TI 推出的 THS1041 是一款 10 位、40-MSPS、CMOS 高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC)。該轉(zhuǎn)換器具有諸多優(yōu)異的特性,其中包括:單節(jié) 3-V 電源、低功耗、靈活的輸入結構、內(nèi)置可編程增益放大器 (PGA) 以及內(nèi)置鉗位功能。由于上述這些特性(特別是內(nèi)置的鉗位功能),多年來 THS1041 已在各種應用中得到廣泛使用。鉗位功能可以使該器件能夠生成并輸出一個針對靈活 ADC 應用的緩沖 DC 電壓,例如,為 ADC 提供一個共模電壓或允許 ADC 模擬輸入端 AC 耦合視頻信號上的 DC 恢復,這一功能可被啟用或禁用。如圖 1 所示,THS1041 的鉗位功能由一個片上數(shù)模轉(zhuǎn)換器 (DAC)、邏輯控制、一個鉗位輸入端、一個緩沖器以及一個鉗位輸出端組成。根據(jù)其 Clamp 引腳是否從外部源接收到了一個 DC 或脈沖信號,該鉗位輸出可以是一個連續(xù)的或非連續(xù)的 DC 信號。當該非連續(xù)的 DC 信號被施加到ADC 單端 (SE) 輸入電路以提供共模電壓時,ADC 模擬輸入端的 DC 穩(wěn)定性就成為我們所擔心的問題了。當鉗位功能和 SE 輸入結構被同時使用時,有些用戶就開始懷疑 DC 穩(wěn)定性問題了。本文展示了一些測試數(shù)據(jù),這些數(shù)據(jù)解釋說明了在這種應用條件下 DC 電壓如何運轉(zhuǎn)以及當鉗位功能開啟時如何獲得高佳的 ADC 性能。
鉗位功能
如圖 1 所示,THS1041 的鉗位功能是通過設置 4 個引腳(Clampin 引腳、Clampout 引腳、Clamp 引腳和 Mode 引腳)以及該器件的內(nèi)部寄存器實施的。憑借片上 DAC,就可以將來自 THS1041 內(nèi)部寄存器的由數(shù)據(jù)總線 b0~b9 書寫的數(shù)字數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成一個模擬 DC 電壓,然后該電壓將被緩沖并通過內(nèi)部開關輸出到 Clampout 引腳。緩沖器和 DAC 之間的內(nèi)部開關可以根據(jù)寄存器的設置方式進行開啟或關閉。該 DAC 可提供電壓范圍介于參考電壓 REFT 和 REFB 之間的不同的 DC 電壓,以滿足不同的應用要求。設置 Mode 引腳不同的電壓電平將允許內(nèi)部緩沖器輸入端與一個內(nèi)部固定的 DC 電壓相連,或與 一個外部 DC 電壓輸入端的 Clampin 引腳相連。Clampout 引腳通過控制 Clamp 引腳上的 DC 信號或脈沖信號可以和鉗位功能的緩沖器輸出端連接或斷開。通過一個 ADC 差動輸入或 SE 輸入結構,THS1041 的鉗位功能可以被開啟。其來自 Clampout 引腳的輸出可以被連接至兩個模擬輸入端 AIN+ 和 AIN– 以提供共模電壓或僅連接至其他應用其中的一個輸入端。
圖 1 THS1041 鉗位功能結構圖
