主導(dǎo)閃存發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)

 閃存幾乎無(wú)處不在，特別是在移動(dòng)設(shè)備中。閃存具有各種外形尺寸，隨著成本的不斷降低以及容量和工作壽命的不斷增加，閃存不斷地推動(dòng)著越來(lái)越多的平臺(tái)中硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的發(fā)展。

NAND和NOR閃存主導(dǎo)著固態(tài)非易失性存儲(chǔ)器(NVM)市場(chǎng)，但是這些閃存并不是唯一可用的技術(shù)。不會(huì)明確地暴露閃存的外形尺寸是使用非閃存技術(shù)來(lái)替代的可能目標(biāo)。比如，非閃存產(chǎn)品正在串行存儲(chǔ)領(lǐng)域中暫露頭角。

圖1：閃存具有各種外形尺寸，包括SecureDigital(a)、MicroSD(b)、Sony記憶棒(c)、緊湊型閃存(d)和mSATA(e)。它們一般都采用NAND閃存

非易失性固態(tài)存儲(chǔ)器

一方面是一次性可編程(OTP)存儲(chǔ)器?，F(xiàn)在，OTP存儲(chǔ)器一般用來(lái)保存安全密鑰或網(wǎng)絡(luò)ID。它是采用諸如熔絲、反熔絲和浮柵等各種技術(shù)實(shí)現(xiàn)的。這種存儲(chǔ)器還可以采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)。

帶動(dòng)NVM規(guī)模的是各種多次可編程(MTP)存儲(chǔ)器技術(shù)，這類(lèi)技術(shù)可以寫(xiě)入上百次甚至上千次。MTP存儲(chǔ)器一般用來(lái)實(shí)現(xiàn)很少更改的啟動(dòng)代碼。與OTP一樣，MTP一般是采用CMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)的，這樣就可以用在數(shù)字邏輯中。

浮柵EEPROM已經(jīng)在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)中得到普遍的應(yīng)用。由于具有寫(xiě)入單字節(jié)的能力、良好的耐力和數(shù)據(jù)保持能力，浮柵EEPROM已經(jīng)相當(dāng)流行，但是閃存技術(shù)在密度上遠(yuǎn)勝于浮柵EEPROM。EEPROM仿真常常被視為某些閃存實(shí)現(xiàn)方案的一種功能，它可以隱藏閃存的塊擦除要求，以便能夠?qū)懭雴蝹€(gè)字節(jié)。

其他的非易失性技術(shù)正在不斷地提升閃存的優(yōu)勢(shì)，包括磁阻RAM(MRAM)、鐵電RAM (FRAM)、相變存儲(chǔ)器(PCM)以及前途無(wú)量的NVM技術(shù)。與NAND和NOR閃存等其他NVM技術(shù)相比，這些技術(shù)都具有更高的總體性能，包括寫(xiě)入速度、電壓要求、缺少頁(yè)面擦除周期、長(zhǎng)期耐用性、數(shù)據(jù)保持能力和可擴(kuò)展性。

這些技術(shù)開(kāi)始是針對(duì)利基市場(chǎng)，在這種市場(chǎng)中，成本高一點(diǎn)并沒(méi)有什么問(wèn)題(至少在初期階段是這樣)，其優(yōu)勢(shì)相當(dāng)明顯。它們甚至?xí)l(fā)SRAM與DRAM之間的激烈競(jìng)爭(zhēng)。

德州儀器(TI)公司的16位MSP430FR57xx系列以其高達(dá)16 kB的用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和程序存儲(chǔ)的FRAM而著稱(chēng)。該系列存儲(chǔ)器具有代表性地融合了SRAM、閃存和EEPROM存儲(chǔ)器。單個(gè)方案就可以降低庫(kù)存單位(SKU)數(shù)，并簡(jiǎn)化開(kāi)發(fā)人員的工作，使他們不再需要應(yīng)付程序存儲(chǔ)的RAM要求。

今后，這些可供選擇的NVM技術(shù)將在更多的設(shè)計(jì)中得到應(yīng)用。不過(guò)現(xiàn)在，閃存仍是主導(dǎo)的NVM技術(shù)。

閃存技術(shù)

