),IGBT的電流會 Vge電壓波形快速上升,當(dāng)電流上升到一定數(shù)值時(shí),(一般為4倍額定電流),IGBT會發(fā)生退飽和現(xiàn)象其標(biāo)志是IGBT的電壓會迅速上升至直流母線電壓。
當(dāng)IGBT退出飽和區(qū)后IGBT的電短路電流波形,流為4倍額定電流(此倍數(shù)與芯片類型有關(guān)),電壓為母線電壓,(外電路的所有電動勢都壓在IGBT上),IGBT芯片的損耗非常大,根據(jù)規(guī)格書,其最多能耐受10us的短路狀態(tài)。驅(qū)動器需要在此時(shí)間內(nèi)把IGBT關(guān)掉,此時(shí)的關(guān)斷是完全安全的。
2、二類短路
發(fā)生二類短路時(shí) 由于回路的電感量稍大,電流爬升的速度慢了一些(比一類短路慢,但實(shí)際還是很快的),門極脈沖打開時(shí),IGBT的Vce下降至飽和壓降,隨著電流進(jìn)一步加大,飽和壓降輕微上升;當(dāng)電流到達(dá)“退飽和點(diǎn)”時(shí),Vce迅速上升至直流母線電壓,我們把Vce上升的過程稱為“退飽和”行為。當(dāng)IGBT退出飽和區(qū)后,其損耗要比未退飽和前高數(shù)百倍,因?yàn)閂ce從幾伏上升至幾百伏,而電流則沒有明顯變化。從退飽和算起,10us內(nèi)必須關(guān)斷IGBT。
另外,還需要注意的是,當(dāng)IGBT電流上升的過程中,Vge也在上升,這是由于米勒效應(yīng),IGBT在短路時(shí),門極電壓有被向上抬升的趨勢。
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