當前位置:首頁 > 醫(yī)療電子 > 醫(yī)療電子
[導讀]  背景介紹  便攜式電池供電醫(yī)療設備的種類繁多,而能夠可靠地為這些設備供電的充電器控制電路也有多種選擇。精心選擇如鉭電容這樣的無源元件,可以提升便攜式設備內(nèi)充電器控制和儲能系統(tǒng)的整體性能。便攜式電池

  背景介紹

  便攜式電池供電醫(yī)療設備的種類繁多,而能夠可靠地為這些設備供電的充電器控制電路也有多種選擇。精心選擇如鉭電容這樣的無源元件,可以提升便攜式設備內(nèi)充電器控制和儲能系統(tǒng)的整體性能。便攜式電池供電醫(yī)療設備的供電既可以使用一次性電池,也可以使用用電池充電器充電的后備可充電電池。對醫(yī)療設備便攜性和易用性的需求已經(jīng)催生了充電控制電路的多項改良。充電器和電池系統(tǒng)已從由許多組件組成的電路,發(fā)展為基于集成微處理器的系統(tǒng),不僅使用的無源元件少,而且布板空間也小。

  鑒于醫(yī)療設備對高可靠性的要求,本文就商用


 

  電池充電器基礎知識

  對使用可充電二次電池的便攜式設備來說,可以使用多種類型的充電器:降壓充電器、離線充電器或者線性穩(wěn)壓器/充電器。最常用的類型是降壓充電器。這種充電器可以把電池源電壓轉(zhuǎn)換為較低電壓并予以穩(wěn)壓。轉(zhuǎn)換器可通過外部交流/直流適配器或者內(nèi)部適配器電路供電。線性穩(wěn)壓器結(jié)構(gòu)緊湊,非常適用于低容量電池充電器應用。單芯片集成解決方案既可為便攜式設備供電,同時還可單獨對電池進行充電。

  圖1是小型直流/直流開關穩(wěn)壓器的例子。它可以為電池充電器提供同步脈沖開關。該脈沖電池充電系統(tǒng)散熱小,采用TSSOP封裝,高度僅1.2毫米。該器件特性豐富,其中包括可在關斷時將電池(Vbat)和外部電源隔離開來。

  充電器中使用的電容有多種類型。輸入去耦電容用于旁路噪聲。一般將0.1μF MLCC電容布置在Vcc引腳附近,用來濾除高頻噪聲。歡迎轉(zhuǎn)載,本文來自電子發(fā)燒友網(wǎng)(http://www.elecfans.com/)

  

 

  圖1 使用威世 Siliconix Si9731實現(xiàn)的鋰離子或鎳鎘/鎳氫微處理器電池充電器

  輸出電容類型的選擇應取決于合適的ESR,以符合穩(wěn)定負載線路范圍,同時應進行下列項目的評估:

  1. 能夠降低功耗

  2. 能夠降低紋波電壓

  3. 能夠滿足系統(tǒng)負載線路的要求。

  轉(zhuǎn)換器負責提供負載電流和電壓。隨著負載的變化,電流的增加,電壓會下降。穩(wěn)壓器可以保持恒定電壓,但對負載電流的變化不能迅速做出響應,所以使用大容量電容來應對這樣的變化,防止電壓下降。如果轉(zhuǎn)換器輸出的電流要通過電感,它就無法瞬時響應,這時就需要在負載兩端跨接一個并聯(lián)電容組,來上拉電壓。有時會混合使用MLCC和鉭電容,以降低總體大容量電容的ESR。由于MLCC的阻抗較低,會先充電,然后才是大容量鉭電容。

  電源及輸出電容的要求

  便攜式醫(yī)療設備使用的電池或為一次性電池,或為二次電池。一次性電池一般只使用一次。在電路工作過程中,活性化學物質(zhì)被消耗殆盡。一旦放電完畢,電路將停止工作,必須更換新的電池。二次電池可以在放電完畢后充電,因為產(chǎn)生電能的化學反應可以逆轉(zhuǎn),從而實現(xiàn)對電池系統(tǒng)充電。電源、電池類型的選擇視應用而定。醫(yī)療設備常用的一次性電池類型有堿性電池和鋰電池。

