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[導(dǎo)讀]什么是CSP?CSP(chip scale package)封裝是指一種封裝自身的體積大小不超過芯片自身大小的20%的封裝技術(shù)(下一代技術(shù)為襯底級(jí)別封裝,其封裝大小與芯片相同)。為了達(dá)成這一目的,制造商盡可能的減少不必要的結(jié)構(gòu)

什么是CSP?

CSP(chip scale package)封裝是指一種封裝自身的體積大小不超過芯片自身大小的20%的封裝技術(shù)(下一代技術(shù)為襯底級(jí)別封裝,其封裝大小與芯片相同)。為了達(dá)成這一目的,制造商盡可能的減少不必要的結(jié)構(gòu),比如采用標(biāo)準(zhǔn)高功率LED、去除陶瓷散熱基板和連接線、金屬化P和N極和直接在LED上方覆蓋熒光層。

根據(jù)Yole Développement 統(tǒng)計(jì),CSP封裝將在2020年占到高功率的34%。

為什么CSP封裝面臨散熱挑戰(zhàn)?

CSP封裝被設(shè)計(jì)成通過金屬化的P和N極直接焊接在印刷電路板(PCB)上。在某一方面來看的確是一件好事,這種設(shè)計(jì)減少了LED基底和PCB之間的熱阻。

但是,由于CSP封裝移除了作為散熱器件的陶瓷基板,這使得熱量直接從LED基底傳遞到PCB板從而變成了強(qiáng)烈的點(diǎn)熱源。這時(shí),對(duì)于CSP的散熱挑戰(zhàn)從“一級(jí)(LED基底層面)”轉(zhuǎn)變成了“二級(jí)(整個(gè)模塊層面)”。

針對(duì)于這種情況,模塊的設(shè)計(jì)者開始使用金屬覆蓋印刷電路板(MCPCB)來應(yīng)對(duì)CSP封裝。

圖1、1x1 mm CSP LED 在0.635 mm AlN 陶瓷基板(170 W/mK)上的熱輻射模型

從圖1、 2中可以看出 ,研究人員針對(duì)MCPCB和氮化鋁(AlN)陶瓷進(jìn)行了一系列的熱輻射模擬試驗(yàn),由于CSP封裝的結(jié)構(gòu),熱通量僅僅通過面積很小的焊點(diǎn)傳遞,大部分熱量均集中在中心部位,這會(huì)導(dǎo)致使用壽命減少,光質(zhì)量降低,甚至LED失效。

MCPCB的理想散熱模型

通常大多數(shù)的MCPCB的結(jié)構(gòu):金屬表面鍍上一層大約30微米的表面覆銅。同時(shí),這個(gè)金屬表面還有一層含有導(dǎo)熱陶瓷顆粒的樹脂介質(zhì)層覆蓋。但是過多的導(dǎo)熱陶瓷顆粒會(huì)影響整個(gè)MCPCB的性能和可靠性。

同時(shí),對(duì)于導(dǎo)熱介質(zhì)層,總是存在性能與可靠性之間的權(quán)衡。

根據(jù)研究人員的分析,為了更好的散熱效果,MCPCB需要降低介質(zhì)層的厚度。由于熱阻(R)等于厚度(L)除以熱傳導(dǎo)率(k)(R= L/(kA)),而熱傳導(dǎo)率只由介質(zhì)的本身屬性決定,因此厚度是唯一的變量。

但是由于介質(zhì)層因?yàn)樯a(chǎn)工藝的限制和使用壽命的考慮無法無限制的減少厚度,因此研究人員需要一種新的材料來解決這個(gè)問題。

納米陶瓷如何變成MCPCB的最佳方案?

研究人員發(fā)現(xiàn)一種電化學(xué)氧化過程(ECO)可以在鋁表面上生成一層幾十微米的氧化鋁陶瓷(Al2O3),同時(shí)這種氧化鋁陶瓷擁有良好的強(qiáng)度和相對(duì)較低的熱傳導(dǎo)率(大約7.3 W/mK)。但是由于氧化膜在電化學(xué)氧化過程中自動(dòng)與鋁原子鍵合,從而降低了兩種材料之間的熱阻,而且還擁有一定的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。

同時(shí),研究人員將納米陶瓷與覆銅結(jié)合,讓這種復(fù)合結(jié)構(gòu)的整體厚度在非常低的情況下還擁有較高的總熱傳導(dǎo)率(大約115W/mK)。因此,這種材料很適合CSP封裝的需求。

結(jié)論

當(dāng)設(shè)計(jì)者繼續(xù)探索尋找合適CSP封裝的材料時(shí),往往發(fā)現(xiàn)他們的需求已經(jīng)超過了現(xiàn)有技術(shù)。散熱問題導(dǎo)致納米陶瓷技術(shù)的催生,這種納米材料介質(zhì)層能夠填補(bǔ)傳統(tǒng)MCPCB與AlN陶瓷的空隙。從而推動(dòng)設(shè)計(jì)者推出更加小型化,清潔高效的光源。

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