圖 2 顯示了 SE 輸入端具有鉗位功能的 THS1041 的基本結構。將 Mode 引腳設置為 AVDD/2 可使該器件進入一個內(nèi)部參考模式;且 Clampout 引腳的 DC 電壓來自 Clampin 引腳,而不是來自內(nèi)部 DAC。鉗位功能的輸出端 Clampout 被連接至 AIN+,此外該輸出端還通過鉗位脈沖控制應用的一個小電阻器 R 被連接至電容器 C2。電容器 C2 不但用于當 Clampout 在鉗位脈沖間隔期間被內(nèi)部斷開時保持 DC 電壓,而且還用于耦合從源到 AIN+ 的AC 信號。另一個 ADC 模擬輸入端 AIN- 被連接到一個外部 DC 源,而且對于正常運行而言應具有和 AIN+ 相同的 DC 電壓。Clamp 引腳將控制 Clampout 和緩沖器輸出端之間的內(nèi)部開關。當 Clamp 為高電平邏輯時,Clampout 就被內(nèi)部連接至緩沖器輸出端;當 Clamp 為低電平邏輯時,Clampout 就和緩沖器輸出端斷開。
圖 2 THS1041 的鉗位模式結構
利用鉗位 DC 控制功能測試 DC 行為
鉗位 DC 控制就是在 Clamp 引腳施加一個 DC 信號以控制 Clampout 引腳的內(nèi)部緩沖器接入。為了了解當鉗位功能開啟時 AIN+ 和 AIN- 端的 DC 行為,我們將兩個不同的 DC 電壓施加到 AIN+ 和 AIN-,并且對 Clamp 端的邏輯電平進行手動控制。根據(jù)圖 2 中的結構,Clampin 端的 V2 被設置為 1.5V,AIN- 端的 V1 被設置為 1V,C2 為 0.6μF 且 R 為 10Ω。在這種情況下,我們沒有將 AC 信號施加到模擬輸入端 AIN+。ADC 時鐘將以 40MHz 運行。當 Clamp 被手動設置為高邏輯電平 (3VDC) 時,AIN+ 將穩(wěn)定在 1.5V;當 Clamp 被手動設置為低邏輯電平 (0VDC) 時,AIN+ 將穩(wěn)定在 1V。換句話就是說,當 Clamp 引腳為高邏輯電平時,AIN+ 端的電壓將由內(nèi)部緩沖器驅(qū)動;當 Clamp 引腳為低邏輯電平時,AIN+ 將與緩沖器斷開,且其電壓將向 AIN- 端的電壓漂移。另外,如果 AIN- 正在浮動,那么 AIN- 端的電壓將追隨 AIN+ 端的電壓。在 AIN+ 和 AIN- 端的電壓源被斷開以后,他們二者的 DC 電壓將向著對方彼此相互漂移,這是因為在多個時鐘周期以后的保持階段在 ADC 采樣與保持電路的采樣電容之間發(fā)生了顯著的內(nèi)部充電或放電。測試數(shù)據(jù)如表 1 和表 2 所示。
表 1 當時鐘處于激活狀態(tài)且 AIN- 被連接至 DC 電源時的模擬輸入 DC 電壓
鉗位邏輯 | Clampin(連接至 DC 電源時)(V) | AIN-(連接至 DC 電源時)(V) | AIN+(根據(jù) Clamp 邏輯充電或放電后)(V) |
低 | 1.5 | 1 | 1 |
高 | 1.5 | 1 | 1.5 |
低 | 1.5 | 1 | 1 |
表 2 當時鐘處于激活狀態(tài)且 AIN- 正在浮動時的模擬輸入 DC 電壓
鉗位邏輯 | Clampin(連接至 DC 電源時)(V) | AIN-(充電或放電后)(V) | AIN+(根據(jù) Clamp 邏輯充電或放電后)(V) |
低 | 1.5 | 0 | 0 |
高 | 1.5 | 1.5 | 1.5 |
低 | 1.5 | 0 | 0 |
表 1 和表 2 中的測試數(shù)據(jù)(該數(shù)據(jù)是在 ADC 時鐘被激活的情況下測量得出的)顯示將模擬輸入引腳與源斷開會使其 DC 電壓相互影響;當 ADC 時鐘處于非激活狀態(tài)時,AIN+ 和 AIN- 端的 DC 電壓不會相互影響(請參見表 3 和表 4)。此外,雖然使用 C2 與否都不會影響 DC 電壓測試結果,但是確實會影響 AIN+ 端電壓變化的轉(zhuǎn)換時間。
表 3 當時鐘處于非激活狀態(tài)時的模擬輸入 DC 電壓