  二次電池有鋰離子 (Li-ion) 電池、鎳鎘電池 (NiCad)、鎳氫(NiMH) 電池和鉛酸電池。其中鋰離子電池最常用,這是因為鋰離子電池的體積能量密度和質(zhì)量能量密度最大,放電率極低,這意味著閑置時有良好的荷電保持能力。

  表2 鉭電容的功耗及容量范圍

  

 

  便攜式設備電路需要輸出電容,而輸出電容通常由一次性或者二次電池供電,可以在負載瞬變過程中減輕電壓過沖或者下沖。要有效地濾除噪聲,電容的等效串聯(lián)電阻 (ESR) 是重點考慮的參數(shù)。輸出電容用來處理電路的紋波電流和電壓。需要對電容組的過熱予以控制,這樣在電路工作中,不會超過最大允許功耗。需要確定的是,通過輸出電容的紋波電流不超出允許值。

  表2概述了在+25˚C和f=100kHz條件下各種封裝(按外殼尺寸劃分)的最大允許額定功率。對溫升在+25℃以上的應用,建議應進一步進行降額。請參考電容生產(chǎn)廠家關于針對可適用的鉭電封裝的功率降額建議。

  可使用公式P=Irms2 x ESR計算出最大允許交流紋波電流 (Irms),其中P表示鉭電容外殼尺寸對應的最大允許功率,ESR則可根據(jù)電容的工作頻率計算得出。

  對鉭電容,還需要遵守合適的電壓降額規(guī)范,不可超出生產(chǎn)廠家建議的額定值。輸出電容的工作電壓應由電壓電路狀態(tài)決定。其可根據(jù)公式Vrated=Vpeak+Vdc計算得出,即紋波電壓加上直流電壓噪聲。允許的紋波電壓的計算方法為E=IxZ,其中Z表示電容器電阻??傮w來說,較低的ESR可以幫助降低輸出紋波噪聲。

  在電路中加入大容量電容還能在無負載條件下(此時電池尚未工作,使用線路電流供電)起到上電作用。當使用線路電流供電時,在選擇大容量鉭電容的額定值的時候,應遵從降額規(guī)范。

  為電池供電的低壓降穩(wěn)壓器(LDO)選擇輸出電容

  便攜式設備中的線性電壓穩(wěn)壓器或低壓降穩(wěn)壓器(LDO)均采用電池供電。電容的大小非常重要,因為LDO一般采用小型SOT封裝。在負載變化時,常用 LDO來確保提供高精度電壓。在50mA負載電流下,出現(xiàn)90mV壓降非常典型。舉例來說,如果低壓降穩(wěn)壓器的生產(chǎn)廠家規(guī)定使用電容的目的是降低噪聲,那么在選擇電容類型的時候應考慮:

  醫(yī)療設備的性能要求

  規(guī)定的ESR安全工作范圍

  電容的尺寸及成本

  額定電壓

  表3 各類型電容的ESR要求

  

 

  要滿足如表3所示的ESR要求,在電容技術(shù)方面有多項選擇。通過檢查電路負載線的穩(wěn)定性,可以為線路的正常工作選擇合適的電容技術(shù)。

  對低壓降 (LDO) 穩(wěn)壓器進行負載線穩(wěn)定性分析可以得出各種負載情況下的最低和最高ESR 值。

  舉例來說,如果使用10μF的鉭電容用于負載線瞬態(tài)穩(wěn)定,10kHz下測得的ESR的安全工作范圍為最大10Ω,最低10mΩ(見圖2)。

  

 

  圖2 穩(wěn)定運行的LDO穩(wěn)壓器對ESR的要求

  在本例中,如果LDO要高效率地工作,則需要低ESR的最小尺寸的電容器。對該應用來說,符合要求的低ESR電容技術(shù)種類比較多。鉭電容的ESR一般情況下都是生產(chǎn)廠家在100kHz條件下定義的。本應用需要10kHz下的ESR,以便實現(xiàn)合適負載線穩(wěn)定性。

  選擇合適的電容可以通過10kHz時的阻抗-頻率關系來確定。如表2所示,有幾種固態(tài)鉭電容適用于該應用。MLCC、鉭電容、鋁電解電容的對應ESR請參見表2。雖然與采用錳負極的標準固態(tài)鉭電容相比,鉭聚合物電容ESR更低,但由于近期采用二氧化錳(MnO2) 負極對鉭電容結(jié)構(gòu)的改進,部分標準固態(tài)鉭電容產(chǎn)品的ESR 低于 50mΩ,完全可以用于LDO應用。

