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[導(dǎo)讀]針對(duì)傳統(tǒng)欠壓鎖定電路功耗大、閾值電壓高的缺點(diǎn),提出了一種低電壓低靜態(tài)功耗快速響應(yīng)欠壓鎖定電路。

在DC-DC電源管理芯片中,電壓的穩(wěn)定尤為重要,因此需要在芯片內(nèi)部集成欠壓鎖定電路來(lái)提高電源的可靠性和安全性。對(duì)于其它的集成電路,為提高電路的可靠性和穩(wěn)定性,欠壓鎖定電路同樣十分重要。
傳統(tǒng)的欠壓鎖定電路要求簡(jiǎn)單、實(shí)用,但忽略了欠壓鎖定電路的功耗,使系統(tǒng)在正常工作時(shí),仍然有較大的靜態(tài)功耗,這樣就降低了電源的效率,并且無(wú)效的功耗增加了芯片散熱系統(tǒng)的負(fù)擔(dān),影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
基于傳統(tǒng)的欠壓鎖定電路,本文提出一種CMOS工藝下的低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路,并通過(guò)HSPICE仿真。此電路可以在1.5V~6V的電源電壓范圍下工作,閾值可調(diào),翻轉(zhuǎn)速度很快。電源電壓正常工作時(shí),此電路的靜態(tài)功耗可低于2μW。此電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝實(shí)現(xiàn)容易,可用于由電池供電的電源管理芯片或便攜設(shè)備中作欠壓保護(hù)電路。
1 欠壓鎖定電路工作原理
欠壓鎖定電路的基本原理圖如圖1所示。電路包括電壓采樣電路、比較器、輸出緩沖器和反饋回路。VCC為待檢測(cè)的電源電壓,電阻R2、R3、R4組成VCC的分壓采樣電路,實(shí)現(xiàn)對(duì)VCC的采樣;NMOS開(kāi)關(guān)管MN1和電阻R1構(gòu)成比較器,對(duì)采樣電壓和MN1的VTH 進(jìn)行比較,并輸出比較結(jié)果;反向器INV1和INV2組成緩沖器電路,可對(duì)比較器的輸出波形進(jìn)行整形和緩沖,提高電路的負(fù)載能力;PMOS開(kāi)關(guān)管MP1構(gòu)成正反饋回路,可以實(shí)現(xiàn)電路的遲滯功能,防止電路在VCC的閾值附近振蕩,增加系統(tǒng)的穩(wěn)定性。調(diào)整R2、R3、R4的大小可實(shí)現(xiàn)不同閾值和遲滯量的VCC欠壓保護(hù)。


欠壓鎖定電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,工作電壓范圍寬,適應(yīng)性強(qiáng),且無(wú)需額外的基準(zhǔn)電壓[2],因此有著廣泛的應(yīng)用。電路正常工作時(shí),MN1導(dǎo)通,流過(guò)R1的電流I1作為比較器的灌電流,全部流經(jīng)MN1到地。為使電路性能可靠,有較好的響應(yīng)速度,電流I1通常需5μA~10μA。靜態(tài)時(shí)該電流為無(wú)效用電流,增加了系統(tǒng)的功耗,浪費(fèi)了電源的能量,對(duì)系統(tǒng)的效率、散熱及穩(wěn)定性產(chǎn)生了不好的影響,并且其響應(yīng)速度也不夠快。如果用增大R1的阻值減小電流I1的大小,雖然可以降低功耗,但減慢了電路的響應(yīng)速度,并嚴(yán)重影響了電路的穩(wěn)定性,因此需要對(duì)該電路作進(jìn)一步的改進(jìn)。
2 改進(jìn)的電路
改進(jìn)的電路如圖2所示,電路結(jié)構(gòu)由采樣、先導(dǎo)控制、比較器、遲滯反饋回路、加速響應(yīng)電路、緩沖器六部分構(gòu)成。電阻R1、R2、R3、R4構(gòu)成分壓電阻網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)對(duì)VCC的采樣;MN1、R5、INV1組成先導(dǎo)控制電路,實(shí)現(xiàn)對(duì)比較器灌電流的控制;MN2、R6、MP2組成比較器,實(shí)現(xiàn)采樣電壓與MN2的VTH比較;MP1構(gòu)成正反饋回路,可實(shí)現(xiàn)VCC的遲滯功能;INV2、MP3、R7構(gòu)成正反饋回路,可加速比較器的翻轉(zhuǎn),從而提高電路的響應(yīng)速度;SCHMITT觸發(fā)器和INV3是緩沖電路,對(duì)比較器的輸出波形進(jìn)行緩沖和整形,SCHMITT觸發(fā)器的結(jié)構(gòu)如圖3所示,其工作原理詳見(jiàn)參考文獻(xiàn)[3];另外,電容C1起濾波和儲(chǔ)能作用。

 

 

 

 


