主要介紹作為從設備如何根據PCI總線協議設計PCI總線接口電路,從而實現基于PCI總線的GP-IB接口電路設計,重點闡述PCI總線接口狀態(tài)機的設計。
前言
基于PCI總線的GP-IB接口電路框圖如圖1所示,工控機采用PCI-104堆棧結構,通過PCI總線和EPLD相連,數據總線為32bit,傳輸速率為33MHz。EPLD完成PCI總線接口電路的設計和NAT9914接口芯片的控制,通過驅動芯片75160和75162完成GP-IB的接口通信。在此重點介紹EPLD內部電路設計。
圖1 GP-IB接口電路結構框圖
EPLD內部電路設計
PCI局部總線很復雜,PCI局部總線也在不斷的發(fā)展中,現在已經衍生有CPCI、PCI EXPRESS等總線標準。PCI局部總線定義的功能很強大,當然如果需要將所有的PCI局部總線的要求都能實現,購買PCI局部總線的專用集成電路或IP核是最佳選擇,因為PCI局部總線的硬件設計過于龐大,全部實現有一定的難度。如果設備只是作為從設備,根據設計要求實現起來也不是很復雜,很多功能如仲裁、邊界掃描及錯誤報告等功能就可以不用實現,甚至像奇偶校驗、重試、突發(fā)傳輸等功能也可以不用實現。
根據GP-IB接口卡的功能,本文主要介紹在EPLD中實現PCI總線接口電路的設計,并且能夠正確操作GP-IB總線協議的控制芯片NAT9914。EPLD的容量較小,我們采用XILINX公司的XC95288XL器件,只有288個宏單元,經過設計優(yōu)化,最終成功裝載。其實現原理框圖如圖2所示。
圖2 EPLD內部電路框圖
PCI接口信號設計
設計PCI接口信號很關鍵,PCI總線規(guī)范定義的信號很多,在設計過程中必須有所取舍。下面按照PCI總線規(guī)范的要求,根據設計電路的實際需求,設計如下接口信號:
Rst : 上電復位信號,低電平有效。
Clk : 時鐘信號33MHz。
Cbe[3..0] : 命令、字節(jié)使能信號。
Ad[31..0] : 地址、數據多路復用的三態(tài)輸入/輸出信號。
Frame : 幀周期信號,由主設備驅動,表示當前主設備一次交易的開始和持續(xù)時間。
Irdy : 主設備準備好信號。
Trdy : 從設備數據準備好信號。
Devsel : 從設備被選中響應信號。
Inta :從設備中斷請求,低有效。
在設計時舍棄的信號有:Par、Stop、Perr、Serr、Req、Gnt。
GP-IB接口芯片控制信號設計
根據電路要求,設計如下接口信號,用來完成對NAT9914和驅動芯片的控制,實現PCI到GP-IB接口的轉換。
Target_clk: GP-IB接口控制芯片時鐘,本方案設計為33MHz時鐘的8分頻。
Target_rst:復位脈沖信號,低電平復位。
Target_ce: 讀寫使能,高電平為讀,低電平為寫。
Target_sc:標識GP-IB接口卡作為控者,還是作為普通器件。
Target_we:寫使能控制,低電平有效。
Target_int_l:控制芯片中斷輸出,低電平有效。
Target_abus:有效地址輸出。
Target_dbus:三態(tài)數據輸入/輸出總線。
電路優(yōu)化設計
圖2給出了PCI總線接口電路的原理框圖,由于EPLD容量較小,在設計時必須盡量減少不必要的電路設計,并對電路設計進行優(yōu)化,下面給出各電路模塊的功能設計:
譯碼電路
PCI總線命令編碼方式有12種,在本設計中我們只實現配置讀、配置寫、存儲器讀和存儲器寫四種編碼交易類型。譯碼功能電路工作在地址周期,包括命令譯碼、地址譯碼和命令/地址鎖存等三項功能。在Frame變低的第一個時鐘周期內,譯碼電路對來自主設備的命令Cbe[3..0]進行譯碼,并向狀態(tài)機控制模塊發(fā)出是配置讀寫還是存儲器讀寫命令,同時鎖存地址。
配置寄存器
