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[導(dǎo)讀]運(yùn)放高頻放大器的偏置與增益和終端無(wú)關(guān),調(diào)整方便,工作穩(wěn)定、可靠。此外,運(yùn)放射頻放大器有良好的散射參數(shù),由于終端效應(yīng)和匹配可獨(dú)立控制,因而輸入和輸出VSWR較??;運(yùn)放由成百個(gè)晶體管組成,隔離效果很好;CFB運(yùn)放的正向增益不受增益/帶寬積限制,有較高的增益。運(yùn)放射頻放大器的增益平坦度、-1dB壓縮點(diǎn)、互調(diào)制截距和噪聲都要比分立晶體管放大器略勝一籌。

傳統(tǒng)射頻放大器使用分立晶體管有源器件,主要原因是器件價(jià)格低廉。而隨著運(yùn)放性能的提高和批量應(yīng)用的推動(dòng),射頻放大器采用運(yùn)放已成大勢(shì)所趨。相對(duì)于分立晶體管,高速運(yùn)放確實(shí)有其長(zhǎng)處:首先,前者構(gòu)成的放大器,其增益和帶寬與晶體管的偏流和工作點(diǎn)關(guān)系很大,調(diào)整起來(lái)相對(duì)困難;而運(yùn)放的增益是不受偏置影響的。其次,運(yùn)放還能減少工作溫度范圍內(nèi)的參數(shù)漂移,使工作更可靠和穩(wěn)定。

  眾所周知,運(yùn)放又可分為電壓反饋式(VFB)和電流反饋式(CFB)兩種。在實(shí)際應(yīng)用中,大量使用的是VFB運(yùn)放,但在射頻放大器應(yīng)用中,CFB運(yùn)放具有更出色的性能。VFB運(yùn)放的增益一帶寬積是恒定的,增益受到帶寬的限制;CFB運(yùn)放在接近最高頻率處仍有較高的增益。例如,VFB運(yùn)放THS4001開(kāi)環(huán)帶寬(-3dB)為270MHz,增益為100(20dB)時(shí)可用帶寬僅為10MHz;而CFB運(yùn)放THS3001開(kāi)環(huán)帶寬(-3dB)為420MHz,增益100時(shí)可用帶寬可達(dá)150MHz。

  當(dāng)然,射頻設(shè)計(jì)者還要了解CFB運(yùn)放的一些特點(diǎn):

  ·放大器用運(yùn)放的內(nèi)部構(gòu)造有所不同,但構(gòu)成放大器的基本拓?fù)錄](méi)有改變。
  ·CFB運(yùn)放數(shù)據(jù)表推薦的反饋電阻RF值應(yīng)嚴(yán)格遵守,增益應(yīng)用RG來(lái)調(diào)整。
  ·反饋環(huán)中不能有電容存在。

  放大器的基本拓?fù)浜蛥?shù)

  CFB運(yùn)放射頻放大器的基本拓?fù)淙允欠答伔糯笃鹘Y(jié)構(gòu),有同相放大器和反相放大器兩種形式。另一方面,對(duì)射頻電路而言,要特別關(guān)注輸入端與輸出端的阻抗匹配問(wèn)題,系統(tǒng)常用50Ω電纜連接,由于運(yùn)放的輸入阻抗高,因而輸入端并接一個(gè)50Ω電阻;在輸出端,運(yùn)放輸出阻抗低,故而串接了一個(gè)50Ω電阻。這樣,同相放大器就如圖1所示。

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  射頻電路性能通常用4個(gè)散射(S)參數(shù)來(lái)表征。術(shù)語(yǔ)“散射”隱含著損耗的意思。反射,即散射參數(shù)S11與S12會(huì)減少有用的信號(hào),反向傳輸S12從負(fù)載處返回輸出功率,只有正傳輸S21是有用的散射參數(shù)。設(shè)計(jì)射頻電路就是要減少S11、S22與S12而提高S21。射頻放大器小信號(hào)交流參數(shù)可從S參數(shù)推得,兩者的關(guān)系見(jiàn)表1,這些指標(biāo)是頻率依賴(lài)的。

  輸入與輸出電壓駐波比(VSWR)是個(gè)比值,因而是一個(gè)無(wú)單位量,它是輸入、輸出阻抗與源阻抗、負(fù)載阻抗匹配的度量,為了避免反射應(yīng)盡可能地匹配。VSWR定義為:

  VSWR=Z(I/O)/ZS或ZS/Z(I/O)

  理想的VSWR等于1:1,然而典型的VSWR在工作頻率范圍內(nèi)不會(huì)好于1.5:1。運(yùn)放的輸入、輸出阻抗是設(shè)計(jì)者選擇的外部元件確定的,因此運(yùn)放的數(shù)據(jù)表并未對(duì)VSWR作出規(guī)定?;夭〒p耗—該值與VSWR的關(guān)系為:

  回波損耗 =20log(VSWR+1)/(VSWR-1)
  =10log(s11)2(輸入)
  =10log(S22)2(輸出)

