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[導(dǎo)讀]隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展,在高速電路中信號(hào)的頻率的變高、邊沿變陡、電路板的尺寸變小、布線的密度變大,這些因素使得在高速數(shù)字電路的設(shè)計(jì)中,信號(hào)完整性問(wèn)題越來(lái)越突出,其已經(jīng)成為高速電路設(shè)計(jì)工程師不可避免的問(wèn)

隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展,在高速電路中信號(hào)的頻率的變高、邊沿變陡、電路板的尺寸變小、布線的密度變大,這些因素使得在高速數(shù)字電路的設(shè)計(jì)中,信號(hào)完整性問(wèn)題越來(lái)越突出,其已經(jīng)成為高速電路設(shè)計(jì)工程師不可避免的問(wèn)題。串?dāng)_是指有害信號(hào)從一個(gè)網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)移到另一個(gè)網(wǎng)絡(luò),它是信號(hào)完整性問(wèn)題中一個(gè)重要問(wèn)題,在數(shù)字設(shè)計(jì)中普遍存在,有可能出現(xiàn)在芯片、PCB板、連接器、芯片封裝和連接器電纜等器件上。如果串?dāng)_超過(guò)一定的限度就會(huì)引起電路的誤觸發(fā),導(dǎo)致系統(tǒng)無(wú)法正常工作。因此了解串?dāng)_問(wèn)題產(chǎn)生的機(jī)理并掌握解決串?dāng)_的設(shè)計(jì)方法,對(duì)于工程師來(lái)說(shuō)是相當(dāng)重要的。

1 串?dāng)_問(wèn)題產(chǎn)生的機(jī)理
    串?dāng)_是信號(hào)在傳輸線上傳播時(shí),由于電磁耦合而在相鄰的傳輸線上產(chǎn)生不期望的電壓或電流噪聲干擾,信號(hào)線的邊緣場(chǎng)效應(yīng)是導(dǎo)致串?dāng)_產(chǎn)生的根本原因。為了便于分析,下面介紹幾個(gè)有關(guān)的概念。如圖1所示,假設(shè)位于A點(diǎn)的驅(qū)動(dòng)器是干擾源,而位于D點(diǎn)的接受器為被干擾對(duì)象,那么驅(qū)動(dòng)器A所在的傳輸線被稱(chēng)之為干擾源網(wǎng)絡(luò)或侵害網(wǎng)絡(luò)(Agreessor),相應(yīng)的接收器D所在的傳輸線網(wǎng)絡(luò)被稱(chēng)之為靜態(tài)網(wǎng)絡(luò)或受害網(wǎng)絡(luò)。靜態(tài)網(wǎng)絡(luò)靠近干擾源一端的串?dāng)_稱(chēng)為近端串?dāng)_(也稱(chēng)后向串?dāng)_),而遠(yuǎn)離干擾源一端的串?dāng)_稱(chēng)為遠(yuǎn)端串?dāng)_(或稱(chēng)前向串?dāng)_)。由于產(chǎn)生的原因不同將串?dāng)_可分為容性耦合串?dāng)_和感性耦合串?dāng)_兩類(lèi)。