閃存實(shí)現(xiàn)方案可以分成NAND和NOR方案，不同的供應(yīng)商提供的方案各有不同。他們一般采用浮柵晶體管。這兩種技術(shù)都表明了晶體管是如何連接和使用的，而不是將晶體管作為數(shù)字邏輯的一部分與FPGA或定制邏輯整合在一起。

NOR閃存晶體管接地和位線(xiàn)，這樣就可以訪(fǎng)問(wèn)單個(gè)位。與NAND閃存相比，它具有更好的耐寫(xiě)性能。NOR閃存一般用在有代碼和數(shù)據(jù)的應(yīng)用中。帶片上閃存的微控制器一般都會(huì)整合NOR閃存。

NAND閃存晶體管一般是成組連接至字線(xiàn)。這就可以實(shí)現(xiàn)比NOR閃存更高的密度。NAND閃存一般用于面向塊的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。從晶體管的角度來(lái)看，NAND閃存不如NOR閃存可靠，因此NAND存儲(chǔ)平臺(tái)就需要使用錯(cuò)誤檢測(cè)和校正硬件或軟件。NAND閃存一般用于高容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。

閃存使用擦寫(xiě)周期。擦除本質(zhì)上是將閃存設(shè)置為1。寫(xiě)入則是將位設(shè)置為0，只要現(xiàn)有的1被改為0，就可以寫(xiě)入不同的數(shù)據(jù)。由于允許在沒(méi)有長(zhǎng)時(shí)間的耗電擦除周期的情況下執(zhí)行操作，因此閃存文件系統(tǒng)可以充分利用這種特性。NAND閃存一般工作在塊級(jí)別，而NOR可訪(fǎng)問(wèn)更加精細(xì)的級(jí)別。

閃存從單級(jí)單元(SLC)數(shù)據(jù)編碼開(kāi)始，每個(gè)存儲(chǔ)晶體管對(duì)1或0進(jìn)行編碼。多級(jí)單元(MLC)閃存一般是指每單元存儲(chǔ)2位(而不是1位)信息的能力。在晶體管級(jí)，所有的信息都是模擬的，不過(guò)與構(gòu)建MLC閃存所需要的四級(jí)檢測(cè)電路相比，構(gòu)建一個(gè)兩級(jí)檢測(cè)電路更加簡(jiǎn)單。

同樣，對(duì)MLC單元進(jìn)行編程需要有產(chǎn)生四個(gè)不同級(jí)的能力。三級(jí)單元(TLC)閃存則更進(jìn)了一步，這種閃存將3位或八級(jí)裝入單個(gè)存儲(chǔ)單元中，比如美光(Micron)公司的3位34nm NAND閃存芯片。

MLC或TLC存儲(chǔ)器的明顯優(yōu)勢(shì)是密度更高。其通常會(huì)在性能上作出折衷，尤其是耐寫(xiě)性能方面。

典型的SLC NAND閃存的可寫(xiě)次數(shù)為10萬(wàn)次，而SLC NOR閃存的可寫(xiě)次數(shù)為100萬(wàn)次。MLC閃存的可寫(xiě)次數(shù)則僅為上述次數(shù)的10分之一，TLC閃存的可寫(xiě)次數(shù)則更少。隨著技術(shù)的進(jìn)步，這些可寫(xiě)次數(shù)在不斷地增加。SLC具有更好的耐寫(xiě)性能，而MLC和TLC的成本效益將更高。

閃存系統(tǒng)的使用壽命取決于多重因素，包括其托管方式。如果一個(gè)區(qū)域出現(xiàn)耗損時(shí)(即出現(xiàn)寫(xiě)入失敗，無(wú)法保存正確的信息的情況時(shí))，非托管型閃存就會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題。錯(cuò)誤檢測(cè)系統(tǒng)有助于確定何時(shí)出現(xiàn)這種情況，不過(guò)一旦出現(xiàn)這種情況，設(shè)備一般也毫無(wú)用處了。更糟糕的是，其失效可能會(huì)導(dǎo)致相當(dāng)多的問(wèn)題。這也就是為什么帶有內(nèi)置閃存(無(wú)法跟蹤耗損情況)的微控制器等器件依賴(lài)于可寫(xiě)次數(shù)較高的NOR閃存的原因。

