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[導(dǎo)讀](天水華天微電子有限公司，甘肅天水 741000)摘要：本文主要說明了淀積型多芯片組件(MCM-D)技術(shù)所使用的主要材料的熱特性。此技術(shù)采用倒裝片技術(shù)把硅芯片安裝到硅基板上。闡述了薄膜電阻和接觸電阻的測(cè)量與所使用金

(天水華天微電子有限公司，甘肅天水 741000)

摘要：本文主要說明了淀積型多芯片組件(MCM-D)技術(shù)所使用的主要材料的熱特性。此技術(shù)采用倒裝片技術(shù)把硅芯片安裝到硅基板上。闡述了薄膜電阻和接觸電阻的測(cè)量與所使用金屬的溫度范圍-28℃～100℃的比較。一套典型的試驗(yàn)結(jié)構(gòu)諸如開爾文接觸、橫橋電阻(CBR)Van der Pauw結(jié)構(gòu)不僅已用于此技術(shù)，而且為了測(cè)試通過球倒裝片連接的接觸電阻，采用一新的開爾文式結(jié)構(gòu)。已獲得MCM封裝的熱模型，并考慮由此類封裝增加的所有的熱電阻。

關(guān)鍵詞：凸點(diǎn)壓焊，電試驗(yàn)結(jié)構(gòu)，MCM-D，多芯片組件，熱分析

中圖分類號(hào)：TN305.94 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A 文章編號(hào)：1681-1070(2005)07-17-06

1 引言

淀積型多芯片組件(MCM-D)封裝技術(shù)的主要特性就是使用微電子技術(shù)裝配的硅基板，在基板上易于完成CMOS器件，例如在基板設(shè)計(jì)中包含邊界掃描元件，以便使最終的MCM自身是可檢驗(yàn)的?；宓燃?jí)不但可包括有源器件，而且也包含電阻、電容和電感，并且允許多達(dá)四層互連線以便可制造功率和接地平面。此高水平的集成化通常伴隨著功率損耗的增加，在功率應(yīng)用問題方面（使用功率晶體管）達(dá)到最大值，并在該封裝范圍之內(nèi)達(dá)到極高溫度。另一方面，如高能物理測(cè)驗(yàn)輻射探測(cè)器應(yīng)用，在一個(gè)MCM-D中，把探測(cè)器和電路封裝于一體，要求工作溫度中這些組件性能的研究是極重要的。

此技術(shù)采用微電子行業(yè)領(lǐng)域各種非標(biāo)準(zhǔn)材料。電阻由TaSi2制成，耐熔金屬能夠經(jīng)受高淀積溫度。此材料與鋁及作為電介質(zhì)的聚酰亞胺一起用于電容器(使用SiN4低應(yīng)力低壓化學(xué)汽相淀積(LPCVD)的部分情況除外)。圖1示出了裝配中采用的所有材料垂直分布的MCM基板斷面圖。MCM-D組件的又一主要特性是倒裝片技術(shù)，把硅芯片通過利用絲網(wǎng)印刷淀積的焊料凸點(diǎn)粘附到基板上。為了對(duì)焊盤陣列采取不同的間距，對(duì)倒裝片進(jìn)行預(yù)處理，需要兩個(gè)工藝：鋁改線技術(shù)和適于焊料焊接的可濕金屬疊層。

在溫度范圍為-28％～100％的狀況下，與一些疊層狀CMOS材料一起，在MCM-D技術(shù)范圍之內(nèi)，對(duì)那些特殊材料和結(jié)構(gòu)的熱性能進(jìn)行探討，完成整個(gè)裝配的熱特性以便考慮通過封裝技術(shù)增加的熱電阻問題。采用有限元模型(FEM)獲得熱模型，然后使用試驗(yàn)數(shù)據(jù)來證實(shí)該模型。