鉗位邏輯 | Clampin(連接至 DC 電源時)(V) | AIN-(連接至 DC 電源時)(V) | AIN+(根據(jù) Clamp 邏輯充電或放電后)(V) |
低 | 1.5 | 1 | 0 |
高 | 1.5 | 1 | 1.5 |
低 | 1.5 | 1 | 0* |
*慢慢放電
表 4當時鐘處于非激活狀態(tài)且 AIN- 正在浮動時的模擬輸入 DC 電壓
鉗位邏輯 | Clampin(連接至 DC 電源時)(V) | AIN-(充電或放電后)(V) | AIN+(充電或放電后)(V) |
低 | 1.5 | 0 | 0 |
高 | 1.5 | 0 | 1.5 |
低 | 1.5 | 0 | 0* |
*慢慢放電
利用鉗位脈沖控制功能測試 DC 行為
鉗位脈沖控制就是在 Clamp 引腳處施加一個脈沖信號以控制 Clampout 引腳的內(nèi)部緩沖器接入。為了觀察 THS1041 模擬輸入端的 DC 行為,我們將一個脈沖信號而非一個 DC 信號施加到具有 16kHz 和 6% 占空比的 Clamp 引腳(請參見圖 2)。與之前的測試相類似,將去耦電源的 1V 固定 DC 電壓施加到 Clampin,并將一個可變 DC 電壓施加到 AIN-。在這種情況下,在脈沖鉗位期間,AIN+ 被內(nèi)部緩沖器驅(qū)動至 1V,并且當 AIN- 為 1V 時,在鉗位脈沖間隔期間,電容器 C2 很好地保持了該電平。電容 C2 必須要足夠大且鉗位脈沖間隔要足夠小以使 AIN+ 端的 DC 電壓與 Clampin端的 DC 電壓保持一致。但是,如果 AIN- 端的 DC 偏移與 AIN+ 端的 DC 偏移設置的不一樣,那么 DC 信號就出現(xiàn)失真。如前所述,當一個引腳或另一個引腳正在浮動時,模擬輸入引腳處的 DC 電壓就會發(fā)生漂移。利用鉗位脈沖控制進行的測試進一步證明了這一表述。在將一個脈沖施加到 Clamp 引腳時,DC 漂移表現(xiàn)為一個電壓峰值,這一現(xiàn)象是通過圖 3 所示的示波器觀察到的。
圖 3 峰值可出現(xiàn)在 AIN+ 端(AIN– 端上具有 DC 電壓)
該峰值周期性地出現(xiàn)在鉗位脈沖頻率時的 AIN+ 端,且其幅度會隨著模擬輸入引腳間 DC 壓差的增加而增加。測試數(shù)據(jù)顯示,當 Clampin 被連接到一個 1V 電源且 AIN- 被連接到一個 0.5V 電源時,在鉗位脈沖邏輯高電平和邏輯低電平期間 AIN+ 端的 DC 測量值為 1V。AIN+ 端的 AC 測量值為大約 20 mV 的正峰值,并且會在鉗位脈沖從低到高的轉(zhuǎn)換時出現(xiàn)。當 AIN- 被連接到一個 1.5V 電源且 Clampin 仍然被連接到一個 1V 電源時,AIN+ 端的 DC 測量值為 1V。AIN+ 端的 DC 測量值是一個大約為 30mV 的負峰值,并且會在鉗位脈沖從低到高的轉(zhuǎn)換時出現(xiàn)。當 AIN– 被連接到一個 1V 電源(與 AIN+ 端的 DC 電壓相等)時,就會出現(xiàn)該峰值且 AIN+ 端的 1V DC 電壓平滑穩(wěn)定。
更多的測試顯示,當鉗位脈沖的占空比變高時,峰值就會變小。在 Clampout 引腳處添加一個電容器 C3 將會大大限制該峰值。
鉗位脈沖控制條件下的 THS1041 AC 性能
