數(shù)字溫度傳感器DS18B20的原理與應(yīng)用

時間：2010-04-02 15:37:03

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[導(dǎo)讀]1引言 DS18B20是DALLAS公司生產(chǎn)的一線式數(shù)字溫度傳感器，具有3引腳TO－92小體積封裝形式；溫度測量范圍為－55℃～＋125℃,可編程為9位～12位A/D轉(zhuǎn)換精度，測溫分辨率可達(dá)0.0625℃，被測溫度用符號擴(kuò)展的16位數(shù)字量方

1引言

DS18B20是DALLAS公司生產(chǎn)的一線式數(shù)字溫度傳感器，具有3引腳TO－92小體積封裝形式；溫度測量范圍為－55℃～＋125℃,可編程為9位～12位A/D轉(zhuǎn)換精度，測溫分辨率可達(dá)0.0625℃，被測溫度用符號擴(kuò)展的16位數(shù)字量方式串行輸出；其工作電源既可在遠(yuǎn)端引入，也可采用寄生電源方式產(chǎn)生；多個DS18B20可以并聯(lián)到3根或2根線上，CPU只需一根端口線就能與諸多DS18B20通信，占用微處理器的端口較少，可節(jié)省大量的引線和邏輯電路。以上特點(diǎn)使DS18B20非常適用于遠(yuǎn)距離多點(diǎn)溫度檢測系統(tǒng)。

2 DS18B20的內(nèi)部結(jié)構(gòu)

DS18B20內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖1所示，主要由4部分組成：64位ROM、溫度傳感器、非揮發(fā)的溫度報警觸發(fā)器TH和TL、配置寄存器。DS18B20的管腳排列如圖2所示，DQ為數(shù)字信號輸入／輸出端；GND為電源地；VDD為外接供電電源輸入端（在寄生電源接線方式時接地，見圖4）。

ROM中的64位序列號是出廠前被光刻好的，它可以看作是該DS18B20的地址序列碼，每個DS18B20的64位序列號均不相同。64位ROM的排的循環(huán)冗余校驗(yàn)碼（CRC=X8＋X5＋X4＋1）。ROM的作用是使每一個DS18B20都各不相同，這樣就可以實(shí)現(xiàn)一根總線上掛接多個DS18B20的目的。

圖1 DS18B20的內(nèi)部結(jié)構(gòu)

DS18B20中的溫度傳感器完成對溫度的測量，用16位符號擴(kuò)展的二進(jìn)制補(bǔ)碼讀數(shù)形式提供，以0.0625℃/LSB形式表達(dá)，其中S為符號位。例如＋125℃的數(shù)字輸出為07D0H，＋25.0625℃的數(shù)字輸出為0191H，－25.0625℃的數(shù)字輸出為FF6FH，－55℃的數(shù)字輸出為FC90H。

23
22
21
20
2－1
2－2
2－3
2－4

溫度值低字節(jié)
MSBLSB

S
S
S
S
S
22
25
24

溫度值高字節(jié)

高低溫報警觸發(fā)器TH和TL、配置寄存器均由一個字節(jié)的EEPROM組成，使用一個存儲器功能命令可對TH、TL或配置寄存器寫入。其中配置寄存器的格式如下：

0
R1
R0
1
1
1
1
1

MSBLSB

R1、R0決定溫度轉(zhuǎn)換的精度位數(shù)：R1R0=“00”，9位精度，最大轉(zhuǎn)換時間為93.75ms；R1R0=“01”，10位精度，最大轉(zhuǎn)換時間為187.5ms；R1R0=“10”，11位精度，最大轉(zhuǎn)換時間為375ms；R1R0=“11”，12位精度，最大轉(zhuǎn)換時間為750ms；未編程時默認(rèn)為12位精度。

高速暫存器是一個9字節(jié)的存儲器。開始兩個字節(jié)包含被測溫度的數(shù)字量信息；第3、4、5字節(jié)分別是TH、TL、配置寄存器的臨時拷貝，每一次上電復(fù)位時被刷新；第6、7、8字節(jié)未用，表現(xiàn)為全邏輯1；第9字節(jié)讀出的是前面所有8個字節(jié)的CRC碼，可用來保證通信正確。

3 DS18B20的工作時序

DS18B20的一線工作協(xié)議流程是：初始化→ROM操作指令→存儲器操作指令→數(shù)據(jù)傳輸。其工作時序包括初始化時序、寫時序和讀時序，如圖3（a）（b）（c）所示。