1.1 容性耦合機(jī)制
    當(dāng)干擾線上有信號(hào)傳輸時(shí),由于信號(hào)邊沿電壓的變化,在信號(hào)邊沿附近的區(qū)域,干擾線上的分布電容會(huì)感應(yīng)出時(shí)變的電場(chǎng),而受害線處于這個(gè)電場(chǎng)里面,所以變化的電場(chǎng)會(huì)在受害線上產(chǎn)生感應(yīng)電流。可以把信號(hào)的邊沿看成是沿干擾線移動(dòng)的電流源,在它移動(dòng)的過(guò)程中,通過(guò)電容耦合不斷地在受害線上產(chǎn)生電流噪聲。由于在受害線上每個(gè)方向的阻抗都是相同的,所以50%的容性耦合電流流向近端而另50 9/6則傳向遠(yuǎn)端。此外,容性耦合電流的流向都是從信號(hào)路徑到返回路徑的,所以向近端和遠(yuǎn)端傳播的耦合電流都是正向的。對(duì)于近端容性耦合串?dāng)_,隨著驅(qū)動(dòng)器輸出信號(hào)出現(xiàn)上升沿脈沖,流向近端的電流將從零開(kāi)始迅速增加,當(dāng)邊沿輸入了一個(gè)飽和長(zhǎng)度以后,近端電流將達(dá)到一個(gè)固定值。另外,流向近端的耦合電流將以恒定的速度源源不斷地流向近端,當(dāng)上升沿到達(dá)干擾線的接收端,此上升沿會(huì)被接受吸收,不再產(chǎn)生耦合電流信號(hào),但是受害線上還有后向電流流向受害線的近端,所以近端的耦合電流將持續(xù)兩倍的傳輸延遲。
    對(duì)于遠(yuǎn)端容性耦合串?dāng)_,由于信號(hào)的邊沿可看成是移動(dòng)的電流源,它將在邊沿的附近區(qū)域產(chǎn)生經(jīng)互容流進(jìn)受害線的耦合電流,而產(chǎn)生的耦合電流將有50%與干擾線上的信號(hào)同向而且速度相同地流人遠(yuǎn)端,因此隨著干擾線上信號(hào)的傳輸,在受害線上將不斷地產(chǎn)生的前向耦合電流而且和已經(jīng)存在的前向耦合電流不斷地疊加,并一同傳向遠(yuǎn)端。由于串?dāng)_只在信號(hào)的邊沿附近區(qū)域產(chǎn)生,流向遠(yuǎn)端的耦合電流的持續(xù)時(shí)間等于信號(hào)的躍變時(shí)間。具體的容性耦合如圖2所示。

1.2 感性耦合機(jī)制
    當(dāng)信號(hào)在于擾線上傳播時(shí),由于信號(hào)電流的變化,在信號(hào)躍變的附近區(qū)域,通過(guò)分布電感的作用將產(chǎn)生時(shí)變的磁場(chǎng),變化的磁場(chǎng)在受害線上將感應(yīng)出噪聲電壓,進(jìn)而形成感性的耦合電流,并分別向近端和遠(yuǎn)端傳播。與容性耦合電流不一樣的是,感性耦合電流的方向與干擾線上信號(hào)傳播的方向是反向的,向近端傳輸時(shí),電流回路是從信號(hào)路徑到返回路徑,而向遠(yuǎn)端傳輸時(shí),電流回路則是從返回路徑到信號(hào)路徑。
    對(duì)于近端感性耦合串?dāng)_,其特征與近端容性耦合串?dāng)_非常相似,也是從零開(kāi)始迅速增加,當(dāng)傳輸長(zhǎng)度大于等于飽和長(zhǎng)度以后,將穩(wěn)定在一個(gè)固定值,持續(xù)時(shí)間是兩倍的傳輸延遲。因?yàn)榱飨蚪说母行择詈想娏髋c容性耦合電流同向,所以?xún)烧邔B加在一起。
    對(duì)于遠(yuǎn)端感性耦合串?dāng)_,感性耦合噪聲與干擾線上信號(hào)邊沿的傳播速度相同,而且在每一步將會(huì)耦合出越來(lái)越多的噪聲電流,持續(xù)的時(shí)間等于信號(hào)躍變的時(shí)間。但是由于電流流向與遠(yuǎn)端容性耦合電流是反向的,所以到達(dá)受害線遠(yuǎn)端接收器的耦合電流是兩者之差。具體的感性耦合如圖3所示

l.3 互感和互容的混合效應(yīng)
    一般地,在完整的地平面上,容性和感性的耦合產(chǎn)生的串?dāng)_電壓大小相等,因此遠(yuǎn)端串?dāng)_的總噪聲由于容性和感性耦合的極性不一樣而相互抵消。在帶狀線電路更能夠顯示兩者之間很好的平衡,其遠(yuǎn)端耦合系數(shù)極小,但是對(duì)于微帶線路,由于與串?dāng)_相關(guān)的電場(chǎng)大部分穿過(guò)的是空氣,而不是其他的絕緣材料,因此容性串?dāng)_比感性串?dāng)_小,導(dǎo)致其遠(yuǎn)端串?dāng)_系數(shù)是一個(gè)小的負(fù)數(shù)。

