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[導讀]脈沖寬度調(diào)制信號發(fā)生器電路通常會使用一個模擬鋸齒波振蕩器功能,但它也可以用于其它應(yīng)用。圖1中是一只廉價的鋸齒波發(fā)生器,它用于頻率可高達10MHz甚至更高的小功率應(yīng)用,

脈沖寬度調(diào)制信號發(fā)生器電路通常會使用一個模擬鋸齒波振蕩器功能,但它也可以用于其它應(yīng)用。圖1中是一只廉價的鋸齒波發(fā)生器,它用于頻率可高達10MHz甚至更高的小功率應(yīng)用,以及那些對斜坡線性度和頻率精度要求不高的應(yīng)用。

電路使用了一只施密特觸發(fā)器作為反相器,接成一個經(jīng)改進的非穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器。輸出波形是時序電容CT上的電壓,它在反相器的上、下閾值電壓之間作斜升變化。以恒壓為RTCT網(wǎng)絡(luò)充電的結(jié)果就產(chǎn)生了斜坡,因此其響應(yīng)是指數(shù)型的,只有在指數(shù)上升的初期才接近于線性。

圖1,可以使用CT斜坡的充電與快速放電來產(chǎn)生一個鋸齒波。施密特觸發(fā)器的上、下觸發(fā)點電壓限制了鋸齒波。VCC、CT和RT值見正文。


提高線性度的一個簡單技巧是:用較大的電壓源為RTCT網(wǎng)絡(luò)充電。電容C1的值至少是CT的10倍以上,它用作一個電荷泵。在鋸齒波下降沿上,柵極輸出為低時,電容C1通過二極管D1快速充電至VCC減去D1的正向電壓。同時,CT則快速地通過D2放電。


當CT電壓的下降達到施密特觸發(fā)器的下觸發(fā)點時,柵極輸出VT-返回為高。C1上的電荷使D1的負極電壓等于電容C1電壓與柵極高輸出電壓之和。D1成為反偏,而隨著柵極的高輸出電壓,RTCT網(wǎng)絡(luò)開始充電到C1上的電壓。當CT達到施密特觸發(fā)器的上觸發(fā)點時,柵極的輸出VT+回到低,如此循環(huán)重復。


斜坡線性度與VCC與V DD電源電壓之和成正比。因為VDD固定為5V,如果VCC可以確定一個高于反相器的值,則可以提高斜坡的線性度。用下式可以估計斜坡的非線性誤差:


分比,MI是斜坡的初始斜率,而MF則是斜坡的最終斜率,且

用CT=100pF和RT=2.2kΩ做電路的模擬,并認可上式理論計算的值,就可以得到當VCC和VDD均為5V時,斜坡的非線性誤差為28%;而當VCC為1 0 V , V D D為5 V時,誤差為18%;VCC為15V,VDD為5V時,誤差為14%。


面包板電路有VDD=V C C=5 V ,CT=100pF,以及RT=2.2kΩ。IC1是一個標準的雙列8 腳74HC14 , 其最大傳輸延遲為15ns,而VDD為5V的SN74LVC1G14反相器的延遲則為4.4ns。頻率約為12.7MHz。


CT應(yīng)為低泄漏薄膜電容,要選擇較小的值,以減少大能量的充放電。選擇的CT值要足夠大,高于柵極輸入電容與多余的雜散電容,這樣才不會帶來明顯的誤差。選擇RT時要選足夠小的值,這樣負載阻抗、柵極輸入以及雜散電容就不會帶來明顯的誤差??梢圆捎萌魏蜟MOS施密特觸發(fā)器反相器來測試電路。但為了提高頻率精度,應(yīng)采用有低傳播延遲和大輸出電流的高速邏輯系列,如德州儀器公司的單柵極SN74LVC1G14。


在使用前述公式時,應(yīng)從待測電路直接測量觸發(fā)閾值電壓,尤其是VT-。CT通過一個有限傳播延遲反相器對地快速放電,會使斜坡的低限復位到低于下閾值VT-。如果使用VT-的測量值,它考慮了這種效應(yīng),就可以補償所產(chǎn)生的誤差。

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