  

 

  圖3 0603鉭電容的阻抗-頻率曲線

  圖4顯示了威世TM8 -298D 系列M 或0603外殼尺寸的電容器。0603鉭電容在10kHz時的ESR為1.19 Ω,如圖3的鉭電容阻抗-頻率曲線所示。該ESR正處于安全工作范圍內(nèi),可實現(xiàn)出色的電路負載線穩(wěn)定性。在本例中,如果采用具有10 mΩ以下超低ESR的MLCC電容,在電路中就需要給電容串聯(lián)一個小電阻,以便為ESR提供安全工作范圍。由于空間及組件數(shù)量有限,采用單個0603鉭電容就可以同時滿足ESR和空間要求。

  

 

  圖4 鉭電容的尺寸縮減

  在某些情況下,在電路中同時需要大容量電容來減少壓降,以及超低ESR來處理紋波。在更高效率和更低功耗之間實現(xiàn)最佳平衡傾向于使用ESR較低的電容。

  也可以使用其他具有較高ESR的電容技術(shù)。MLCC0 0805是采用400層0805大小的X5R介電層的電容,規(guī)格為10μF~10V。另有采用0603 X5R介電層的10μF~10V電容。它們的ESR在10kHz條件下為 20mΩ。與鉭電容相比,MLCC電容的ESR非常低。然而對于在本應用中用于LDO的電容來說,更低的ESR并不具有優(yōu)勢。

  在本例應用的電容選擇中,電路板空間和成本也是需要考慮的因素。

  

 

  圖5 M.A.P. 鉭電容封裝

  更先進的鉭電容封裝去掉了引線框,提高了體積封裝效率和電氣性能。圖 6 對多陣列封裝 (M.A.P.) 裝配技術(shù)和傳統(tǒng)封裝技術(shù)進行了比較。在標準鉭電容封裝中取消引線框裝配可以節(jié)省更多空間以容納更多的鉭芯。而在傳統(tǒng)引線框封裝中,鉭電容封裝的主體部分是塑封材料或者封裝物。如圖5所示,連接到引線框的正極引線也會占用封裝空間??偟膩碚f,傳統(tǒng)引線框架封裝可用體積有效利用率僅30%。

  如圖 6 所示,通過采用M.A.P.工藝提升封裝中的鉭芯放置精度,從而縮減整體封裝尺寸,實現(xiàn)更嚴格的尺寸誤差控制。采用M.A.P.工藝實現(xiàn)的封裝還能夠降低凈空和為垂直方向的高密度線路提供更好的“參照線”。舉例來說,標準的注塑引線框架鉭電容D型最大高度為4.1mm,而采用M.A.P.工藝生產(chǎn)的D型的高度為1.65mm。

  

 

  圖6 最新 MAP 鉭電容封裝具有最高體積效率

  借助M.A.P.工藝,鉭電容的外殼尺寸一路從A下降到0805(目前的技術(shù))到0603或者0402。鉭粉的改良可以把10µF~10V容量的0805外殼尺寸減少到0603的外殼尺寸,如圖 4 所示。

  電容直流漏電/絕緣電阻比較

  在用電池作為電源的時候,電容直流漏電流 (DCL) 應被視為損耗,因為電容會影響電池的使用狀況和壽命。除了電池,大容量電容也用作便攜式設備中的補充電源,以應對電路負載的變動。

  許多便攜式設備應用要求低DCL,以實現(xiàn)長時間、高效率的電池壽命。為應對負載變化,與電池并聯(lián)一個大容量輸出電容可以保持儲電能力。在某些應用中,設備的運行時間是時斷時續(xù)的短周期,在大多數(shù)時間里電池處于閑置狀態(tài)。因此,該電容需要極低的DCL來滿足便攜式設備的應用需求,盡量延長電池的使用壽命。

  直流漏電數(shù)值很小,所有電容都有這個問題。鉭電容的漏電流為數(shù)微安,而MLCC的漏電流為數(shù)微微安。直流漏電流的測量方法是采用等效的電阻-電容串聯(lián)電路,加上直流電壓,在室溫下測量電流。電容應串聯(lián)一個1000Ω的電阻,以限制充電電流。

