韓國中小半導(dǎo)體企業(yè)轉(zhuǎn)向英偉達(dá)、臺(tái)積電

1月1日消息，據(jù)媒體報(bào)道，韓國的中小型半導(dǎo)體企業(yè)開始跟隨著英偉達(dá)、臺(tái)積電的腳步，進(jìn)行下一代產(chǎn)品量產(chǎn)的發(fā)展與生產(chǎn)。

ZDNet Korea報(bào)道稱，韓國中小型制造業(yè)正在配合英偉達(dá)和臺(tái)積電下一代技術(shù)的引進(jìn)，特別是在英偉達(dá)計(jì)劃于2025年正式發(fā)表的下一代B300 AI芯片。

這款芯片將是英偉達(dá)Blackwell架構(gòu)旗下效能最高的產(chǎn)品，需要新的材料與設(shè)備來配合，促使韓國中小半導(dǎo)體企業(yè)開始緊盯進(jìn)度。

英偉達(dá)B300 AI芯片預(yù)計(jì)將配備12層堆疊的HBM3E內(nèi)存，并以板載形式生產(chǎn)，整合高性能GPU、HBM和其他芯片。

這一變化意味著，如果新的AI芯片改用基板生產(chǎn)模式，舊型的連接界面將會(huì)帶來效能問題，因此GPU和載板之間的穩(wěn)定連接被認(rèn)為是需要克服的瓶頸。

連接介面主要由韓國和中國臺(tái)灣的后端制程組件公司供應(yīng)，這些公司從2024年第四季度起提供新的連接介面產(chǎn)品測(cè)試。

臺(tái)積電也正在升級(jí)CoWoS先進(jìn)封裝，CoWoS將半導(dǎo)體芯片水平放置在基板的硅中介層上，臺(tái)積電用更小中介層CoWoS-L于最新HBM產(chǎn)品。

CoWoS電路測(cè)量采用3D光學(xué)檢測(cè)，布線寬度減至1微米時(shí)，性能限制使測(cè)量困難，臺(tái)積電制定將AFM(原子顯微鏡)用于CoWoS。