電荷藕合器件圖像傳感器CCD（Charge Coupled Device），它使用一種高感光度的半導(dǎo)體材料制成，能把光線轉(zhuǎn)變成電荷，通過(guò)模數(shù)轉(zhuǎn)換器芯片轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)，數(shù)字信號(hào)經(jīng)過(guò)壓縮以后由相機(jī)內(nèi)部的閃速存儲(chǔ)器或內(nèi)置硬盤卡保存，因而可以輕而易舉地把數(shù)據(jù)傳輸給計(jì)算機(jī)，并借助于計(jì)算機(jī)的處理手段，根據(jù)需要和想像來(lái)修改圖像。
原理
CCD傳感器是一種新型光電轉(zhuǎn)換器件，它能存儲(chǔ)由光產(chǎn)生的信號(hào)電荷。當(dāng)對(duì)它施加特定時(shí)序的脈沖時(shí)，其存儲(chǔ)的信號(hào)電荷便可在CCD內(nèi)作定向傳輸而實(shí)現(xiàn)自掃描。它主要由光敏單元、輸入結(jié)構(gòu)和輸出結(jié)構(gòu)等組成。它具有光電轉(zhuǎn)換、信息存貯和延時(shí)等功能，而且集成度高、功耗小，已經(jīng)在攝像、信號(hào)處理和存貯3大領(lǐng)域中得到廣泛的應(yīng)用，尤其是在圖像傳感器應(yīng)用方面取得令人矚目的發(fā)展。CCD有面陣和線陣之分，面陣是把CCD像素排成1個(gè)平面的器件；而線陣是把CCD像素排成1直線的器件。由于在軍事領(lǐng)域主要用的是面陣CCD，因此這里主要介紹面陣CCD。
種類
面陣CCD
面陣CCD：允許拍攝者在任何快門速度下一次曝光拍攝移動(dòng)物體。
面陣CCD的結(jié)構(gòu)一般有3種。第一種是幀轉(zhuǎn)性CCD。它由上、下兩部分組成，上半部分是集中了像素的光敏區(qū)域，下半部分是被遮光而集中垂直寄存器的存儲(chǔ)區(qū)域。其優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)較簡(jiǎn)單并容易增加像素?cái)?shù)，缺點(diǎn)是CCD尺寸較大，易產(chǎn)生垂直拖影。第二種是行間轉(zhuǎn)移性CCD。它是目前CCD的主流產(chǎn)品，它們是像素群和垂直寄存器在同一平面上，其特點(diǎn)是在1個(gè)單片上，價(jià)格低，并容易獲得良好的攝影特性。第三種是幀行間轉(zhuǎn)移性CCD。它是第一種和第二種的復(fù)合型，結(jié)構(gòu)復(fù)雜，但能大幅度減少垂直拖影并容易實(shí)現(xiàn)可變速電子快門等優(yōu)點(diǎn)。
線陣CCD
線陣CCD：用一排像素掃描過(guò)圖片，做三次曝光——分別對(duì)應(yīng)于紅、綠、藍(lán) 三色濾鏡，正如名稱所表示的，線性傳感器是捕捉一維圖像。初期應(yīng)用于廣告界拍攝靜態(tài)圖像，線性陣列，處理高分辨率的圖像時(shí)，受局限于非移動(dòng)的連續(xù)光照的物體。
三線傳感器CCD
三線傳感器CCD：在三線傳感器中，三排并行的像素分別覆蓋RGB濾鏡，當(dāng)捕捉彩色圖片時(shí)，完整的彩色圖片由多排的像素來(lái)組合成。三線CCD傳感器多用于高端數(shù)碼相機(jī)，以產(chǎn)生高的分辨率和光譜色階。
交織傳輸CCD：這種傳感器利用單獨(dú)的陣列攝取圖像和電量轉(zhuǎn)化，允許在拍攝下一圖像時(shí)在讀取當(dāng)前圖像。交織傳輸CCD通常用于低端數(shù)碼相機(jī)、攝像機(jī)和拍攝動(dòng)畫(huà)的廣播拍攝機(jī)。
全幅面CCD
全幅面CCD：此種CCD具有更多電量處理能力，更好動(dòng)態(tài)范圍，低噪音和傳輸光學(xué)分辨率，全幅面CCD允許即時(shí)拍攝全彩圖片。全幅面CCD由并行浮點(diǎn)寄存器、串行浮點(diǎn)寄存器和信號(hào)輸出放大器組成。全幅面CCD曝光是由機(jī)械快門或閘門控制去保存圖像，并行寄存器用于測(cè)光和讀取測(cè)光值。圖像投攝到作投影幕的并行陣列上。此元件接收?qǐng)D像信息并它分成離散的由數(shù)目決定量化的元素。這些信息流就會(huì)由并行寄存器流向串行寄存器。此過(guò)程反復(fù)執(zhí)行，直到所有的信息傳輸完畢。接著，系統(tǒng)進(jìn)行精確的圖像重組。
結(jié)構(gòu)
