S5PV210簡介
S5PV210是基于ARM Crotex-A8架構32位CPU的微處理器。
內部擁有32根地址線和32位數(shù)據線，32根地址線決定了CPU的地址空間最大為4G，這4G的內存空間如何分配，就是內存映射
S5PV210 datasheet中section 01_02章節(jié) MEMORY MAP有講。
內存分布圖如下
內存分布表如下
ROM : Read Only Memory 只讀存儲器（只不能直接通過地址總線更改數(shù)據的存儲器）
RAM : Ramdom Access Memory 隨機訪問存儲器 （隨機存儲器，指可以隨便在任何一個地址讀寫數(shù)據，例如內存；與之對應的是順序存儲器，必須按照順序進行讀寫，想讀取第二個數(shù)據，必須先讀出第一個數(shù)據，再讀出第二個數(shù)據，例如Flash）
IROM ： Internal ROM 內部ROM，集成在SOC上的ROM
IRAM ： Internal RAM 內部RAM，集成在SOC上的RAM
DRAM ： dynamic RAM 動態(tài)RAM(電容式存儲，需要不斷刷新才能保存數(shù)據)
SRAM ： static RAM 靜態(tài)RAM（具有靜態(tài)存取功能，不需要刷新電路）
DRAM和SRAM的區(qū)別：SRAM優(yōu)點：速度快，使用簡單，不需要刷新，靜態(tài)功耗極低。缺點：元件數(shù)多，集成度低，運行功耗大。DRAM優(yōu)點：集成度遠高于SRAM，功耗低，價格便宜缺點：需要刷新，外圍電路復雜，刷新也使存取速度較慢。
SDRAM ： synchronous dynamic random access memory 同步動態(tài)隨機存儲器，同步是指 Memory工作需要同步時鐘，內部的命令的發(fā)送與數(shù)據的傳輸都以它為基準；動態(tài)是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據不丟失；隨機是指數(shù)據不是線性依次存儲，而是自由指定地址進行數(shù)據讀寫。
SROMC_BANK0 ： SROM contrler BANK0 (SROM 控制器單元0）。
DMZ是英文“demilitarized zone”的縮寫，中文名稱為“隔離區(qū)”，也稱“非軍事化區(qū)”。
S5PV210內存映射講解DRAM0 DRAM1 說明S5PV210能夠外接兩塊內存芯片，支持的最大地址空間分別是 512MB和1GB，也就是說最大支持1.5G的內存。
SROMC_BANK0 - SROMC_BANK5,是六個SROM控制器單元，能夠外接六個SROM器件，如 網卡芯片等。
此外還有兩個 IROM&IRAM，具體分布情況如下
零地址處 IROM&IRAM，其實并不存在，而是映射自0xD000_0000 - 0xD800_0000的IROM&IRAM，或者SROM_BANK0-SROM_BANK5，從而可以選擇多種啟動方式。
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