模擬輸入端 AIN+ 處的峰值會降低 THS1041 的 AC 性能(請參見圖 4 和圖5)。圖 4 和圖 5 均為在鉗位脈沖控制和模擬輸入引腳上不同 DC 電壓條件時 THS1041 的 FFT 圖。該 FFT 圖是由 Labview FFT 程序根據(jù) HP1600 邏輯分析器從 THS1041 EVM 采集的數(shù)據(jù)生成的。EVM 模擬輸入端的測試信號為一個 2.2-MHz 的正弦波,振幅為 –20 dBFS(即低于 ADC 滿量程 20 dB)。該測試信號由一個 HP8644 正弦波生成器生成,并通過一個板上變壓器由 THS1041 SE 輸入端完成接收(本測試 EVM 板詳盡的設置工作將在本文的后面討論)。由 HP8644 觸發(fā)的脈沖生成器將以 40 MHz 運行 THS1041 輸入時鐘。鉗位脈沖由具有 15.6 kHz 頻率和 50% 占空比的脈沖生成器生成。
圖 4 鉗位模式下 THS1041 的 FFT,模擬輸入引腳之間的 DC 壓差為 0.5V
圖 5 鉗位模式下 THS1041 的 FFT,模擬輸入引腳之間的 DC 壓差為 0V
在時域中,峰值周期性地出現(xiàn)在圖 3 所示的鉗位脈沖頻率上。在頻率域中,峰值出現(xiàn)在 FFT 上的 15.6 kHz 頻率處(頻率軸的低端)。當模擬輸入引腳上的 DC 壓差為 0.5V(AIN+ 為 1 V,而 AIN– 為 0.5 V)時,15.6 kHz 頻率時的峰值為 –67 dBFS,這是 FFT 中最大的峰值(請參見圖 4)。該峰值要比 FFT 上的任何諧波都要高許多,并且有利于實現(xiàn)較低值的無雜散動態(tài)范圍 (SFDR)。 當壓差為 0V(AIN+ 和 AIN– 均為 1 V)時,相同頻率時的峰值為 –82 dBFS, 提高了 15-dB(請參見圖 5)。該峰值不但低于二階和三階諧波,而且還低于總諧波失真 (THD)。
圖 4 和圖 5 顯示:隨著 AIN+ 和 AIN– 之間的 DC 壓差增加到一定的水平, 如果輸入模擬信號小,SFDR 則會下降并且會變得比 THD 更為糟糕。如果 Clampout 處的去耦電容 C3(請參見圖 2)不夠大的話,尤為如此。在這些測試結果的基礎上,我們利用 Clampout 處不同的去耦電容進行了進一步的測試。 由于一個 –21dBFS(低于 THS1041 2V 滿量程輸入 21 dB)模擬輸入振幅、一個 0.4 μF 的 C3 值以及 AIN+ 和 AIN– 之間一個 0.5 V 的 DC 壓差, SFDR 比 THD 要低大約 16 dB。在相同 C3 值的情況下,當 AIN+ 和 AIN– 之間的 DC 壓差降至 0V 時 SFDR 要比 THD 低 3 dB。 如果 C3 被增加至 1.4 μF,那么包括 SFDR、THD 以及信噪比 (SNR) 在內(nèi)的整體 AC 性能就會大大提高。因此,當 AIN+ 和 AIN– 之間的 DC 壓差為 0V 時 SFDR 要比 THD 高大約 5 dB,且當 AIN+ 和 AIN– 之間的 DC 壓差為 0.5V 時 SFDR 要比 THD 低大約 6 dB。該測試數(shù)據(jù)如表 5 所示。
表 5 不同 C3 值以及 AIN- 處不同 DC 電壓時(鉗位脈沖處于開啟狀態(tài)且模擬輸入為 -21dBFS)的 THS1041 AC 性能
AIN+ (V) | AIN- (V) | 相對于 THD 的 SFDB (C3=0.4μF) (dB) | 相對于 THD 的 SFDB (C3=1.4μF) (dB) |
1 | 0.5 | -16 | -6 |
1 | 1 | -3 | 5 |
1 | 1.5 | -17 | -5 |
