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[導(dǎo)讀]Ⅰ、概述關(guān)于數(shù)據(jù)的儲存,我覺得編程的人基本上都會使用到,只是看你儲存在哪里。STM32的芯片內(nèi)部FLASH都是可以進(jìn)行編程的,也就是說可以拿來儲存數(shù)據(jù)。但是,很多做一些小應(yīng)用程序開發(fā)的人都沒有利用好這個功能,而

Ⅰ、概述

關(guān)于數(shù)據(jù)的儲存,我覺得編程的人基本上都會使用到,只是看你儲存在哪里。STM32的芯片內(nèi)部FLASH都是可以進(jìn)行編程的,也就是說可以拿來儲存數(shù)據(jù)。但是,很多做一些小應(yīng)用程序開發(fā)的人都沒有利用好這個功能,而是單獨外接一個EEPROM或者FLASH,我覺得有些情況下(小數(shù)據(jù)、不常改動)這是對資源的一種極大浪費。

關(guān)于使用內(nèi)部FLASH進(jìn)行編程,網(wǎng)上也有很多人這么說:1、內(nèi)部FLASH的讀寫次數(shù)有限;2、內(nèi)部FLASH會破壞程序。這些說法確實存在一定道理,對于次數(shù),10W次,我想這個次數(shù)除非你經(jīng)常寫FLASH,正常情況下你打不到這個值。對于破壞程序,如果你編程嚴(yán)謹(jǐn),這個不是問題。綜上,我覺得這些都不是擔(dān)心的問題,只要你用心編好程,這樣就能利用好資源。

舉一個存在的例子,我三年前在STM32F1上面開發(fā)了兩個產(chǎn)品(已經(jīng)投入使用),儲存的數(shù)據(jù)量一個差不多在6K左右,每使用一次,讀寫的次數(shù)差不多在5-10次左右,但是該產(chǎn)品至今還未因FLASH而出現(xiàn)過問題。所以說,利用好資源也是作為一位軟件工程師需要考慮的。

提示:為了安全起見,寫的次數(shù)最好做一個預(yù)估,儲存的地址最和程序存在一定的距離。

Ⅱ、下載

文章提供的“軟件工程”都是在硬件板子上進(jìn)行多次測試、并保證沒問題才上傳至360云盤,請放心下載測試,如有問題請檢查一下你的板子是否有問題。

ST標(biāo)準(zhǔn)外設(shè)庫和參考手冊、數(shù)據(jù)手冊等都可以在ST官網(wǎng)下載,你也可以到我的360云盤下載。關(guān)于F0系列芯片的參考手冊有多個版本(針對F0不同芯片),但有一個通用版本,就是“STM32F0x128參考手冊V8(英文)2015-07”建議參考該手冊,以后如果你換用一種型號芯片也方便了解。

今天的軟件工程下載地址(360云盤):

https://yunpan.cn/cRAK2gWXyJZXD訪問密碼

STM32F0xx的資料可以在我360云盤下載:

https://yunpan.cn/cS2PVuHn6X2Bj訪問密碼 8c37

Ⅲ、準(zhǔn)備工作

對于內(nèi)部FLASH的編程,建議大家準(zhǔn)備F0的參考手冊和數(shù)據(jù)手冊,方便查閱相關(guān)知識,沒有的請到ST官網(wǎng)或到我360云盤下載。

今天總結(jié)的軟件工程是基于“TIM基本延時配置詳細(xì)過程”修改而來,因此需要將該軟件工程下載準(zhǔn)備好。我每次都是提供整理好的軟件工程供大家下載,但是,如果你是一位學(xué)習(xí)者,建議自己親手一步一步操作:打開工程->新建文件(flash.c flash.h) ->添加相關(guān)文件到工程中->添加源代碼。

