朱老師ARM裸機學習筆記（二）：S5PV210的內(nèi)存映射

S5PV210簡介

S5PV210是基于ARM Crotex-A8架構(gòu)32位CPU的微處理器。
內(nèi)部擁有32根地址線和32位數(shù)據(jù)線，32根地址線決定了CPU的地址空間最大為4G，這4G的內(nèi)存空間如何分配，就是內(nèi)存映射

S5PV210 datasheet中section 01_02章節(jié) MEMORY MAP有講。
內(nèi)存分布圖如下

內(nèi)存分布表如下

ROM : Read Only Memory 只讀存儲器（只不能直接通過地址總線更改數(shù)據(jù)的存儲器）
RAM : Ramdom Access Memory 隨機訪問存儲器 （隨機存儲器，指可以隨便在任何一個地址讀寫數(shù)據(jù)，例如內(nèi)存；與之對應(yīng)的是順序存儲器，必須按照順序進行讀寫，想讀取第二個數(shù)據(jù)，必須先讀出第一個數(shù)據(jù)，再讀出第二個數(shù)據(jù)，例如Flash）

IROM ： Internal ROM 內(nèi)部ROM，集成在SOC上的ROM
IRAM ： Internal RAM 內(nèi)部RAM，集成在SOC上的RAM

DRAM ： dynamic RAM 動態(tài)RAM(電容式存儲，需要不斷刷新才能保存數(shù)據(jù))
SRAM ： static RAM 靜態(tài)RAM（具有靜態(tài)存取功能，不需要刷新電路）

DRAM和SRAM的區(qū)別：SRAM優(yōu)點：速度快，使用簡單，不需要刷新，靜態(tài)功耗極低。缺點：元件數(shù)多，集成度低，運行功耗大。DRAM優(yōu)點：集成度遠高于SRAM，功耗低，價格便宜缺點：需要刷新，外圍電路復(fù)雜，刷新也使存取速度較慢。

SDRAM ： synchronous dynamic random access memory 同步動態(tài)隨機存儲器，同步是指 Memory工作需要同步時鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準；動態(tài)是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失；隨機是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲，而是自由指定地址進行數(shù)據(jù)讀寫。

SROMC_BANK0 ： SROM contrler BANK0 (SROM 控制器單元0）。

DMZ是英文“demilitarized zone”的縮寫，中文名稱為“隔離區(qū)”，也稱“非軍事化區(qū)”。

DRAM0 DRAM1 說明S5PV210能夠外接兩塊內(nèi)存芯片，支持的最大地址空間分別是 512MB和1GB，也就是說最大支持1.5G的內(nèi)存。

SROMC_BANK0 - SROMC_BANK5,是六個SROM控制器單元，能夠外接六個SROM器件，如 網(wǎng)卡芯片等。

此外還有兩個 IROM&IRAM，具體分布情況如下

零地址處 IROM&IRAM，其實并不存在，而是映射自0xD000_0000 - 0xD800_0000的IROM&IRAM，或者SROM_BANK0-SROM_BANK5，從而可以選擇多種啟動方式。