有多種方法可以用來(lái)提高總系統(tǒng)壽命，比如耗損均衡。這種方法需要重新映射信息位置的能力。該方法對(duì)于面向塊的器件最有效，盡管它可以應(yīng)用到塊大小的單個(gè)字中。實(shí)現(xiàn)耗損均衡會(huì)引起開(kāi)銷(xiāo)，因此塊尺寸較大的話(huà)，效率就會(huì)更高。

耗損均衡可將寫(xiě)入操作分布在存儲(chǔ)設(shè)備中。系統(tǒng)的使用壽命可以視為系統(tǒng)的總寫(xiě)入容量，而不是單個(gè)塊的最大值。耗損均衡需要跟蹤塊寫(xiě)入使用情況以及記錄和利用該信息的能力。如果出現(xiàn)缺陷的話(huà)，塊的使用壽命往往會(huì)縮短至不到其建議的寫(xiě)入壽命。

在這種情況下，如果存儲(chǔ)器被超額配置的話(huà)，則可以使用重新映射機(jī)制。額外的塊或扇區(qū)在硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器上很常見(jiàn)，對(duì)閃存可以采用同樣的方法。唯一的區(qū)別是，如果在規(guī)則的塊中檢測(cè)到不可校正的錯(cuò)誤，那么就會(huì)使用額外的塊。

使用耗損均衡之后，所有的塊往往就都是存儲(chǔ)池的一部分。如果系統(tǒng)是以軟件方式實(shí)現(xiàn)的，也可以根據(jù)系統(tǒng)所需的使用壽命來(lái)選擇邏輯設(shè)備尺寸。邏輯尺寸越小，出現(xiàn)的“額外”塊越多。

像FRAM、MRAM和PCM等其他一些技術(shù)不會(huì)出現(xiàn)與閃存一樣的耐寫(xiě)能力問(wèn)題。但是仍然可以使用諸如存儲(chǔ)器過(guò)度配置和重新映射等技術(shù)，特別是在硬件缺陷等其他錯(cuò)誤可能比較常見(jiàn)的大型設(shè)備中。

閃存軟件和控制器

對(duì)閃存的受控訪(fǎng)問(wèn)使軟件可以忽略從擦除要求到耐寫(xiě)能力等一系列支持閃存的問(wèn)題。在哪里以及以何種方式實(shí)現(xiàn)這種控制差別很大。

閃存文件系統(tǒng)是開(kāi)發(fā)人員處理原始閃存的一種方法。這些系統(tǒng)是可訪(fǎng)問(wèn)閃存芯片接口的設(shè)備驅(qū)動(dòng)器。明顯地，相對(duì)于操作系統(tǒng)和應(yīng)用而言，驅(qū)動(dòng)器處理所有的閃存常規(guī)工作，如錯(cuò)誤檢測(cè)、耗損均衡和壞塊重新映射。它可以將部分閃存用于內(nèi)部表，并負(fù)責(zé)說(shuō)明閃存擦除和寫(xiě)入特性。

驅(qū)動(dòng)器可以提供一定的文件和目錄管理功能，或者只代表一個(gè)低級(jí)邏輯塊器件。這兩種方法有各自的優(yōu)勢(shì)，需根據(jù)具體的應(yīng)用環(huán)境來(lái)選擇。

采用硬件方案時(shí)，一般會(huì)提供塊級(jí)接口。由于軟件方案一般無(wú)法提供硬件加速，因此硬件方案還可以整合更具魯棒性的糾錯(cuò)和映射系統(tǒng)。早期階段出現(xiàn)過(guò)眾多閃存控制器公司，不過(guò)現(xiàn)在它們都已經(jīng)被致力于提供集成度更高的方案的閃存公司收購(gòu)了。

將閃存放在硬件控制器后面可以起很大的作用。比如，它可以簡(jiǎn)化設(shè)備接口、提供諸如降低功耗(包括各種休眠模式)等更加先進(jìn)的功能，并實(shí)現(xiàn)混合存儲(chǔ)系統(tǒng)。