Ⅳ、FLASH編程說明

STM32F0系列芯片中頁的大小都是規(guī)則的,也就是說都是1K或許2K大?。ㄈ鐖D:F0_FLASH),學(xué)過其他系列芯片的人可能知道,在其他很多芯片中也有不是規(guī)則的,如F2、F4中基本都不是規(guī)則的(如圖:F4_FLASH),有的一塊16K、128K等不規(guī)則。這樣的芯片對于今天提供的工程就不適用,今天提供工程適用于內(nèi)部FLASH規(guī)則大小的芯片。


圖:F0_FLASH


圖:F4_FLASH

Ⅴ、代碼描述

工程概要說明: 提供工程的源代碼主要就是兩個接口,一個寫,一個讀。

void FLASH_WriteNWord(uint16_t* pBuffer, uint32_t WriteAddr, uint16_t nWord);

void FLASH_ReadNWord(uint16_t* pBuffer, uint32_t ReadAddr, uint16_t nWord);

相信經(jīng)常編程的人都明白函數(shù)接口的意思(我的命名規(guī)則還是算比較人性化的),就是和常見的訪問外部FLASH一樣,不會覆蓋數(shù)據(jù),我已經(jīng)在實際工作中應(yīng)用而且商業(yè)化了。

主要在地址“ADDR”處寫一個標(biāo)志位,在地址“ADDR + 1”連續(xù)寫一串?dāng)?shù)據(jù)。如果標(biāo)志位已經(jīng)是“寫過”,則不會再次寫入數(shù)據(jù),只會讀取數(shù)據(jù),意思就是說數(shù)據(jù)只寫一次,以后每次只是讀取數(shù)據(jù)(就是保證掉電后數(shù)據(jù)會不會丟失)。每次讀取數(shù)據(jù),通過串口打印出以前寫入的數(shù)據(jù)是否正確。

提供的工程以簡單為原則,詳細(xì)中文注釋,方便自己方便大家。

①讀函數(shù)接口


該函數(shù)位于flash.c文件下面;

這個函數(shù)接口比較簡單,直接地址讀數(shù)據(jù)。

注意:

A.參數(shù)pBuffer是數(shù)據(jù)緩沖區(qū),是16位的,而不是8位的。(其實這里可以整理為8位的,由于時間有限,后期整理一下)。

B.參數(shù)長度也是16位的數(shù)量。

C.地址是內(nèi)部FLASH地址,可別溢出了,也別和程序儲存地址沖突。最好看看你的程序大小及芯片容量。

②寫函數(shù)接口



該函數(shù)位于flash.c文件下面;

這個函數(shù)接口FLASH_WriteNWord才是本文的重點,原因在于這里的寫不會破壞其它數(shù)據(jù)(哪怕是臨近地址),這個函數(shù)接口是比較現(xiàn)成的,也就是應(yīng)用級的接口。經(jīng)過我大量測試和項目開發(fā),暫未發(fā)現(xiàn)bug。

③重點

A.頁的大小:STM32F0因芯片型號差異請注意頁的大小,我在程序中用一個宏來定義也的大小。

Ⅵ、說明

或許你硬件芯片不是提供工程里面的芯片,但是STM32F0的芯片軟件兼容性很好,可以適用于F0其他很多型號的芯片,甚至是F2、F4等芯片上(具體請看手冊、或者親自測試)。

本文章提供的軟件工程是基于ST標(biāo)準(zhǔn)外設(shè)庫為基礎(chǔ)建立而成,而非使用STM32CubeMX建立工程。個人覺得使用ST的標(biāo)準(zhǔn)外設(shè)庫適合與學(xué)習(xí)者,STM32CubeMX建立工程結(jié)構(gòu)復(fù)雜,對于學(xué)習(xí)者,特別是初學(xué)者估計會頭疼。

今天的工程是基于工程“STM32F0xx_TIM基本延時配置詳細(xì)過程”修改而來,以上實例總結(jié)僅供參考,若有不對之處,敬請諒解。


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