（a）初始化時序

（c）讀時序

圖3DS18B20的工作時序圖

4 DS18B20與單片機(jī)的典型接口設(shè)計

圖4以MCS－51系列單片機(jī)為例，畫出了DS18B20與微處理器的典型連接。圖4（a）中DS18B20采用寄生電源方式，其VDD和GND端均接地，圖4（b）中DS18B20采用外接電源方式，其VDD端用3V～5.5V電源供電。

a）寄生電源工作方式
（b）外接電源工作方式

圖4DS18B20與微處理器的典型連接圖

假設(shè)單片機(jī)系統(tǒng)所用的晶振頻率為12MHz，根據(jù)DS18B20的初始化時序、寫時序和讀時序，分別編寫了3個子程序：INIT為初始化子程序，WRITE為寫（命令或數(shù)據(jù)）子程序，READ為讀數(shù)據(jù)子程序，所有的數(shù)據(jù)讀寫均由最低位開始。

DATEQUP1.0
……
INIT:CLREA
INI10:SETBDAT
MOVR2,＃200
INI11:CLRDAT
DJNZR2,INI11；主機(jī)發(fā)復(fù)位脈沖持續(xù)3μs×200=600μs
SETBDAT；主機(jī)釋放總線，口線改為輸入
MOVR2,＃30
IN12:DJNZR2,INI12；DS18B20等待2μs×30=60μs
CLRC
ORLC,DAT；DS18B20數(shù)據(jù)線變低（存在脈沖）嗎？
JCINI10；DS18B20未準(zhǔn)備好，重新初始化
MOVR6,＃80
INI13:ORLC,DAT
JCINI14；DS18B20數(shù)據(jù)線變高，初始化成功
DJNZR6,INI13；數(shù)據(jù)線低電平可持續(xù)3μs×80=240μs
SJMPINI10；初始化失敗，重來
INI14:MOVR2,＃240
IN15:DJNZR2,INI15；DS18B20應(yīng)答最少2μs×240=480μs
RET
；－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－
WRITE:CLREA
MOVR3,＃8；循環(huán)8次，寫一個字節(jié)
WR11:SETBDAT
MOVR4,＃8
RRCA；寫入位從A中移到CY
CLRDAT
WR12:DJNZR4,WR12
；等待16μs
MOVDAT,C；命令字按位依次送給DS18B20
MOVR4,＃20
WR13:DJNZR4,WR13
；保證寫過程持續(xù)60μs
DJNZR3,WR11
；未送完一個字節(jié)繼續(xù)
SETBDAT
RET
；－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－
READ:CLREA
MOVR6,＃8；循環(huán)8次，讀一個字節(jié)
RD11:CLRDAT
MOVR4,＃4
NOP；低電平持續(xù)2μs
SETBDAT；口線設(shè)為輸入
RD12:DJNZR4,RD12
；等待8μs
MOVC,DAT
；主機(jī)按位依次讀入DS18B20的數(shù)據(jù)
RRCA；讀取的數(shù)據(jù)移入A
MOVR5,＃30
RD13:DJNZR5,RD13
；保證讀過程持續(xù)60μs
DJNZR6,RD11
；讀完一個字節(jié)的數(shù)據(jù)，存入A中
SETBDAT
RET
；－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－
主機(jī)控制DS18B20完成溫度轉(zhuǎn)換必須經(jīng)過三個步驟：初始化、ROM操作指令、存儲器操作指令。必須先啟動DS18B20開始轉(zhuǎn)換，再讀出溫度轉(zhuǎn)換值。假設(shè)一線僅掛接一個芯片，使用默認(rèn)的12位轉(zhuǎn)換精度，外接供電電源，可寫出完成一次轉(zhuǎn)換并讀取溫度值子程序GETWD。

GETWD:LCALLINIT
MOVA,＃0CCH
LCALLWRITE；發(fā)跳過ROM命令
MOVA,＃44H
LCALLWRITE；發(fā)啟動轉(zhuǎn)換命令
LCALLINIT
MOVA,＃0CCH；發(fā)跳過ROM命令
LCALLWRITE
MOVA,＃0BEH；發(fā)讀存儲器命令
LCALLWRITE
LCALLREAD
MOVWDLSB,A
；溫度值低位字節(jié)送WDLSB
LCALLREAD
MOVWDMSB,A
；溫度值高位字節(jié)送WDMSB
RET
……