混合系統(tǒng)可在同一封裝中整合不同類(lèi)型的存儲(chǔ)器。這種方法可以通過(guò)在混合系統(tǒng)中增加RAM，從而使NAND閃存等塊設(shè)備能夠在比特級(jí)或文字級(jí)進(jìn)行訪(fǎng)問(wèn)。三星(Samsung)的OneNAND將SRAM與其N(xiāo)AND閃存控制器整合在一起。該方案可使系統(tǒng)用作程序存儲(chǔ)器，并根據(jù)需要在SRAM中對(duì)塊設(shè)備進(jìn)行緩存。

此外，RAM的速度也比閃存快，特別是寫(xiě)入速度方面。它也不受閃存耐寫(xiě)能力限制的影響。并且RAM不受塊訪(fǎng)問(wèn)的限制。作為一般緩存系統(tǒng)使用時(shí)，混合系統(tǒng)兼具閃存和RAM的諸多優(yōu)勢(shì)。由于在這類(lèi)設(shè)計(jì)中閃存往往比RAM更多，因此必要時(shí)數(shù)據(jù)需從RAM中轉(zhuǎn)入閃存中。

希捷公司(Seagate)推出的Momentus XT硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器表明，混合系統(tǒng)可以變得更加復(fù)雜。該存儲(chǔ)系統(tǒng)整合了三種存儲(chǔ)器：DRAM、SLC閃存和旋轉(zhuǎn)磁性存儲(chǔ)器。它具有SATA接口，因此除了閃存和硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器控制器之外，還有一個(gè)SATA控制器。這對(duì)于用戶(hù)來(lái)講完全是透明的。

在閃存中使用硬件控制器還可以讓設(shè)計(jì)人員在混合系統(tǒng)中增加安全和加密等其他功能。硬件加速也可以從這些功能中受益。

將閃存接口標(biāo)準(zhǔn)化一定會(huì)簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員的工作。開(kāi)放NAND閃存接口(ONFI)工作組一直在致力于這方面的工作，他們于2011年發(fā)布了OFNI 3.0規(guī)范。該規(guī)范旨在提供400Mtransfers/s的傳輸速度和雙數(shù)據(jù)速率(DDR)傳輸。其切換模式2.0可選地采用差分信令。此外，OFNI還規(guī)定了芯片級(jí)外形尺寸，不過(guò)閃存可采用的外形尺寸相當(dāng)多。

閃存的尺寸

小型串行閃存設(shè)備的外形尺寸差異相當(dāng)大。有支持一級(jí)(1Wire)協(xié)議的三引腳設(shè)備以及支持I2C和SPI的各種設(shè)備。四SPI(QSPI) NVM設(shè)備可將傳輸?shù)奈粩?shù)增加四分之一，甚至還有微控制器，這類(lèi)設(shè)備可以直接從像恩智浦半導(dǎo)體(NXP)公司的LPC1800系列這樣的QSPI串行存儲(chǔ)器中執(zhí)行程序。

將程序保存在串行閃存中是相當(dāng)常見(jiàn)的。大多數(shù)PC都將其BIOS保存在串行閃存中。芯片引導(dǎo)裝載程序?qū)⒃摮绦驈?fù)制到執(zhí)行該程序的RAM中。NXP公司的LPC1800一次讀取存儲(chǔ)器中的一個(gè)指令。

串行存儲(chǔ)器是FRAM和MRAM等其他技術(shù)應(yīng)用的首個(gè)用武之地之一。串行存儲(chǔ)器一般包含溫度傳感器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)等其他子系統(tǒng)。有些RTC甚至利用串行存儲(chǔ)器保存時(shí)間戳信息。

具有JEDEC e-MMC(嵌入式多媒體卡)外形尺寸的芯片(比如San-Disk的iNAND)采用與可移動(dòng)七引腳MMC外形尺寸相同的串行接口。對(duì)于開(kāi)發(fā)人員來(lái)講，其優(yōu)勢(shì)在于他們可以對(duì)固定存儲(chǔ)器和移動(dòng)存儲(chǔ)器使用同樣的接口。

該七引腳MMC設(shè)備可插入與九引腳SD和九引腳SDIO設(shè)備相同的插槽中，因此I/O設(shè)備可以置于該卡上。SD與MMC具有相同的引腳分布，其外沿附近增加了兩個(gè)額外的引腳。MMC接口本質(zhì)上是SPI接口，SD為QSPI接口。11引腳miniSD卡和八引腳microSD卡都采用相同類(lèi)型的接口，只不過(guò)封裝更小。這些串行設(shè)備的傳輸速率為832Mbps。

