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為電池供電的低壓降穩(wěn)壓器(LDO)如何選擇輸出電容
精心選擇如鉭電容這樣的無源元件，可以提升便攜式設(shè)備內(nèi)充電器控制和儲(chǔ)能系統(tǒng)的整體性能。
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三端電容器簡述-完善普通MLCC性能
三端電容是一種特殊結(jié)構(gòu)的電容器，它與普通電容器的區(qū)別在于，它有三根引線，其中一個(gè)電極上有兩根引線。這樣一個(gè)微小的改變，卻使電容器的濾波效果發(fā)生了很大的改善。
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TVS在電路中具有舉足輕重的地位，如何選型？
TVS在電路中具有舉足輕重的地位，但針對TVS的選型過程，很多廠家都是直接給推薦電路，直接告訴設(shè)計(jì)者答案“你應(yīng)該選擇哪個(gè)器件”，卻很少對選型過程提供理論計(jì)算。
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兩項(xiàng)常見電應(yīng)力測試中TVS二極管靜電和浪涌作用
兩項(xiàng)常見的電應(yīng)力測試，靜電和浪涌，本節(jié)開始介紹應(yīng)對這兩項(xiàng)測試的無源保護(hù)器件TVS，有源器件保護(hù)器件請?zhí)D(zhuǎn)查看防護(hù)器件系列。
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示波器測量串口波特率方法介紹
測量時(shí)選擇的耦合方式為直流，邊沿類型為下降沿，所測串口的電平為TTL 電平，該電平的串口在不傳輸數(shù)據(jù)時(shí)電平為高，靠拉低判斷起始位。
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PCB板設(shè)計(jì)過程中如何進(jìn)行EMC分析
世界上只有兩種電子工程師：經(jīng)歷過電磁干擾的和沒有經(jīng)歷過電磁干擾的。伴隨著PCB信號(hào)頻率的提升，電磁兼容設(shè)計(jì)是我們電子工程師不得不考慮的問題。
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光耦在開關(guān)電源中電路設(shè)計(jì)時(shí)，必須遵循哪些原則？
廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。它可以隔離控制信號(hào)與被控信號(hào)，起到保護(hù)電路的作用，同時(shí)還具有隔離電氣噪聲、防止電氣干擾等作用。
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光耦作為一種光電轉(zhuǎn)換器件，為什么廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中
光耦作為一種光電轉(zhuǎn)換器件，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。它可以隔離控制信號(hào)與被控信號(hào)，起到保護(hù)電路的作用，同時(shí)還具有隔離電氣噪聲、防止電氣干擾等作用。
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常用比較器電路圖和傳輸特性曲線
電壓比較器是一種電子電路，用于比較兩個(gè)輸入電壓的大小關(guān)系，并根據(jù)比較結(jié)果輸出高電平或低電平信號(hào)。它通常由電源、兩個(gè)輸入端(一個(gè)為參考輸入端，另一個(gè)為信號(hào)輸入端)和一個(gè)輸出端組成。
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MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)不過如此，不信看設(shè)計(jì)實(shí)例
本文中，小編將對MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)予以介紹，如果你想對它的詳細(xì)情況有所認(rèn)識(shí)，或者想要增進(jìn)對它的了解程度，不妨請看以下內(nèi)容哦。
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基于NMOS管、PMOS管，如何制作一款開關(guān)控制電路？
以下內(nèi)容中，小編將基于NMOS管和PMOS管制作一款開關(guān)控制電路，希望本文能幫您增進(jìn)對NMOS管和PMOS管以及開關(guān)控制電路的了解，和小編一起來看看吧。
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如何構(gòu)建可編程振蕩器將更加簡單可行？有方案了！
可編程振蕩器構(gòu)建方法將是本文的主要介紹內(nèi)容，通過這篇文章，小編希望大家可以對可編程振蕩器構(gòu)建方法的相關(guān)情況以及信息有所認(rèn)識(shí)和了解，詳細(xì)內(nèi)容如下。
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運(yùn)算放大器得力助將：跨越失真電源的晶體管設(shè)計(jì)
在這篇文章中，小編將對運(yùn)算放大器需具備的真正跨越失真電源的晶體管設(shè)計(jì)予以介紹，和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。
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下篇：基于FIFO實(shí)現(xiàn)超聲測厚系統(tǒng) - 時(shí)序設(shè)計(jì)
上篇文章中，小編對基于FIFO實(shí)現(xiàn)超聲測厚系統(tǒng)的硬件選擇和接口設(shè)計(jì)有所介紹。在這篇文章中，我們接著來看該系統(tǒng)的時(shí)序設(shè)計(jì)。
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上篇：基于FIFO實(shí)現(xiàn)超聲測厚系統(tǒng) - 接口設(shè)計(jì)
在下述的內(nèi)容中，小編將基于用FIFO實(shí)現(xiàn)超聲測厚系統(tǒng)A/D與ARM接口設(shè)計(jì)。如果這是您想要了解的內(nèi)容之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
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