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[導(dǎo)讀]圖6.16中,相鄰的端接電路會在電路走線之間交叉耦合信號能量。這種交叉耦合比通常發(fā)生在相鄰傳輸線之間的串?dāng)_更嚴(yán)重。本文將提供接交叉耦合的實際測量結(jié)果,同時給出了一些預(yù)測端接電路串?dāng)_的提示。端接中的串?dāng)_同時

圖6.16中,相鄰的端接電路會在電路走線之間交叉耦合信號能量。這種交叉耦合比通常發(fā)生在相鄰傳輸線之間的串?dāng)_更嚴(yán)重。

本文將提供接交叉耦合的實際測量結(jié)果,同時給出了一些預(yù)測端接電路串?dāng)_的提示。

端接中的串?dāng)_同時來自互感耦合和互容耦合。感性耦合通常比較大,總耦合是感性部分和容性部分的總和,這兩部分都與輸入信號的導(dǎo)數(shù)成正比。我們的目的是找到一個總耦合系數(shù),而不關(guān)心安到底是磁場還是電場的耦合。

其中:噪聲電壓=耦合到走線2的峰值串?dāng)_
      K=交叉耦合系數(shù)
      R=阻抗,Ω
      △V=驅(qū)動信號階躍幅度,V
      T10~90%=驅(qū)動信號上升時間,S

1、相鄰實芯電阻的串?dāng)_

端接電阻相鄰插裝的感性耦合通常依照上式的規(guī)則。我們可以用這個近似式來方便地估算串?dāng)_系數(shù):

其中,Y=兩個插孔之間電阻的長度,IN
      H=到地平面的中心線的高度,IN
      W=電阻中心線之間的間距,IN
      K=串?dāng)_耦合系數(shù)

圖6.17繪出K的測量值和計算值,測量值是從一個實際例子中測量出的真實串?dāng)_,然后采用式()推算出K值,計算值是從上式得出的,采用與實際例子中相同的長度和高度,但間距不同。

如果電阻的布局是交錯的,如圖6.18所示,就要用交疊長度來代替上式中的Y。

2、相鄰表面貼裝電阻的串?dāng)_

表面貼裝電阻本身距離電路板比較近,與實芯電阻相比,可以大大降低串?dāng)_系數(shù)。為了取得最好的效果,使地平面層接近電路板外層表面,直接把地層埋在表面貼裝元件下面,這樣可以減小上式中的參數(shù)H、降低串?dāng)_

3、單列直插(SIP)端接電阻的串據(jù)

這些器件的效果可能好,也可能不好,這要取決于其內(nèi)部的走線。圖6.19顯示出了單接地引腳端接電阻的共同電流路徑,這個共同電流路徑會在該封裝的電阻間引入大量的耦合電感。

表6.2列出了0.1IN間距SIP封裝電阻排的典型耦合系數(shù)。封裝SIP-A包含7個電阻,采用8引腳的封裝,一端有公共的地線引腳。在封裝SIP-A中,電阻7距離地線引腳最遠(yuǎn),封裝SIP-B包含4個電阻,采用8引腳的封裝,每個電阻都有獨立的地,所有的電阻都是50歐,獨立SIP-B封裝比公共地網(wǎng)絡(luò)的性能幾乎好100倍。

采用式可以把這些耦合系數(shù)轉(zhuǎn)換成耦合噪聲電平。

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