2 串?dāng)_的仿真分析
    在實(shí)際的設(shè)計(jì)中,板層特性(如厚度,介質(zhì)常數(shù)等)以及線長(zhǎng)、線寬、線距、信號(hào)的上升時(shí)間等都會(huì)對(duì)串?dāng)_有所影響。下面結(jié)合使用Mentor Graphie公司的信號(hào)完整性仿真軟件Hyperlynx,對(duì)上述的影響串?dāng)_的因素進(jìn)行分析。首先在Hyperlynx中建立兩線串?dāng)_的模型,如圖4所示,設(shè)兩線的線寬為5 mil,線長(zhǎng)為6 in,線距為5 mil,兩線均為頂層微帶線,特性阻抗為49.5Ω,兩線都端接50Ω的電阻,以消除反射的影響。干擾線的驅(qū)動(dòng)器采用CMOS工藝器件的IBIS模型,電壓為3.3 V,頻率為100 MHz。PCB的介電常數(shù)為4.3,六層板,其疊層結(jié)構(gòu)如圖5所示。

2.1 耦合長(zhǎng)度對(duì)串?dāng)_的影響
    改變兩線的耦合長(zhǎng)度,分別將耦合長(zhǎng)度設(shè)置為3 in,6 in,10 in,其他設(shè)置不變。
    圖6(a)是耦合長(zhǎng)度為3 in的串?dāng)_波形,其中近端串?dāng)_峰值為126.34 mV,遠(yuǎn)端為43.01 mV;圖6(b)是耦合長(zhǎng)度為6 in的串?dāng)_波形,其近端串?dāng)_峰值為153.23 mV,遠(yuǎn)端為99.46 mV;圖6(c)是耦合長(zhǎng)度為10 in的串?dāng)_波形,其近端串?dāng)_峰值為153.23 mV,遠(yuǎn)端為163.98 mV。由此可見(jiàn),對(duì)于遠(yuǎn)端串?dāng)_峰值與耦合長(zhǎng)度成正比,耦合長(zhǎng)度越長(zhǎng),串?dāng)_越大;而對(duì)于近端串?dāng)_,當(dāng)耦合長(zhǎng)度小于飽和長(zhǎng)度時(shí),串?dāng)_將隨著耦合長(zhǎng)度的增加而增加,但是當(dāng)耦合長(zhǎng)度大于飽和長(zhǎng)度時(shí),近端串?dāng)_值將為一個(gè)穩(wěn)定值。

2.2 線間距對(duì)串?dāng)_的影響
    以下是保持其他設(shè)置不變,考察線間距的改變對(duì)串?dāng)_的影響。分別設(shè)置線距為5 mil,15 mil,仿真波形如圖7所示。

  由圖7可知,當(dāng)線間距為5 mil時(shí),近段串?dāng)_峰值為153.23 mV,遠(yuǎn)端為99.46 mV;而線間距為15 mil時(shí),近端串?dāng)_峰值為33.40 mV,遠(yuǎn)端為40.49 mV??梢?jiàn)隨著線間距的增大,無(wú)論是近端還是遠(yuǎn)端串?dāng)_都將減小,當(dāng)線間距大于等于線寬的3倍時(shí),串?dāng)_已經(jīng)很小。
2.3 上升時(shí)間對(duì)串?dāng)_的影響
    下面考察上升沿時(shí)間的變化對(duì)串?dāng)_的影響,其他設(shè)置保持不變。分別設(shè)置驅(qū)動(dòng)器為CMOS 3.3 V MEDI—UM;CMOS 3.3 V FAST;CMOS 3.3 V ULTRA—FAST,仿真波形如圖8所示。