在PCI規(guī)范中,配置空間是一個容量為256字節(jié)并具有特定記錄結構或模型的地址空間,該空間又分為頭標區(qū)和設備有關區(qū)兩部分。在配置寄存器中不用的寄存器當CPU讀的時候,將默認為零。
重試
GP-IB控制芯片寄存器響應完全能夠滿足PCI規(guī)范的要求,不需要進行重試,這部分功能不再實現。
奇偶校驗
在BIOS中可以對奇偶校驗進行屏蔽和開放,為了減少設計的復雜性,奇偶校驗功能在EPLD中沒有實現,在BIOS中進行了屏蔽。
NAT9914接口控制電路
NAT9914接口控制電路主要完成內部總線到外設的時序控制。GP-IB總線接口采用的是負邏輯電平設計,考慮到EPLD的容量有限,在設計時數據傳輸不支持DMA模式,只支持單周期CPU讀寫。由于CPU讀數據時延遲較大,在對PCI狀態(tài)機設計時必須進行讀延遲等待。
狀態(tài)機的設計與實現
狀態(tài)機的設計是整個設計中的核心部分,它主要用來控制從設備和PCI總線的時序。在本設計方案中,配置過程的完成和存儲器的讀寫都是由狀態(tài)機來完成的。由于EPLD的容量有限,GP-IB接口芯片的讀寫速度比較慢,在設計狀態(tài)機時,不支持CPU的猝發(fā)操作。表1給出了狀態(tài)機的狀態(tài)名、狀態(tài)變量和說明,圖3給出了狀態(tài)機的流程圖。
圖3 狀態(tài)機設計流程圖
下面根據狀態(tài)機的流程圖給出讀、寫操作時序分析與設計要點:
PCI規(guī)范中定義了三種讀寫操作,即Memory和I/O讀寫及配置讀寫。本方案不支持I/O讀寫,只支持Memory和配置的讀寫,下面給出Memory映射方式的單周期仿真讀寫時序。
存儲器寫操作
存儲器單周期寫操作時序如圖4所示,當frame為低電平時啟動讀寫操作,同時給出要寫的目標地址ad[31..0]和命令cbe[3..0]=7,cbe等于7表示寫寄存器,從設備鎖存命令和地址到緩沖區(qū)。在第2個clk,主設備將irdy變低,同時給出數據,狀態(tài)機運行到6,鎖存數據給緩沖區(qū),trdy、devsel由高阻變?yōu)楦唠娖健T诘?個clk,devsel變低,給出主設備應答信號,表示從設備已經響應請求,狀態(tài)機運行到7。根據寫操作,target_we、target_ce變低,并對地址進行譯碼,放在地址總線上,同時驅動數據總線,表示在對控制芯片進行寫操作。在第4個clk,檢測到目標設備的target_ready_l為低電平,表示從設備已經做好接受數據的準備,狀態(tài)機運行到8,將trdy變低。在第5個clk,狀態(tài)機運行到9,trdy變高,同時主設備將驅動irdy變高,表示一個寫周期結束。狀態(tài)機運行到初始狀態(tài),等待下一次操作。target_ce、target_we將延遲變高,結束控制芯片寫周期。
圖4 存儲器寫周期時序
存儲器讀操作
存儲器單周期讀操作時序如圖5所示,當frame為低電平時啟動讀寫操作,同時給出要寫的目標地址ad[31..0]和命令cbe[3..0]=6,從設備鎖存該命令和地址。在第2個clk,狀態(tài)機運行到6,進入讀寫等待狀態(tài),主設備將frame變高,表示單周期模式,trdy、devsel、由高阻變?yōu)楦唠娖?。在?個clk,狀態(tài)機運行到7,并給出應答信號devsel,檢測到target_ready_l為高電平,狀態(tài)機進入等待狀態(tài),直到為低電平,然后運行到讀等待狀態(tài)4。在狀態(tài)機8,trdy變低,從設備將讀數據放在ad[31..0]總線上。在狀態(tài)機9,trdy變高,devsel變高,同時主設備將irdy變高,結束單周期讀操作。devsel、trdy回到高阻狀態(tài),狀態(tài)機運行到初始狀態(tài),準備下次操作。
圖5 存儲器讀周期時序
結語
本設計占用芯片的資源少,可移植性強,根據設備不同的需求可以進行設計更改,在很多測試儀器中都得到了廣泛的應用。