  

 

  圖7 鉭電容的 DCL 曲線

  描述DCL的術(shù)語和測量單位隨電容技術(shù)不同而不同。DCL是用于鉭電容的測量單位,而絕緣電阻 (IR) 則是用于MLCC的測量單位。根據(jù)電介質(zhì)類型,MLCC有一個IR限值。對采用X5R電介質(zhì)的大電容MLCC,IR限值為>10,000MΩ或 (R x C) ≥ 500ΩF,以低者為準。MLCC均采用符合軍用產(chǎn)品規(guī)范55681的自動IR測試儀進行過IR最小值篩選。

  DCL可根據(jù)歐姆定律,用電容的IR和額定電壓計算得出。舉例來說,MLCC的IR限值為100MΩ-µF,相當于鉭電容標準DCL限值則為0.01,即(電容x電壓)=0.01µA/µF V。

  鉭電容均根據(jù)規(guī)定的DCL最小值進行過篩選,或者不超過規(guī)定的最大值。鉭電容DCL的測試系根據(jù)軍用產(chǎn)品規(guī)范55365F。各種規(guī)格的鉭電容之間的DCL差異比較明顯,所以每種規(guī)格的鉭電容的限值都是單獨規(guī)定的。

  在便攜應用中,較長保壓時間(soak TIme)下的DCL是電容重要的指標。對于有具體規(guī)格和鉭芯設計的鉭電容,某個生產(chǎn)批次中的DCL分布是可以量化的。如果應用要求極低DCL,可以方便地從某個批次中自動篩選出某個額定電壓下具有特定DCL符合便攜式設備使用條件的鉭電容。

  圖8是一種47µF-10V的鉭電容,雖然其最大DCL為4.7µA,根據(jù)特定的保壓時間篩選后,可為應用提供超低DCL。以圖8的元件為例,該批量可以按照10秒鐘DCL 600nA的標準篩選,從而把總體 DCL 從 4.7µA 降至 600nA 限值。

  

 

  圖8

  DCL限值應根據(jù)電池供電設備的工作時間和非工作時間來決定。舉例來說,如果某便攜式設備的工作時間很短,只有幾秒鐘,而隨后長期處于閑置狀態(tài),那么大容量電容應具備低DCL,以保證較長的電池使用壽命。另外,應該對電路的總體靜態(tài)電流和工作電流進行評估,以確定是否需要低DCL電容。

  電池運行時間和DCL

  對可充電二次電池來說,DCL也很重要,這樣可以延長充電間隔時間,不過總體工作電流中可以允許輸出電容一定程度的漏電流存在。評估電路在各種使用狀況下的電流要求,了解電容的DCL,可以顯著延長電池使用壽命。

  通過測量DCL或者IR可以了解電容電介質(zhì)的性能以及電介質(zhì)層的質(zhì)量。DCL電流在加電的情況下,會流經(jīng)或者跨越電容電介質(zhì)隔離層。對鉭電容這樣采用氧化膜制造的電容來說,DCL電流的主體構(gòu)成部分是多種電流混合而成,有流經(jīng)電介質(zhì)的表面漏電流、因電介質(zhì)材料極化而出現(xiàn)的電介質(zhì)吸收 (DA) 電流、流經(jīng)電介質(zhì)材料的原生漏電流。類似的,采用基于鈦酸鋇的陶瓷電介質(zhì)的MLCC的漏電流主要是流經(jīng)電介質(zhì)的漏電流,以及DA損耗和原生漏電流。

  MLCC具有良好的低DCL特性,但在某些情況下,鉭電容能夠以更小的體積提供同樣低的DCL。表5 比較說明了根據(jù)DCL要求正確評估和選擇合適的電容的計算方法。如表5所示,鉭電容一般按照DCL最大值來確定規(guī)格。標準二氧化錳 (MnO2)構(gòu)造的鉭電容在生產(chǎn)廠家處是按照 (.01xCV) 進行分級的。某些電容生產(chǎn)廠家還會隨DCL信息提供具體的保壓時間,并且根據(jù)比同級別的DCL最大值低得多的具體DCL限值進行電容器的預篩選。