移動(dòng)閃存也采用USB、SATA和SAS接口。SAS往往只用于驅(qū)動(dòng)器上，而SATA則用于具有磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器外形尺寸的閃存驅(qū)動(dòng)器以及像Viking Technology公司的SATA Cube 3這樣的嵌入式設(shè)備中。SATA Cube 3是一堆帶閃存和控制器的電路板。電路板越多，表明存儲(chǔ)容量越大。

板上SATA設(shè)備還包含mSATA和Slim SATA模塊等標(biāo)準(zhǔn)。相比與SD卡等介質(zhì)配合使用的SPI/QSPI 接口，SATA接口可以提供高相當(dāng)多的吞吐能力。大型SATA閃存一般用于1.8、2.5和3.5英寸的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器外形尺寸中。

基于IDE的微型閃存仍是許多嵌入式母板上的常見(jiàn)功能部件。隨著微控制器從IDE和PCI轉(zhuǎn)換到SATA和PCI Express，這種情況正在發(fā)生變化。雖然攝像機(jī)往往采用SD卡，不過(guò)仍有許多移動(dòng)設(shè)備(比如數(shù)碼攝像機(jī))使用微型閃存。

USB閃存驅(qū)動(dòng)器已經(jīng)有效地替代了CD、DVD和軟盤(pán)。與現(xiàn)在的平均容量相比，首款USB 1.x閃存驅(qū)動(dòng)器的存儲(chǔ)容量相當(dāng)小。如今的高端平臺(tái)的規(guī)模相當(dāng)大，并且采用USB 3.0總線(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)。

容量和速度并不是隨著USB閃存驅(qū)動(dòng)器的發(fā)展而變化的唯一指標(biāo)。增加的功能(特別是安全領(lǐng)域中)更為普遍。比如，Apricorn公司的Aegis安全密鑰帶一個(gè)內(nèi)置鍵盤(pán)，可用來(lái)輸入安全代碼，阻止按鍵記錄病毒捕獲代碼。它可以用在任何操作系統(tǒng)上。

大多數(shù)與安全相關(guān)的其他解決方案都采用在主機(jī)上運(yùn)行并使用主機(jī)輸入所有解碼密鑰的設(shè)備驅(qū)動(dòng)器或者應(yīng)用程序。Aegis安全密鑰具有管理員和用戶(hù)密碼。這些功能可用來(lái)對(duì)加密和解密保存在閃存中的數(shù)據(jù)的密鑰進(jìn)行解碼。

USB閃存驅(qū)動(dòng)器一般用于便攜設(shè)備中，不過(guò)它們也廣泛地用在嵌入式設(shè)備中。許多母板都有一個(gè)內(nèi)部A型連接器。大多數(shù)母板只有背板上有A型連接器。有些設(shè)備(像Eurotech公司的Helios Edge控制器)僅有用于閃存的USB接口和外設(shè)接口(請(qǐng)參見(jiàn)“Eurotech公司的Helios Edge控制器的實(shí)地操作評(píng)估”一文)。

USB頭在母板上也很常見(jiàn)。它們用于通過(guò)線(xiàn)纜和背板連接的額外外部USB接口，還可以用于USB存儲(chǔ)器中，比如Swissbit公司的USB存儲(chǔ)器(圖6)。Swissbit USB閃存模塊可插入大多數(shù)母板的標(biāo)準(zhǔn)九引腳USB頭中。母板上不一定總是使用安裝孔，但是當(dāng)板可以用螺栓固定到母板上時(shí)，安裝孔確實(shí)可以提供穩(wěn)固的解決方案。

像mSATA和Swissbit公司的USB閃存模塊這樣的模塊并不是基于板的唯一閃存方案。閃存還可用于雙列直插內(nèi)存模塊(DIMM)和小外形DIMM (SODIMM)外形尺寸，不過(guò)與DRAM一樣，僅使用閃存的解決方案沒(méi)有標(biāo)準(zhǔn)。

