原因分析：
在檢漏工序中，就是在酒精加壓的環(huán)境下，晶體容易產(chǎn)生碰殼現(xiàn)象，即振動時芯片跟外殼容易相碰，從而晶體容易發(fā)生時振時不振或停振；
在壓封時，晶體內(nèi)部要求抽真空充氮氣，如果發(fā)生壓封不良，即晶體的密封性不好時，在酒精加壓的條件下，其表現(xiàn)為漏氣，稱之為雙漏，也會導(dǎo)致停振；
由于芯片本身的厚度很薄，當(dāng)激勵功率過大時，會使內(nèi)部石英芯片破損，導(dǎo)致停振；
有功負(fù)載會降低Q值（即品質(zhì)因素），從而使晶體的穩(wěn)定性下降，容易受周邊有源組件影響，處于不穩(wěn)定狀態(tài)，出現(xiàn)時振時不振現(xiàn)象；
由于晶體在剪腳和焊錫的時候容易產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力，而焊錫溫度過高和作用時間太長都會影響到晶體，容易導(dǎo)致晶體處于臨界狀態(tài)，以至出現(xiàn)時振時不振現(xiàn)象，甚至停振；
在焊錫時，當(dāng)錫絲透過線路板上小孔滲過，導(dǎo)致引腳跟外殼連接在一塊，或是晶體在制造過程中，基座上引腳的錫點和外殼相連接發(fā)生單漏，都會造成短路，從而引起停振；
當(dāng)晶體頻率發(fā)生頻率漂移，且超出晶體頻率偏差范圍過多時，以至于捕捉不到晶體的中心頻率，從而導(dǎo)致芯片不起振。
處理方法：
嚴(yán)格按照技術(shù)要求的規(guī)定，對石英晶體組件進(jìn)行檢漏試驗以檢查其密封性，及時處理不良品并分析原因；
壓封工序是將調(diào)好的諧振件在氮氣保護(hù)中與外殼封裝起來，以穩(wěn)定石英晶體諧振器的電氣性能。在此工序應(yīng)保持送料倉、壓封倉和出料倉干凈，壓封倉要連續(xù)沖氮氣，并在壓封過程中注意焊頭磨損情況及模具位置，電壓、氣壓和氮氣流量是否正常，否則及時處理。其質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)為：無傷痕、毛刺、頂坑、彎腿，壓印對稱不可歪斜。
由于石英晶體是被動組件，它是由IC提供適當(dāng)?shù)募罟β识９ぷ鞯?，因此，?dāng)激勵功率過低時，晶體不易起振，過高時，便形成過激勵，使石英芯片破損，引起停振。所以，應(yīng)提供適當(dāng)?shù)募罟β?。另外，有功?fù)載會消耗一定的功率，從而降低晶體Q值，從而使晶體的穩(wěn)定性下降，容易受周邊有源組件影響，處于不穩(wěn)定狀態(tài)，出現(xiàn)時振時不振現(xiàn)象，所以，外加有功負(fù)載時，應(yīng)匹配一個比較合適有功負(fù)載。
控制好剪腳和焊錫工序，并保證基座絕緣性能和引腳質(zhì)量，引腳鍍層光亮均勻無麻面，無變形、裂痕、變色、劃傷、污跡及鍍層剝落。為了更好地防止單漏，可以在晶體下加一個絕緣墊片。
當(dāng)晶體產(chǎn)生頻率漂移而且超出頻差范圍時，應(yīng)檢查是否匹配了合適的負(fù)載電容，可以通過調(diào)節(jié)晶體的負(fù)載電容來解決。
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