  選擇適用的低DCL電容

  舉例來說,某種短工作占空比的便攜式電池供電醫(yī)療設備需要線路每天啟動電機幾秒鐘,然后關閉。這樣的應用可以使用低DCL的大容量電容。

  具體使用:

  DC/DC轉(zhuǎn)換器,用于電機驅(qū)動

  輸入電壓:1.5V

  固定輸出電壓:3.3V

  輸出電流:200mA@2V

  大容量輸出電容:47µF

  保壓時間60秒時的DCL = 200nA

  如果該47µF大容量電容是鉭電容,則應進行適當?shù)碾妷航殿~。降額應根據(jù)鉭電容生產(chǎn)廠家的降額規(guī)范,具體示例見表4。本示例選擇了10V的額定電壓。

  表4 鉭電容的降額規(guī)范

  

 

  MLCC的額定電壓可以與工作電壓相同或者略高,因此6V的額定電壓已經(jīng)足夠。對 MLCC 而言,如果已知 IR (見表5)和工作電壓 (4V),可以計算出 DCL。適用于低DCL應用的MLCC有X5R和X7R兩種電介質(zhì)。根據(jù)額定工作電壓,可以根據(jù)歐姆定律,用元件的IR值計算出 DCL。

  表5 低DCL電容器選擇

  

 

  為確定鉭電容的 DCL 限值,對多個生產(chǎn)批次中的外殼尺寸為 D 和 F 的 MAP 47µF-10V 電容進行了批量測試,并對每個電容的在不同保壓時間(60 秒)下的 DCL 和對應的保壓時間都進行了記錄,如圖7 所示。然后采用統(tǒng)計分析方法,確定每個批次的較低 DCL。另外,還采用獨特的成型工藝強化了負極,以提升和降低電容的DCL性能。對任何與標準批次相悖的DCL曲線都予以關注,最后找出DCL的較低限值。

  圖4所示的是各種封裝選擇和每種封裝選擇的體積要求。威世的572D系列鉭電容既能滿足DCL要求,又具有最高的體積效率,體積僅為8.39 mm3。如果對空間的要求不是那么嚴苛的話,該應用也可使用MLCC。X5R電介質(zhì)MLCC的DCL低至187nA,與選擇鉭電容一樣,只要一個大容量電容就能滿足要求。MLCC X7R電介質(zhì)電容的電容溫度系數(shù)比X5R更加優(yōu)越,但要組成大容量電容需要兩個MLCC電容并聯(lián)。

  在某些電路中,施壓后電容器保持電容的能力是一個重要的考量因素。對X5R電介質(zhì)MLCC,在選擇元件的額定電壓時,應考慮其電容電壓系數(shù) (VCC)。如果包括紋波電壓在內(nèi)的直流應用電壓接近MLCC的額定電壓,VCC效應會導致該元件損耗部分電容。電容損耗可能會影響電路工作。另外,在選擇元件的時候,還需要考慮溫度對MLCC的IR的影響以及電容溫度系數(shù) (TCC)。生產(chǎn)廠家會提供特定電介質(zhì)隨溫度上升IR的劣化曲線。設計時應對溫度效應進行評估。

  改善鉭電容的DCL

  鉭電容的電介質(zhì)層是一層五氧化二鉭薄膜,覆蓋在每顆鉭芯表面上。其采用陽極化工藝,由厚5nm~10nm的N型氧化鉭層和五氧化二鉭純半導體層復合而成。層厚與陽極化電壓成比例,同時決定了元件的額定電壓。對用于6V電池應用的固鉭電容而言,最終的鉭電介質(zhì)層厚度為0.04微米或者40納米。

  超大容量的MLCC則采用澆覆厚度為2.0微米的陶瓷電介質(zhì)薄層的方式來制造,這樣比鉭電容的要厚得多。MLCC采用層疊工藝,最終制造出多層電容。與鉭電容一樣,MLCC的電介質(zhì)層厚度決定了額定電壓,電介質(zhì)層數(shù)決定了容量。介電常數(shù)的差異導致了IR的巨大差別。

  鉭電容的DCL會因為正極表面的機械損壞或者氧化層表面的破裂而上升。如圖8所示,正極的外表面屬于易損部分,受到熱、機械和電氣作用的共同影響。表面DCL會受濕度的影響,并導致長時間工作的不穩(wěn)定。