  由于輸出阻抗在射頻處不是與ZL完全匹配的,它隨環(huán)增益減少而逐漸增大,因而RO并聯(lián)了一個(gè)電容進(jìn)行補(bǔ)償。

  正向傳輸S21是由輸入電阻RG和反饋電阻RF確定的,對(duì)同相型運(yùn)放S21表示為:

  S21=AL=1/2(1+RF/RG)

  注意,輸出端增加了一個(gè)串聯(lián)電阻,電壓分壓使增益降低了一半。對(duì)射頻放大,常用功率增益來(lái)表示:

  PO(dBm)=10log(絕對(duì)功率/0.001W)

  dBm=dBV+13(50Ω終端電阻)

  反向傳輸S12表示輸入與輸出的隔離度,CFB射頻運(yùn)放的隔離度相當(dāng)不錯(cuò),尤其是同相型放大器,它的反饋連接在反相端,使隔離更佳。

  相位線(xiàn)性度—設(shè)計(jì)者常常關(guān)心RF電路的相位響應(yīng),CFB放大器的相位線(xiàn)性度比VFB型放大器好,如:

  VFB THS4001的差分相移為0.15°

  CFB THS3001的差分相移為0.02°

  頻率響應(yīng)平坦度——CFB放大器可通過(guò)微調(diào)電阻(見(jiàn)圖1倒相端串聯(lián)的電阻)來(lái)調(diào)整頻響的平坦度而不會(huì)影響正向增益。再加上微調(diào)電阻后,RF和RG值要相應(yīng)地減少,但它們的比值保持不變,因而增益也保持不變。

  -1dB壓縮點(diǎn)—-1dB壓縮點(diǎn)定義為:在固定頻率下,放大器實(shí)際功率比預(yù)期值少1dB,換句話(huà)說(shuō),放大器增益比低功率下降低了1dB。-1dB壓縮點(diǎn)是射頻設(shè)計(jì)者對(duì)電壓軌值的一種表述。射頻設(shè)計(jì)者更關(guān)注增益的最大化,輕微的嵌位是允許的,只要產(chǎn)生的諧波在相關(guān)法規(guī)的范圍內(nèi),于是確定了-1dB壓縮點(diǎn)。

  標(biāo)準(zhǔn)交流耦合RF放大器在工作頻率范圍內(nèi)顯示出相對(duì)恒定的-1dB壓縮點(diǎn)。在低頻下,增加固定頻率的功率最終會(huì)將輸出驅(qū)動(dòng)至軌值,即VOM指標(biāo);在高頻下,運(yùn)放會(huì)受到轉(zhuǎn)換速率的限制,由于輸出使用了匹配電阻,轉(zhuǎn)換速率也降低了一半。

  雙頻三次諧波互調(diào)制截距——在RF帶寬內(nèi),當(dāng)兩個(gè)空間相近的信號(hào)被放大時(shí)就會(huì)產(chǎn)生和頻與差頻,這些信號(hào)是互調(diào)制諧波,主要問(wèn)題是這些諧波幅度的增長(zhǎng)是基頻的3倍。理論上,一個(gè)系統(tǒng)初始基頻信號(hào)在0dBm水平,互調(diào)制諧波在-60dBm,當(dāng)基頻幅度增加時(shí),諧波以3倍于基頻的速度增長(zhǎng),最終在+30dBm處相交。典型的RF電路不會(huì)調(diào)整至+30dBm,因而3次互調(diào)制截距是理論上的,互調(diào)制截距越大越好。

  噪聲值—當(dāng)運(yùn)放作為有源器件時(shí),RF噪聲值與運(yùn)放噪聲是一回事。熱噪聲有一定影響,但RF電路使用的電阻通常較小,它們的噪聲可忽略不計(jì)。運(yùn)放RF電路的噪聲與增益和帶寬有關(guān)。例如,使用一個(gè)500)this.style.width=500;" />運(yùn)放,應(yīng)用于10.7MHz中放,信號(hào)電平0dBV,增益為1,噪聲譜密度如圖2所示。此外,帶寬越窄,噪聲越低,見(jiàn)表2。

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  結(jié)語(yǔ)

  如果價(jià)格可以接受的話(huà),運(yùn)放,特別是CFB運(yùn)放非常適合射頻設(shè)計(jì)。運(yùn)放高頻放大器的偏置與增益和終端無(wú)關(guān),調(diào)整方便,工作穩(wěn)定、可靠。此外,運(yùn)放射頻放大器有良好的散射參數(shù),由于終端效應(yīng)和匹配可獨(dú)立控制,因而輸入和輸出VSWR較??;運(yùn)放由成百個(gè)晶體管組成,隔離效果很好;CFB運(yùn)放的正向增益不受增益/帶寬積限制,有較高的增益。運(yùn)放射頻放大器的增益平坦度、-1dB壓縮點(diǎn)、互調(diào)制截距和噪聲都要比分立晶體管放大器略勝一籌。

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