UART通信端口上射頻干擾的研究

位于840MHz左右的RF干擾影響配置成UART的串行通信端口，該接口位于包含一個(gè)AD6903(LeMansLCR+)數(shù)字式基帶處理器的調(diào)制解調(diào)器和一臺(tái)主處理機(jī)之間。

　　出現(xiàn)的問題是連接到AD6903GPIO_1引腳的UARTRX信號(hào)中出現(xiàn)噪聲，每當(dāng)射頻(RF)干擾源出現(xiàn)時(shí)，信號(hào)平均電壓就會(huì)遠(yuǎn)離其期望值。平均電壓的偏移幅度取決于RF源的功率和頻率。

　　圖1顯示當(dāng)射頻功率放大器接通時(shí)，進(jìn)入AD6903的GPIO_1引腳上的UARTRX信號(hào)受到影響的情況。在圖1中，進(jìn)入AD6903的UARTRX用粉紅色表示，來自主處理機(jī)的UARTTX信號(hào)用紫色表示，功率放大器使能用黃色表示，而AD6903VEXT電源用綠色表示。

　　圖1：UART通信端口上的RF干擾

　　當(dāng)功率放大器接通(黃色)時(shí)，從主處理器的TX引腳到AD6903的RX引腳(桃紅色)的UART數(shù)據(jù)傳輸發(fā)生了故障，因?yàn)镽X信號(hào)上升到高低電平之間的中間位置，而與TX信號(hào)(紫色)不一致。在第二個(gè)脈沖期間，當(dāng)功率放大器接通時(shí)，主處理器的TX引腳和AD6903的RX引腳應(yīng)該都保持高電平;但是TX引腳上有噪聲，而且RX信號(hào)下降至其高低電平的中間位置。并且注意VEXT電源電壓(綠色)上的噪聲增大，并且當(dāng)功率放大器接通時(shí)其值還會(huì)略為上升。

　　然而，問題必須是與功率放大器的使能信號(hào)和同一個(gè)調(diào)制解調(diào)器的功率放大器無(wú)關(guān)，因?yàn)閺母浇渌碾娫捇蛐盘?hào)發(fā)生器帶來的RF能量也會(huì)影響進(jìn)入AD6903的UARTRX信號(hào)。使用信號(hào)產(chǎn)生器掃描來檢查對(duì)射頻干擾的易受度時(shí)發(fā)現(xiàn)，最壞的地方約在840MHz，而在高頻或更低的頻率上則較好。

　　在主處理器和AD6903之間的這個(gè)信號(hào)的串聯(lián)電阻器被用于使邏輯高電平從3.3V降低到2.8V。這個(gè)電阻器的額定阻值是10kΩ。可以用較小的電阻、包括0Ω電阻器來替換之，因?yàn)榻档妥柚悼梢詼p小噪聲，但是這并不能解決問題，除非用短路線來代替。

　　這個(gè)問題也不是AD6903才特有的。來自其他廠商的芯片也具有相似的現(xiàn)象。比如，SN74AVCA16425GR的引腳37上也有同樣的問題。其功能框圖請(qǐng)參考圖2。

　　圖2：SN74AVCA16425GR功能框圖

　　這里的1DIR、2DIR為高電平，OE為低電平，因此操作是從A口到B口，引腳37(1A7)將接收來自另一個(gè)芯片組的數(shù)據(jù)。這意味著它是輸入型。

　　在附近存在RF干擾的情況下，即在測(cè)試點(diǎn)附近(5米以內(nèi))用手機(jī)打電話，來測(cè)試SN74AVCA16425GR的引腳37上的信號(hào)。圖3顯示當(dāng)設(shè)備不加電時(shí)(I/O狀態(tài)未知)，其輸出反常;而圖4則顯示當(dāng)設(shè)備加電(輸入狀態(tài))時(shí)其輸出的反常情況。

　　圖3：低電平升高

　　干擾原理

　　進(jìn)入AD6903的UARTRX信號(hào)的這種“RF干擾拾取”行為的發(fā)生以一個(gè)特定的RF頻率為中心，而這些信號(hào)跡線沒有完全被屏蔽。這種現(xiàn)象是可以解釋的：主板的印刷導(dǎo)線拾取干擾，因?yàn)閷?dǎo)線上有寄生電感、寄生電阻和寄生電容，而導(dǎo)線的兩端連接的是高阻抗;一側(cè)是一個(gè)10kΩ電阻器，另一側(cè)則是CMOS輸入。電路板上的導(dǎo)線就像一個(gè)具有1/4波長(zhǎng)響應(yīng)的天線。