  改進鉭芯的生產(chǎn)工藝,更好地控制氧化物層的厚度,可以幫助消除如圖 8所示的表面DCL問題。在鉭芯的外表面生成較厚的電介質(zhì)薄膜,防止其受到機械損壞,從而大幅改善DCL性能,降低DCL。除了改進鉭電容的正極結(jié)構(gòu),與聚合物負極結(jié)構(gòu)相比,鉭電容的二氧化錳負極結(jié)構(gòu)具有更為優(yōu)異的 DCL 性能,因該材料有更好的導電性。

  圖9顯示了采用這種新技術(shù)制造而具有出色DCL性能的新型MAP 0603封裝。結(jié)合對鉭芯的改進,最新 MAP 系列鉭封裝能夠改善裝配、封裝和端接工藝,避免機械損壞,提升電容的體積效率。

  改進醫(yī)用級鉭電容的DCL可靠性

  因為某些醫(yī)療設備需要高可靠性,特別是對關鍵任務型應用而言,電容生產(chǎn)廠家提供穩(wěn)健且保守的設計來滿足性能需求。通過精心的鉭芯和鉭粉設計,醫(yī)用鉭電容的性能會高出標準的商用鉭電容以及采用傳統(tǒng)技術(shù)生產(chǎn)的高可靠產(chǎn)品。

  

 

  圖9

  生產(chǎn)廠家會對每種設計適用的鉭粉進行評估。隨電容器CV的增長,失效率隨之增長,因此應針對具體的設計選擇合適粒徑的鉭粉。對醫(yī)用級設計而已,其目的是在可用的外殼尺寸范圍內(nèi)提供更為可靠的DCL性能。對商用級設計而言,其目的是通過以最小的可用外殼尺寸提供更高的-k CV鉭粉,從而盡量降低成本,最大化設計收益。因此商用鉭電容的DCL總體上會高于醫(yī)用鉭電容。

  下面舉例說明目前的醫(yī)用TM8系列DCL改進后與傳統(tǒng)高可靠194D系列的對比情況。

  圖10對F外殼尺寸的194D系列設計與TM8系列設計進行了比較。194D是一種用于眾多高可靠應用中的老式設計。鉭芯設計采用高-k CV粉末,為23kCV。而 TM8 是一種較新的醫(yī)用級設計,使用10Kvc粉末,大幅度改善了DCL性能,而且采用的最新 MAP 裝配工藝,不會增加板級空間占用。

  

 

  圖10

  醫(yī)療設備中的高蓄能鉭電容

  小型便攜式或者植入型心律轉(zhuǎn)復除顫器 (ICD) 適用于與可能因室性快速型心律失常而突發(fā)心臟病死亡的患者。便攜式除顫器與ICD具有類似功能,都是設計用于為心臟提供電療,恢復正常心律。電療線路采用高能充電電容,用于電擊心臟組織。

  某些設計采用高能鋁電解電容,但需要后備電池以及一個用來實現(xiàn)重整期的程序,以在設備的生命周期內(nèi)保持良好的充電效率。與鋁電解電容相比,高能濕鉭充電電容無需重整,且具有更高的能量密度。

  電容的儲能能力取決于電介質(zhì)的相對電容率的值的大小和材料內(nèi)的最大可允許電壓。當電場出現(xiàn)后,任何電容電介質(zhì)的導電行為都會導致電容損耗。而且損耗會隨電場變化而加大,比如交流電。電介質(zhì)的分子存在出現(xiàn)某種程度的極化,而在電場出現(xiàn)后,初始的時候這些分子的位移是相反的。部分能量消耗在分子的位移上,并在這個過程中消耗殆盡。當電場變化或者消失,這種損耗就體現(xiàn)為熱量。

  箔式鋁電解電容浸沒在導電電解質(zhì)中。電介質(zhì)由鋁箔表面的氧化膜構(gòu)成,其厚度一般為50到100納米,其決定了單位電極面積的容量。鉭電容也有氧化物膜層,但厚度要小得多,一般只有5到10納米。選擇儲能設備使用的電容類型時,需要考慮工作壽命、板級空間和成本要求。因為心臟除顫需要非常高的能量,所以只有鋁電解電容和濕鉭電容適用。