2 熱系數(shù)測(cè)量

為了進(jìn)行電測(cè)試，一套完整的試驗(yàn)基板被設(shè)計(jì)出來。一套典型的試驗(yàn)結(jié)構(gòu)諸如開爾文接觸、橫橋電阻(CBR)及Van der Pauw結(jié)構(gòu)，不但已被用于此測(cè)試，而且也使用一新的開爾文式結(jié)構(gòu)，為的是測(cè)試倒裝片連接的接觸電阻。特征參數(shù)為薄膜電阻、接觸電阻和電容。電阻熱系數(shù)(TCR)通過對(duì)氮及添加磷的硅、兩個(gè)多晶硅層及用于CMOS的金屬、TaSi2、互連鋁和可濕金屬的薄膜電阻測(cè)量，而獲得對(duì)金屬和電容之間接觸電阻的溫度依賴性測(cè)試。

2．1 薄膜電阻

在-28％～100％的不同溫度狀況下，使用Van der Pauw測(cè)量薄膜電阻。使用四根線完成測(cè)量：強(qiáng)加電流與測(cè)量電壓降，使用Keithley 220電流源及一個(gè)Hewlet-Packard HP34401 A數(shù)字萬(wàn)用表。圖2至圖4示出了所獲得的結(jié)果?？煽闯觯琓CR數(shù)值由線性適合性得到，所有的曲線與預(yù)料的直線非常符合。表1總結(jié)了所得到的數(shù)據(jù)，示出了在25℃時(shí)的薄膜電阻和不同材料的TCR。值得注意的是由TaSi2顯示出的負(fù)的TCR(近似于-100×10-6K-1)。雖然TaSi2和多晶硅均顯示出了相同的薄膜電阻值，但是相比較而言TaSi2具有較好的熱特性。鑒于此，把TaSi2作為裝配電阻的材料。最后，同預(yù)計(jì)的一樣，不同金屬的TCR為所有經(jīng)過研究材料的最高狀況。

2．2 接觸電阻

不同金屬之間的接觸電阻也是在不同溫度狀況下進(jìn)行研究的。為了實(shí)現(xiàn)小接觸電阻值的精確測(cè)量，設(shè)計(jì)專門的開爾文試驗(yàn)結(jié)構(gòu)并用于試驗(yàn)基板之中，測(cè)量設(shè)置與薄膜電阻的設(shè)置一樣。為了測(cè)試倒裝片連接的球電阻，采用特別的開爾文結(jié)構(gòu)。此結(jié)構(gòu)由兩部分組成，一半規(guī)定在基板中，而另一半規(guī)定于試驗(yàn)倒裝片中。因此，基板和倒裝片之間的接觸電阻測(cè)量通過圖5中可看到的焊料球來完成。所有的結(jié)果如圖6和圖7?？梢杂^察到，當(dāng)電路電阻僅增加0.3mΩ時(shí)，凸點(diǎn)焊接技術(shù)是非常方便的封裝技術(shù)。

推斷出TCR與薄膜電阻采用同樣的方法。在所有的狀況下接觸電阻顯示了線性特征。M2、互連鋁之間的接觸電阻和TaSi，顯示出了極小的不能與噪聲區(qū)別的TCR，故假定為零。表2總結(jié)了數(shù)字顯示的結(jié)果，表明了在25℃和TcR狀況下測(cè)量的接觸電阻。

2．3 電容

把大電容器3×3mm2用于測(cè)量重新定線金屬間電容變量，這具有像電介質(zhì)的聚酰亞胺。實(shí)施此研究為的是控制環(huán)境的相對(duì)濕度(RH％)，在1MHz狀況下使用Hewlett-Packard HP 4280 C表，校準(zhǔn)開路及短路，補(bǔ)償電纜電容。相應(yīng)溫度與線性密切相關(guān)。在25℃時(shí)測(cè)量的電容數(shù)值為6.1pF mm-2，得出的熱電容系數(shù)(TCC)與TCR一樣，為186×10-3K-1，測(cè)量結(jié)果如圖8所示。