　　圖4：高電平降低

　　在客戶模塊中，計(jì)算GPIO1導(dǎo)線時(shí)，模塊上按30mm計(jì)算，而主板上則大約為15mm。所以這條線能夠拾取RF噪聲并對(duì)840MHz敏感就不奇怪了。具體可以參考圖5。

　　圖5：RF干擾計(jì)算公式

　根據(jù)上述理論，建議在信號(hào)通道上增加一只電容器來阻尼RF的干擾振蕩。電容器的作用是改變天線的調(diào)諧頻率和降低天線阻抗從而降低天線增益。隨后，我們聽取了有關(guān)報(bào)告，即通過選取適當(dāng)?shù)碾娙?，使噪聲減少到了可接受的水平。
　該信號(hào)的DC偏移量可由任何CMOS輸入-輸出引腳的二極管產(chǎn)生。他們通常被稱作為ESD(靜電釋放)保護(hù)二極管，但是當(dāng)它被配置為輸出時(shí),它們其實(shí)是用來控制引腳的晶體管的耗盡區(qū);那些晶體管經(jīng)常做雙重用途,即在配置為輸入時(shí)還作為引腳上的ESD保護(hù)裝置。所以他們?cè)谒蠧MOS輸入/輸出電路結(jié)構(gòu)中都是不可缺少的。這些二極管加正向偏壓，當(dāng)信號(hào)的幅度使得二極管壓降(大約0.6V)正向超過VEXT之上，或者反向低于地電平時(shí)，信號(hào)將被鉗位。為了使信號(hào)的幅度隨著天線頻帶內(nèi)的RF能量的增長(zhǎng)而增加，信號(hào)的平均電壓將可接近VEXT電壓的一半。

　　這個(gè)解釋使我們得知，信號(hào)的峰峰值從VEXT+0.6V到-0.6V。但示波器所測(cè)得的幅度卻小很多。要解釋為什么幅度會(huì)減小，我們估計(jì)這是由于示波器探頭以及接觸電阻所導(dǎo)致的衰減所致，或者是數(shù)字示波器的采樣率不夠，比如它為了采集1GHz附近的完整信號(hào)(尤其是給定顯示窗口約10ms時(shí))，實(shí)際的采樣率可能比所需的2G采樣/每秒的速度要慢很多。圖6中對(duì)這個(gè)理論進(jìn)行了描述。

　　圖6：用于直流電壓偏移觀測(cè)的解釋描述

　　RF干擾信號(hào)是由印刷導(dǎo)線拾取并被饋送到芯片里，標(biāo)準(zhǔn)芯片輸入/輸出衰減器作為一個(gè)整流器，作為所有CMOS輸入-輸出引腳(芯片輸入/輸出)的一部分，二極管被正向偏壓，并對(duì)正向超過二極管管壓降(大約0.6V)VEXT之上，或者反向低于地電平時(shí)，信號(hào)的擺幅被鉗位。同時(shí)示波器和/或探頭不能測(cè)量GHz級(jí)的頻率，其表現(xiàn)等同一個(gè)低通濾波器。于是，在“某些”輸入/輸出引腳出現(xiàn)反常電壓(取決于連接到輸入/輸出引腳的印刷導(dǎo)線以及EMC的設(shè)計(jì)水平)。

　　也有報(bào)告用0Ω電阻器替換10kΩ系列電阻器，這并不能實(shí)現(xiàn)消除干擾或DC電平的偏移，但用短接線替換可以實(shí)現(xiàn)。留意那些電阻器可以得到解釋，即使是0Ω電阻器，也會(huì)因?yàn)榉庋b與一定量的電阻串聯(lián)而產(chǎn)生寄生電感。考慮高頻時(shí)，這個(gè)串聯(lián)的RL分量的作用比純電阻更像低通濾波器。因此似乎在產(chǎn)生干擾的RF頻段內(nèi)，電阻分量仍然有可能有相當(dāng)大的阻抗。

　　解決方案

　　可以通過兩種途徑減少/消除上述影響：

　　1.消除/減少“干擾源”，增加系統(tǒng)干擾免疫(EMC保護(hù))能力，例如將RF電路與其他數(shù)字電路隔絕，增加獨(dú)立的RF和基帶屏蔽區(qū)，保持良好接地，在手機(jī)外殼中使用EMC材料。

　　2.為了去除這種“干擾”，通常應(yīng)該用一只小電容器(注意將電容器緊靠在I/O引腳)。通過在靠近(AD6903.GPIO1)(UART_Rx)測(cè)試點(diǎn)附近增加一個(gè)27pf電容器到地。從示波器測(cè)量中可以發(fā)現(xiàn)，消除了輸入/輸出DC偏移。并且UART通信端口相應(yīng)的誤碼率正常。具體參考圖7和圖8。

　　圖7：低電平正常跡線。

　　圖8：高電平正常跡線