EL7532降壓穩(wěn)壓器詳解

EL7532是帶有內(nèi)部補償?shù)耐郊蒄ET2A降壓穩(wěn)壓器。它工作的輸入電壓范圍為2.5V~5.5V，適用于3.3V，5V的電源，或鋰離子電池。輸出可通過電阻分壓器從外部設置，范圍為0.8V~VIN。

EL7532的主要特點是PWM模式控制。它的工作頻率的典型值是1.5MHz。其他特點還包括100ms的上電復位輸出，小于1μA的關(guān)機電流，短路保護和過熱保護。

啟動和關(guān)機

當EN引腳連接到VIN和VIN到達約2.4V的穩(wěn)壓器開始切換。該輸出電壓逐漸增加，以確保適當?shù)能涢_始操作。當EN引腳被連接到一個邏輯低電平時，EL7532是在停機方式下。所有的控制電路和兩個MOSFET都被切斷，而VOUT下降到零。在這種模式下，總輸入電流小于1μA。當EN達到邏輯高電平，調(diào)節(jié)重復啟動步驟，包括軟啟動功能。

典型應用

PWM工作模式

在PWM模式中，P溝道MOSFET和N溝道MOSFET通常進行互補。當用PMOSFET是上和NMOS場效應管時，電感器電流線性增加。輸入能量被轉(zhuǎn)移到輸出并也被存儲在電感器。當P溝道MOSFET導通和關(guān)閉，電感器的N溝道MOSFET電流線性減小，并且能量從轉(zhuǎn)移電感器的輸出。因此，平均電流通過電感器為輸出電流。由于電感和輸出電容充當?shù)屯V波器，占空比周期比大約等于VO用V劃分IN.輸出LC濾波器具有二階效應。為了保持轉(zhuǎn)換器的穩(wěn)定性，整體控制器必須補償。這與在內(nèi)部做固定補償?shù)恼`差放大器和PWM補償器。因為補償是固定的，輸入的值和輸出電容為10μF 22μF的陶瓷。該電感器的標稱值是1.8μH，1.5μH雖為2.2μH可使用。

100%占空比操作EL7532采用CMOS功率場效應晶體管作為內(nèi)部同步電源開關(guān)。上部開關(guān)是PMOS和更低的開關(guān)是NMOS 。這不僅節(jié)省了開機電容，而且可以100%打開上位PFET的開關(guān)，實現(xiàn)了VO接近VIN。可達到的最大VO是，VO=VIN–(RL+RDSON1)×IO 其中RL是電感和R的直流電阻DSON1PFET導通電阻，標稱70mΩ在室溫下與溫度系數(shù)0.2mΩ/℃的含量。隨著輸入電壓逐漸降至接近或甚至低于預置VO時，轉(zhuǎn)換器進入100%的占空比。在這條件下，上位PFET需要一定的最小關(guān)斷時間，如果它被關(guān)閉。這個關(guān)斷時間是與輸入/輸出條件。這使得占空比隨機出現(xiàn)和增加輸出紋波有些直至100%的占空比被達到。較大的輸出電容可以減少隨機找紋波。用戶需要驗證，如果這個條件具有整體的電路，如果接近100%上產(chǎn)生不良影響占空比被預期。

RSI/POR功能當通電時，集電極開路上電復位大約100ms的V后輸出保持低電平O到達預設電壓。當活動喜復位信號RSI為發(fā)行，POR立即變?yōu)榈碗娖剑⒈４媪薘SI的時間后，同一時期又回到低電平。該輸出電壓不受影響。當該功能沒有被使用，將RSI地面和留有余地的上拉電阻?4在POR引腳。上電復位輸出也作為一個100ms的延遲電源良好的信號時，上拉電阻?4已安裝。該RSI管腳要直接(或間接通過一個電阻R6)，連接到接地此才能正常工作。

時序圖

電流限制和短路保護

電流極限設定為大約3A對于PMOS。當一個短路發(fā)生在負載時，預設的電流限制限制了當前可用的量來輸出，該輸出使輸出電壓下降到低于預定電壓。在此期間，過量的電流加熱的調(diào)節(jié)器，直到達到熱關(guān)斷點。

熱關(guān)斷

一旦結(jié)點溫度達到145℃時，穩(wěn)壓器關(guān)下來。兩個P溝道和N溝道MOSFET開啟關(guān)。輸出電壓將下降到零。與輸出MOSFET的關(guān)斷時，穩(wěn)壓器將很快降溫。一旦結(jié)點溫度下降到約130℃，則調(diào)節(jié)器將再次重新啟動中的相同方法EN引腳連接到邏輯高電平。

熱性能

EL7532是在熔融鉛MSOP10包。相比到正規(guī)MSOP10包，該稠合引線封裝提供更低的熱阻。典型的θJAof115℃/W可通過最大化周圍的覆銅面積改善銷。一θJA以100℃/W能夠在一個四層電路板來實現(xiàn)和125℃/上2層基板W。

引腳