  結(jié)論

  本文討論了便攜式醫(yī)療設備的各種應用及其使用的電路。針對這些便攜式應用,有多種電容可供選擇。選擇適用于這類應用的電容時,優(yōu)先考慮的電氣參數(shù)是電容的DCL和ESR。由于某些醫(yī)療應用對可靠性和電池使用壽命要求極高,一些電容無法適用。

本站聲明: 本文章由作者或相關機構(gòu)授權(quán)發(fā)布,目的在于傳遞更多信息,并不代表本站贊同其觀點,本站亦不保證或承諾內(nèi)容真實性等。需要轉(zhuǎn)載請聯(lián)系該專欄作者,如若文章內(nèi)容侵犯您的權(quán)益,請及時聯(lián)系本站刪除。
換一批
延伸閱讀

9月2日消息,不造車的華為或?qū)⒋呱龈蟮莫毥谦F公司,隨著阿維塔和賽力斯的入局,華為引望愈發(fā)顯得引人矚目。

關鍵字: 阿維塔 塞力斯 華為

加利福尼亞州圣克拉拉縣2024年8月30日 /美通社/ -- 數(shù)字化轉(zhuǎn)型技術(shù)解決方案公司Trianz今天宣布,該公司與Amazon Web Services (AWS)簽訂了...

關鍵字: AWS AN BSP 數(shù)字化

倫敦2024年8月29日 /美通社/ -- 英國汽車技術(shù)公司SODA.Auto推出其旗艦產(chǎn)品SODA V,這是全球首款涵蓋汽車工程師從創(chuàng)意到認證的所有需求的工具,可用于創(chuàng)建軟件定義汽車。 SODA V工具的開發(fā)耗時1.5...

關鍵字: 汽車 人工智能 智能驅(qū)動 BSP

北京2024年8月28日 /美通社/ -- 越來越多用戶希望企業(yè)業(yè)務能7×24不間斷運行,同時企業(yè)卻面臨越來越多業(yè)務中斷的風險,如企業(yè)系統(tǒng)復雜性的增加,頻繁的功能更新和發(fā)布等。如何確保業(yè)務連續(xù)性,提升韌性,成...

關鍵字: 亞馬遜 解密 控制平面 BSP

8月30日消息,據(jù)媒體報道,騰訊和網(wǎng)易近期正在縮減他們對日本游戲市場的投資。

關鍵字: 騰訊 編碼器 CPU

8月28日消息,今天上午,2024中國國際大數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)博覽會開幕式在貴陽舉行,華為董事、質(zhì)量流程IT總裁陶景文發(fā)表了演講。

關鍵字: 華為 12nm EDA 半導體

8月28日消息,在2024中國國際大數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)博覽會上,華為常務董事、華為云CEO張平安發(fā)表演講稱,數(shù)字世界的話語權(quán)最終是由生態(tài)的繁榮決定的。

關鍵字: 華為 12nm 手機 衛(wèi)星通信

要點: 有效應對環(huán)境變化,經(jīng)營業(yè)績穩(wěn)中有升 落實提質(zhì)增效舉措,毛利潤率延續(xù)升勢 戰(zhàn)略布局成效顯著,戰(zhàn)新業(yè)務引領增長 以科技創(chuàng)新為引領,提升企業(yè)核心競爭力 堅持高質(zhì)量發(fā)展策略,塑強核心競爭優(yōu)勢...

關鍵字: 通信 BSP 電信運營商 數(shù)字經(jīng)濟

北京2024年8月27日 /美通社/ -- 8月21日,由中央廣播電視總臺與中國電影電視技術(shù)學會聯(lián)合牽頭組建的NVI技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟在BIRTV2024超高清全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展研討會上宣布正式成立。 活動現(xiàn)場 NVI技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)...

關鍵字: VI 傳輸協(xié)議 音頻 BSP

北京2024年8月27日 /美通社/ -- 在8月23日舉辦的2024年長三角生態(tài)綠色一體化發(fā)展示范區(qū)聯(lián)合招商會上,軟通動力信息技術(shù)(集團)股份有限公司(以下簡稱"軟通動力")與長三角投資(上海)有限...

關鍵字: BSP 信息技術(shù)
關閉
關閉