本電路通過(guò)低功耗的先導(dǎo)控制電路控制電流較大的比較器的灌電流,使比較器只有在狀態(tài)發(fā)生翻轉(zhuǎn)時(shí)有微弱的電流流過(guò)MN2。在其余時(shí)間,無(wú)論比較器是輸出高電平還是低電平,都沒(méi)有電流流過(guò)MN2,也就是說(shuō)使電路無(wú)論是在正常工作狀態(tài)還是在欠壓鎖定狀態(tài),比較器都不消耗功率,這樣就可以把電路的靜態(tài)功耗降到最低。為了加快比較器的翻轉(zhuǎn)速度,可通過(guò)先導(dǎo)控制電路和加速響應(yīng)電路來(lái)實(shí)現(xiàn)。在VCC電壓升高過(guò)程中,當(dāng)電壓較低時(shí),由于MN1、MN2截止,D電位處于高電位,可通過(guò)先導(dǎo)控制電路使MP2導(dǎo)通,同時(shí)MP3也導(dǎo)通,給電容C1充電,使G點(diǎn)的電壓等于VCC,使輸出端為高電平,電路處于欠壓鎖定狀態(tài);隨著VCC電壓升高,由于B點(diǎn)的電壓高于C點(diǎn)的電壓,使MN1比MN2先導(dǎo)通,先導(dǎo)控制電路使MP2截止,使比較器的灌電流消失,此時(shí)由于電容C1沒(méi)有放電回路,使G點(diǎn)保持高電平,電路仍處于欠壓鎖定狀態(tài);當(dāng)VCC進(jìn)一步上升使C點(diǎn)的電壓高于MN2的閾值時(shí),MN2導(dǎo)通,由于沒(méi)有灌電流的作用,MN2迅速給C1放電,使G點(diǎn)電壓迅速下降到0V,電路解除欠壓鎖定,進(jìn)入正常工作狀態(tài),此時(shí)MP1導(dǎo)通,R1被短接。此后VCC繼續(xù)升高,先導(dǎo)控制電路使MP2保持截止?fàn)顟B(tài),使電路保持在正常工作狀態(tài)。由于比較器中沒(méi)有灌電流,比較器的靜態(tài)功耗為零。因此VCC電壓在上升過(guò)程中,其閾值為:

 


在VCC電壓下降使電路由正常工作狀態(tài)轉(zhuǎn)為欠壓鎖定狀態(tài)的過(guò)程中,由于MN2截止之后的很短時(shí)間內(nèi),MN1仍然導(dǎo)通,使MP2仍處于截止?fàn)顟B(tài),電容C1無(wú)放電回路, G點(diǎn)仍處于低電平,電路仍處于正常工作狀態(tài),此時(shí),比較器的靜態(tài)功耗也為零;此后MN1截止,使MP1導(dǎo)通,MN2仍處于截止,由于灌電流的作用,使G點(diǎn)電壓高,通過(guò)INV2、MP3、R7的正反饋?zhàn)饔?,使MP3導(dǎo)通,由于R7阻值較小,使流過(guò)MP3、R7的電流較大,G點(diǎn)電壓迅速提升到VCC,電路進(jìn)入欠壓鎖定狀態(tài);此后,MN2截止,使電路保持欠壓鎖定狀態(tài),由于比較器中沒(méi)有電流流過(guò)MN2,因此比較器基本上無(wú)靜態(tài)功耗。因此VCC電壓在下降過(guò)程中,其閾值為:

如圖2所示,改變電阻R3的大小,可以調(diào)整MN1和MN2導(dǎo)通和截止的時(shí)間次序。為了降低R5、MN1的功耗,應(yīng)增大R5的阻值,減小MN1的W/L,使流過(guò)MN1和R5的電流很小。為了減小MN1和MN2制造工藝的不匹配問(wèn)題,要求MN2由若干個(gè)與MN1相同的NMOS管并聯(lián)構(gòu)成。
3 HSPICE仿真結(jié)果與分析
根據(jù)上面的計(jì)算結(jié)果,采用0.6μm工藝模型,利用Hspice 對(duì)電路進(jìn)行模擬仿真。在模擬仿真過(guò)程中,各器件的參數(shù)有調(diào)整。在仿真時(shí),分別增大和減小電源電壓進(jìn)行DC掃描,輸出端的波形如圖4所示,電路的總功耗如圖5所示。

 


從圖4的仿真的波形中可以看出:當(dāng)增大電源電壓時(shí),電壓低于1.7V為欠壓鎖定;當(dāng)減小電源電壓時(shí),電壓低于1.65V為欠壓鎖定。仍可進(jìn)一步調(diào)整參數(shù),以改變電源電壓欠壓閾值。
從圖5的仿真波形中可以看出:當(dāng)VCC的電壓正常時(shí),電路的總功耗隨著VCC的升高而增大,當(dāng)VCC=2.7V時(shí),總功耗約為2μW,可見(jiàn)電路的靜態(tài)功耗很低。
本電路采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝,通過(guò)先導(dǎo)控制技術(shù)和加速響應(yīng)回路成功地實(shí)現(xiàn)了欠壓鎖定電路的快速響應(yīng)和低靜態(tài)功耗的功能,解決了電路在低功耗和快速響應(yīng)之間的矛盾,可適應(yīng)1.5V~6V的電源電壓工作范圍,且閾值電壓可調(diào),在低電壓低功耗IC集成電路芯片中,有較大的應(yīng)用價(jià)值?!?BR>參考文獻(xiàn)
[1] PAUL L.B,ALLEN.Supply independent low quiescent current undervoltage lockout circuit[P].United states patent:US6842321B2,Jan 11,2005.
[2] ALLEN  P E.CMOS Analog circuit design(2nd ed)[M].Beijing:Publishing house of electronic Industry,2002.
[3] 康華光.電子技術(shù)基礎(chǔ)(第四版)[M].北京:高等教育出版社,2001,367~369.

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