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[導(dǎo)讀]標(biāo)簽:CMOS CCD無論任何產(chǎn)品,品質(zhì)的好壞主要取決于性能的優(yōu)劣,而性能優(yōu)劣的關(guān)鍵跟產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和工作原理又有著較大的關(guān)系,CCD和CMOS也既如此。基本組成CCD是在MOS晶體管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的,其基本結(jié)構(gòu)是MOS(金屬&m

標(biāo)簽:CMOS  CCD

無論任何產(chǎn)品,品質(zhì)的好壞主要取決于性能的優(yōu)劣,而性能優(yōu)劣的關(guān)鍵跟產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和工作原理又有著較大的關(guān)系,CCD和CMOS也既如此。

基本組成

CCD是在MOS晶體管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的,其基本結(jié)構(gòu)是MOS(金屬—氧化物—半導(dǎo)體)電容結(jié)構(gòu)。它是在半導(dǎo)體P型硅(Si)作襯底的表面上用氧化的辦法生成一層厚度約1000?~1500?的SiO2,再在SiO2表面蒸鍍一層金屬(如鋁),在襯底和金屬電極間加上一個偏置電壓(稱柵電壓),就構(gòu)成了一個MOS電容器。所以,CCD是由一行行緊密排列在硅襯底上的MOS電容器陣列構(gòu)成的。

而最基本的CMOS圖像傳感器是以一塊雜質(zhì)濃度較低的P型硅片作襯底,用擴(kuò)散的方法在其表面制作兩個高摻雜的N+型區(qū)作為電極,即場效應(yīng)管的源極和漏極,再在硅的表面用高溫氧化的方法覆蓋一層二氧化硅(SiO2)的絕緣層,并在源極和漏極之間的絕緣層的上方蒸鍍一層金屬鋁,作為場效應(yīng)管的柵極。最后,在金屬鋁的上方放置光電二極管,這就構(gòu)成了最基本的CMOS圖像傳感器。

另外,在CMOS攝像器件中,電信號是從CMOS晶體管開關(guān)陣列中直接讀取的,而不像CCD那樣需要逐行讀取。

內(nèi)部結(jié)構(gòu)

CCD成像器需有輔以較多的外圍驅(qū)動電路才能工作,它僅能輸出模擬電信號,這種信號要經(jīng)后續(xù)的地址譯碼器、模數(shù)轉(zhuǎn)換器,圖像信號處理器等進(jìn)行處理,CCD本身集成度相對較低。如有CCD數(shù)碼相機(jī)常會有六個芯片組成,有的多達(dá)八片,最少也要三片,從而使相機(jī)體積不能減小,制作成本也較高。

而CMOS成像器不需要附加的外圍處理電路,它是將光電二極管、圖像信號放大器、信號讀取電路、模數(shù)轉(zhuǎn)換器、圖像信號處理器及控制器等都集成到一塊芯片上,且制造加工就如半導(dǎo)體廠家生產(chǎn)集成電路的流程即可。若構(gòu)成數(shù)碼相機(jī),可將數(shù)碼相機(jī)的所有部件都集成到一塊芯片上,即“單芯片相機(jī)”。因此,采用CMOS芯片的光電圖像系統(tǒng),不但能降低系統(tǒng)的整體成本與組裝所需的時間,而且還大大縮小了系統(tǒng)的體積和減低了復(fù)雜度。

工作原理

此外,CCD是一種半導(dǎo)體成像器件,CCD電荷耦合器存儲的電荷信息,需在同步信號控制下一位一位地實(shí)施轉(zhuǎn)移后讀取,電荷信息轉(zhuǎn)移和讀取輸出需要有時鐘控制電路和三組不同的電源相配合,整個電路較為復(fù)雜。因而,CCD處理信息的速度相對較慢外,其耗電量也相對較大;而CMOS光電傳感器在光電轉(zhuǎn)換后就可取出電信號,讀取比較簡單,還能同時處理各像素單元的圖像信息,CMOS光電傳感器只需單組電源工作,耗電量小,能達(dá)到節(jié)能作用。

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