刻蝕即通過物理或化學(xué)的方法去除非光刻膠或硬掩膜覆蓋區(qū)域的材料。通常有兩種方法,分別為干法刻蝕和濕法刻蝕,它們各有優(yōu)缺點。但對于工藝靈活性、刻蝕精確度和可重復(fù)性等方面來說,干法刻蝕居主導(dǎo)地位。
對于SOl波導(dǎo)(尤其是矩形單模波導(dǎo))或者光子晶體的制作來說,由于其波導(dǎo)尺寸極小(波長量級),在波導(dǎo)壁也具有較多光場分布,這時刻蝕工藝對波導(dǎo)傳輸損耗的影響就相當(dāng)大了,所以這種小尺寸波導(dǎo)的刻蝕工藝需要嚴(yán)格控制其側(cè)壁粗糙度,使其盡量光滑,以使其光損耗盡量減小。減小波導(dǎo)側(cè)壁粗糙度的具體方法可參考波導(dǎo)損耗一節(jié)。
濕法刻蝕雖然能保證波導(dǎo)側(cè)壁比較光滑,但其條寬控制較難,尤其是在波長量級的尺寸上。所以這種方法很少采用。
另外,刻蝕工藝對波導(dǎo)寬度的影響也很重要,理由同光刻。