該測試數(shù)據(jù)顯示:AIN+ 和 AIN– 之間的 DC 壓差不僅可導致模擬輸入端的一個峰值,而且還會導致過早的輸出飽和,從而降低最大的模擬輸入振幅。例如, 當 AIN+ 和 AIN– 之間的 DC 壓差為 0.5V 時(AIN+ 為 1 V),最大模擬輸入振幅就必須要低于滿量程 20 dB 以避免輸出飽和。當 AIN+ 和 AIN– 之間的 DC 壓差為 0.3V 時(AIN+ 為 1 V),最大模擬輸入振幅就要低于滿量程 3.5 dB。因此 AIN+ 端和 AIN– 端的 DC 電壓應相同以保持最佳的 AC 性能和規(guī)定的最大輸入振幅。
該測試數(shù)據(jù)還顯示:隨著最大模擬輸入振幅的降低,THS1041 似乎可以容許在 AIN+ 和 AIN– 之間有一個小的 DC 壓差以保持規(guī)定的 AC 性能(請參見表 6)。 在此測試中,模擬輸入正弦波為 2.2 MHz(1.4 V 峰至峰),低于 THS1041 滿量程 3.5 dB。采樣速率為 40 MHz,鉗位脈沖為 16 kHz(6% 占空比),模擬輸入端的 DC 壓差為 0.3 V(AIN+ 為 1 V,AIN– 為 0.7 V)。因此,AC 性能仍符合規(guī)范的要求——SNR 為 59 dBFS,SFDR 為 70 dBc 以及 THD 為 64 dBc。
表 6 SE 輸入、鉗位脈沖控制以及模擬輸入端 0.3V DC 壓差時的 THS1041 AC 性能
AIN+ DC 電壓(V) | AIN- DC 電壓 (V) | SNR (dBFS) | SFDR (dBc) | THD (dBc) | 輸入振幅 (dBFS) |
1 | 0.7 | 59 | 70 | 64 | -3.5 |
測試設置條件
該 AC 性能測試是基于 THS1041 EVM 板得出的,EVM 原理圖請參見參考書目 2。EVM 的基本 SE 結構與圖 2 中的基本 SE 結構相類似——C2 為 0.6 μF,C3 為 1.4 μF,AIN– 端的 DC 源與一個 3.3-V 電源斷開。在 EVM 板上,對于 SE 輸入端而言,T1(變壓器)的引腳 1 是開放的,且 J2 為模擬輸入。引腳 1~2 的跳線在 W1 和 W2 處為開啟狀態(tài),引腳 1~2 的跳線在 SJP6 處為關閉狀態(tài),且引腳 1~2 的跳線在 SJP2 和 SJP1 處為開啟狀態(tài)。
結論
為了保持 THS1041 最大的輸入范圍和最佳的 AC 性能,施加到模擬輸入端 AIN+ 和 AIN- 的共模電壓應滿足產(chǎn)品說明書中的要求,且施加到 AIN- 的 DC 電壓應與具有一個 SE 輸入結構的 AIN+ 的 DC 電壓相等。當鉗位功能處于開啟狀態(tài)且有一個脈沖信號被施加到 Clamp 時,在 AIN+ 和 AIN– 端施加不同的 DC 電壓會導致在模擬輸入端出現(xiàn)一個峰值。模擬輸入端 AIN+ 和 AIN- 之間的 DC 壓差越大,峰值就越大。如果鉗位脈沖的占空比下降,峰值也會變得更大。這是因為 AIN+ 和 AIN– 的外部電壓源被斷開時,二者的 DC 電壓均向著對方彼此相互漂移。因此,ADC 采樣與保持電路的采樣電容之間就會在保持階段發(fā)生內(nèi)部充電或放電。AIN+ 和 AIN– 之間的 DC 電壓差還會引起過早的輸出飽和并降低最大模擬輸出振幅,因此該壓差必須要有一個極限。增加 Clampout 處的去耦電容將最小化峰值,提高模擬輸入端的 DC 壓差容限并提高 THS1041 的整體 AC 性能。這一結論是基于 THS1041 基準測試得出的。對其他高速 ADC 而言,本文中的觀察與測試方法也是非常有用的。