CCD是由許多個(gè)光敏像元按一定規(guī)律排列組成的。每個(gè)像元就是一個(gè)MOS電容器（大多為光敏二極管），它是在P 型Si襯底表面上用氧化的辦法生成1層厚度約為1000A～15 00A的SiO2，再在SiO2表面蒸鍍一金屬層（多晶硅），在襯底和金屬電極間加上1個(gè)偏置電壓，就構(gòu)成1個(gè)MOS電容器。當(dāng)有1束光線投射到MOS電容器上時(shí)，光子穿過(guò)透明電極及氧化層，進(jìn)入P型Si襯底，襯底中處于價(jià)帶的電子將吸收光子的能量而躍入導(dǎo)帶。光子進(jìn)入襯底時(shí)產(chǎn)生的電子躍遷形成電子－空穴對(duì)，電子－空穴對(duì)在外加電場(chǎng)的作用下，分別向電極的兩端移動(dòng)，這就是信號(hào)電荷。這些信號(hào)電荷儲(chǔ)存在由電極形成的“勢(shì)阱”中。
MOS電容器的電荷儲(chǔ)存容量可由下式求得：
QS=Ci×VG×A
式中： QS是電荷儲(chǔ)存量；
Ci是單位面積氧化層的電容； VG是外加偏置電壓；
A是MOS電容柵的面積。
由此可見(jiàn)，光敏元面積越大，其光電靈敏度越高。1個(gè)3相驅(qū)動(dòng)工作的CCD中電荷轉(zhuǎn)移的過(guò)程。
（a）初始狀態(tài)；（b）電荷由①電極向②電極轉(zhuǎn)移；（c）電荷在①、②電極下均勻分布；
（d）電荷繼續(xù)由①電極向②電極轉(zhuǎn)移；（e）電荷完全轉(zhuǎn)移到②電極；（f）3相交疊脈沖。
假設(shè)電荷最初存儲(chǔ)在電極①（加有10V電壓）下面的勢(shì)阱中，如圖2（a）所示，加在CCD所有電極上的電壓，通常都要保持在高于某一臨界值電壓Vth，Vth稱為CCD閾值電壓，設(shè)Vth=2V。所以每個(gè)電極下面都有一定深度的勢(shì)阱。顯然，電極①下面的勢(shì)阱最深，如果逐漸將電極②的電壓由2V增加到10V，這時(shí)，①、②兩個(gè)電極下面的勢(shì)阱具有同樣的深度，并合并在一起，原先存儲(chǔ)在電極①下面的電荷就要在兩個(gè)電極下面均勻分布，（b）和（c）所示，然后再逐漸將電極下面的電壓降到2V，使其勢(shì)阱深度降低，（d）和（e）所示，這時(shí)電荷全部轉(zhuǎn)移到電極②下面的勢(shì)阱中，此過(guò)程就是電荷從電極①到電極②的轉(zhuǎn)移過(guò)程。如果電極有許多個(gè)，可將其電極按照1、4、7…，2、5、8…和3、6、9…的順序分別連在一起，加上一定時(shí)序的驅(qū)動(dòng)脈沖，即可完成電荷從左向右轉(zhuǎn)移的過(guò)程。用3相時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)的CCD稱為3相CCD。
特性
①調(diào)制傳遞函數(shù)MTF特性：固態(tài)圖像傳感器是由像素矩陣與相應(yīng)轉(zhuǎn)移部分組成的。固態(tài)的像素盡管己做得很小，并且其間隔也很微小，但是，這仍然是識(shí)別微小圖像或再現(xiàn)圖像細(xì)微部分的主要障礙。
②輸出飽和特性：當(dāng)飽和曝光量以上的強(qiáng)光像照射到圖像傳感器上時(shí)，傳感器的輸出電壓將出現(xiàn)飽和，這種現(xiàn)象稱為輸出飽和特性。產(chǎn)生輸出飽和現(xiàn)象的根本原因是光敏二極管或MOS電容器僅能產(chǎn)生與積蓄一定極限的光生信號(hào)電荷所致。
③暗輸出特性：暗輸出又稱無(wú)照輸出，系指無(wú)光像
CCD傳感器信號(hào)照射時(shí)，傳感器仍有微小輸出的特性，輸出來(lái)源于暗〔無(wú)照）電流。
④靈敏度：?jiǎn)挝惠椛湔斩犬a(chǎn)生的輸出光電流表示固態(tài)圖象傳感器的靈敏度，它主要與固態(tài)圖像傳感器的像元大小有關(guān)。
⑥彌散：飽和曝光量以上的過(guò)亮光像會(huì)在象素內(nèi)產(chǎn)生與積蓄起過(guò)飽和信號(hào)電荷，這時(shí)，過(guò)飽和電荷便會(huì)從一個(gè)像素的勢(shì)阱經(jīng)過(guò)襯底擴(kuò)散到相鄰像素的勢(shì)阱。這樣，再生圖像上不應(yīng)該呈現(xiàn)某種亮度的地方反而呈現(xiàn)出亮度，這種情況稱為彌散現(xiàn)象。
⑥殘像：對(duì)某像素掃描并讀出其信號(hào)電荷之后，下一次掃描后讀出信號(hào)仍受上次遺留信號(hào)電荷影響的現(xiàn)象叫殘像。
⑦等效噪聲曝光量：產(chǎn)生與暗輸出（電壓）等值時(shí)的曝光量稱為傳感器的等效噪聲曝光量。
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