另一方面，有些方案(比如Viking Technology公司的ArxCis-NV)將DRAM與閃存整合在一起。閃存作為備份，用于在斷電時(shí)保存DRAM的內(nèi)容。超級(jí)電容器足以執(zhí)行復(fù)制操作。

使用這些混合存儲(chǔ)器的難題在于軟件需要考慮非易失性。過(guò)去，具有磁芯存儲(chǔ)器的計(jì)算機(jī)可以在不重裝操作系統(tǒng)或應(yīng)用程序的情況下關(guān)斷和導(dǎo)通。這可以節(jié)省相當(dāng)長(zhǎng)的時(shí)間，對(duì)于嵌入式應(yīng)用來(lái)講非常方便。

現(xiàn)在，主要存儲(chǔ)器一般是DRAM。關(guān)斷系統(tǒng)后，這種存儲(chǔ)器中的內(nèi)容就會(huì)丟失，因此默認(rèn)的恢復(fù)過(guò)程就會(huì)重啟系統(tǒng)。與這些已經(jīng)保存了DRAM先前內(nèi)容的非易失性解決方案不同的是，保存在閃存中的引導(dǎo)程序不會(huì)丟失。

大多數(shù)這類(lèi)混合解決方案的目標(biāo)應(yīng)用都是企業(yè)系統(tǒng)，不過(guò)由于它們采用標(biāo)準(zhǔn)DIMM插座，并且看起來(lái)像系統(tǒng)硬件的標(biāo)準(zhǔn)DDR2或DDR3 DRAM，因此這些混合方案可以輕松地整合到嵌入式應(yīng)用中。

曇花一現(xiàn)的PCI Express

帶寬是閃存可以使用的，不過(guò)諸如USB和SATA等諸多接口都受限于無(wú)法充分利用閃存的速度。PCI Express是加快數(shù)據(jù)移動(dòng)的一種方法。

非易失性?xún)?nèi)存主機(jī)控制器接口(NVMHCI)工作組開(kāi)發(fā)了NVM Express標(biāo)準(zhǔn)，并管理著該標(biāo)準(zhǔn)，該標(biāo)準(zhǔn)可以提供非易失性存儲(chǔ)器(在這里基本上是指閃存)的接口。

SCSI Express是另一個(gè)正在準(zhǔn)備階段的標(biāo)準(zhǔn)，該標(biāo)準(zhǔn)可將閃存直接應(yīng)用到PCI Express接口中。這兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的區(qū)別在于接口是SCSI適配器。SAS采用SCSI命令集，因此它可以有效地定義標(biāo)準(zhǔn)SAS接口。而傳統(tǒng)的SAS控制器需要其各自的供應(yīng)商提供的設(shè)備驅(qū)動(dòng)程序。

串行ATA 組織的SATA Express標(biāo)準(zhǔn)是一個(gè)類(lèi)似的標(biāo)準(zhǔn)，不過(guò)該標(biāo)準(zhǔn)可以提供SATA接口。與SCSI Express一樣，SATA Express可以同樣輕松地通過(guò)接口實(shí)現(xiàn)硬盤(pán)存儲(chǔ)器和閃存。

NVM Express和SCSI Express標(biāo)準(zhǔn)都用于企業(yè)。支持熱插拔的板和驅(qū)動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)融合在一起。隨著這些平臺(tái)的日益普及，它們可能會(huì)在嵌入式系統(tǒng)中找到用武之地。由于這些平臺(tái)可以提供位于處理和網(wǎng)絡(luò)硬件所在的板上的高速解決方案，因此它們適合用于嵌入式應(yīng)用。

標(biāo)準(zhǔn)組織

上文已經(jīng)提到了大多數(shù)與閃存相關(guān)的重要組織，比如JEDEC、ONFI工作組和NVMHCI工作組。SD協(xié)會(huì)負(fù)責(zé)移動(dòng)存儲(chǔ)器的SD卡系列。同樣，CompactFlash協(xié)會(huì)負(fù)責(zé)管理CompactFlash標(biāo)準(zhǔn)。T10則負(fù)責(zé)管理SCSI和SCSI Express標(biāo)準(zhǔn)。串行ATA組織負(fù)責(zé)管理SATA Express標(biāo)準(zhǔn)。