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[導(dǎo)讀]O 引言  電路中的功率消耗源主要有以下幾種:由邏輯轉(zhuǎn)換引起的邏輯門對負載電容充、放電引起的功率消耗;由邏輯門中瞬時短路電流引起的功率消耗;由器件的漏電流引起的消耗,并且每引進一次新的制造技術(shù)會導(dǎo)致漏電流

O 引言

  電路中的功率消耗源主要有以下幾種:由邏輯轉(zhuǎn)換引起的邏輯門對負載電容充、放電引起的功率消耗;由邏輯門中瞬時短路電流引起的功率消耗;由器件的漏電流引起的消耗,并且每引進一次新的制造技術(shù)會導(dǎo)致漏電流20倍的增加,漏電流引起的消耗已經(jīng)成為功率消耗的主要因素。目前降低功耗的方法主要有:減小電源電壓、調(diào)整晶體管尺寸、采用并行和流水線的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、利用睡眠模式、采用絕熱邏輯電路等。其中,能量回收邏輯就是基于絕熱計算發(fā)展起來的一種低功耗設(shè)計技術(shù)。

這里簡單介紹一種使用單相正弦電源時鐘的能量回收邏輯,并用這種原理電路設(shè)計了一個兩位的數(shù)字乘法器電路,與靜態(tài)CMOS數(shù)字乘法器相比,這種能量回收乘法器能夠大大降低功率消耗。

  1 單相正弦電源時鐘能量回收邏輯電路工作原理

  以反相器為例說明這種電路的工作原理,如圖1所示。M1和M2的連接方式與傳統(tǒng)的靜態(tài)CMOS邏輯電路相似。不同的是電源不再是恒定不變的,而是用一個正弦信號代替,這個信號同時起到同步電路工作的作用,因此又稱作電源時鐘。M3和M4連接成二極管的形式用來控制充放電的路徑。

  

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  當輸入信號B為邏輯“O”時,M1導(dǎo)通,M2截止。正弦信號正半周時,通過M3和M1向負載電容充電,一旦電容充電到最大值,M3能夠阻止電容向輸入正弦時鐘信號放電,輸出保持在高電平不變。當輸入信號B為邏輯“1”時,M1截止,M2導(dǎo)通。正弦信號負半周時,負載電容通過M2和M4向輸入正弦時鐘信號放電,一旦電容放電到最小值,M4能夠阻止輸入正弦時鐘信號向電容充電,輸出保持為低電平不變。

  2 基于單相能量回收電路的乘法器電路設(shè)計

  2.1 基于單相能量回收電路的乘法器

  兩位乘法器能夠?qū)崿F(xiàn)2位二進制數(shù)的乘法運算,設(shè)A1A0,B1B0為乘數(shù)和被乘數(shù),P3P2P1P0為乘法運算得到的積,由卡諾圖(見圖2)得到兩位乘法器的輸出邏輯函數(shù)表達式分別為:

  

 

  


為了能用基本的與非門、或非門和異或門電路實現(xiàn)乘法器,上式可以通過邏輯運算變換為:

  

 

  實現(xiàn)電路時,將靜態(tài)CMOS電路(見圖3)構(gòu)成的與非門、或非門和異或門的電源用圖4所示的電源時鐘電路代替即可。其中Clk+,Clk-分別接CMOS電路中PMOS和NMOS管的D極和S極。

 

  

 

  

 

  2.2 仿真結(jié)果

  在PSpice環(huán)境下,分別仿真了用靜態(tài)CMOS電路和單相能量回收電路構(gòu)成的兩位乘法器電路(見圖5和圖6),圖中只顯示了輸出4位積的低2位P1P0,其中輸入信號A1A0,B1B0波形見圖6。其他參數(shù)如下:采用CMOS 1.2μm技術(shù),正弦波峰峰值為2.5 V,直流電壓VDD為2.5 V,并假設(shè)乘法器的輸出端接負載電容為O.1 fF。
 

 

  從圖中可見,用靜態(tài)CMOS電路構(gòu)成的乘法器輸出比較穩(wěn)定,輸出等于0或VDD,功率消耗為1.51×10-7W。而用單相能量回收電路構(gòu)成的二位乘法器的輸出不夠穩(wěn)定,對噪聲信號較為敏感,但是并不影響輸出邏輯,功率消耗減小為1.17×10-7W。從節(jié)能的角度來看,單相能量回收電路性能更好。

  3 結(jié)語

  本文首先介紹了單相能量回收反相器電路,詳細討論電路的工作原理,同時用PSpice工具仿真了基于靜態(tài)CMOS電路和單相能量回收電路構(gòu)成的兩位乘法器電路。仿真結(jié)果表明本文介紹的單相能量回收電路能夠極大地降低電路功耗。今后的工作還應(yīng)繼續(xù)優(yōu)化電路結(jié)構(gòu),穩(wěn)定電路的輸出狀態(tài),增強電路的抗干擾能力。

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