 圖8(a)中的近端串?dāng)_峰值為153.9 mV,遠(yuǎn)端串?dāng)_為46.3 mV;圖8(b)中近端串?dāng)_峰值為153.2 mV,遠(yuǎn)端串?dāng)_為99.5 mV;圖8(c)中近段串?dāng)_峰值為153.2 mV,遠(yuǎn)端串?dāng)_為349.9 mV??梢?jiàn),當(dāng)上升沿時(shí)間縮短時(shí),遠(yuǎn)端串?dāng)_噪聲越來(lái)越大。對(duì)于近端串?dāng)_來(lái)說(shuō),如果與傳輸線的時(shí)延相比,上升時(shí)間較短,則近端串?dāng)_與上升時(shí)間無(wú)關(guān);而如果與傳輸線時(shí)遲相比,上升時(shí)間較長(zhǎng),則近端串?dāng)_噪聲與上升時(shí)間有關(guān)(隨著上升沿時(shí)間的減小,近端串?dāng)_變大)。
2.4 介質(zhì)層厚度對(duì)串?dāng)_的影響
    在PCB的疊層編輯器中將介質(zhì)層厚度分別設(shè)置為3 mil和6 mil,其他設(shè)置不變,仿真波形如圖9所示。

考察以上的仿真波形可知,當(dāng)介質(zhì)層厚度為3 mil時(shí),近端串?dāng)_峰值為153.2 mV,遠(yuǎn)端串?dāng)_為99.5 mV;當(dāng)介質(zhì)層厚度為6 mil時(shí),近端串?dāng)_峰值為277.3 mV,遠(yuǎn)端串?dāng)_為163.9 mV??梢?jiàn),隨著介質(zhì)層厚度的減小,串?dāng)_也將變小。

3 解決串?dāng)_的方法
    串?dāng)_在電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)中普遍存在,通過(guò)以上的分析與仿真,了解了串?dāng)_的特性,總結(jié)出以下減少串?dāng)_的方法:
    (1)在情況允許的情況下,盡量增大走線之間的距離,減小平行走線的長(zhǎng)度,必要時(shí)采用jog方式走線。
    (2)在確保信號(hào)時(shí)序的情況下,盡可能地選擇上升沿和下降沿速度更慢的器件,使電場(chǎng)和磁場(chǎng)變化的速度變慢,從而降低串?dāng)_。
    (3)在設(shè)計(jì)走線時(shí),應(yīng)該盡量使導(dǎo)體靠近地平面或電源平面。這樣可以使信號(hào)路徑與地平面緊密的耦合,減少對(duì)相鄰信號(hào)線的干擾。
    (4)在布線空間允許的條件下,在串?dāng)_較嚴(yán)重的兩條信號(hào)線之間插入一條地線,可以減小兩條信號(hào)線間的耦合,進(jìn)而減小串?dāng)_。

4 結(jié) 語(yǔ)
    串?dāng)_是信號(hào)完整性中的重要內(nèi)容,影響系統(tǒng)的時(shí)序、降低噪聲容限,導(dǎo)致系統(tǒng)無(wú)法正常的工作。介紹了高速電路中串?dāng)_產(chǎn)生的機(jī)理,并通過(guò)仿真對(duì)串?dāng)_進(jìn)行分析,得出串?dāng)_的大小與影響串?dāng)_相關(guān)因素的關(guān)系,在此基礎(chǔ)上提出了一些減小串?dāng)_的方法,對(duì)于在高速高密度的電路設(shè)計(jì)中解決串?dāng)_問(wèn)題有一定的指導(dǎo)意義。

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