使用QDR-IV設(shè)計(jì)高性能網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)——第二部分

 總線轉(zhuǎn)換的注意事項(xiàng)

總線轉(zhuǎn)換時(shí)間非常重要，其決定了讀和寫指令間是否需要額外的間隔來避免在同一個(gè)I/O 端口上發(fā)生總線沖突。

想象下QDR-IV HP SRAM 中端口A 先后收到寫指令和讀指令。從CK 信號的上升沿(與初始化寫指令周期相對應(yīng))算起，在整整三個(gè)時(shí)鐘周期后向DQA 引腳提供寫數(shù)據(jù)。讀數(shù)據(jù)則將在下一個(gè)周期發(fā)送，因?yàn)?DQ從CK 信號的上升沿(與初始化讀指令的周期相應(yīng))算起五個(gè)時(shí)鐘周期后才能獲得數(shù)據(jù)。此外，為符合總線轉(zhuǎn)換時(shí)間和傳輸時(shí)延(從ASIC/FPGA 到QDR IV 存儲器)，還有兩個(gè)額外周期。因此，啟動(dòng)寫指令后，可以立即啟動(dòng)讀指令。

在其他情況下，如果先啟動(dòng)讀指令后啟動(dòng)寫指令，那么發(fā)送讀指令經(jīng)過三個(gè)時(shí)鐘周期后，才能發(fā)送寫指令。這是因?yàn)?，從在時(shí)鐘信號CK 的上升沿上對讀指令進(jìn)行采樣算起，經(jīng)過五個(gè)周期后可獲得DQA 引腳上的讀數(shù)據(jù)，并且從在時(shí)鐘信號CK 的上 升沿上對寫指令進(jìn)行采樣算起，在整三個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)向DQA 引腳提供寫數(shù)據(jù)。否則，將會(huì)發(fā)生總線沖突。因此，發(fā)送寫指令后的最小時(shí)鐘周期應(yīng)該為RL – WL + 1(RL：讀時(shí)延;WL：寫時(shí)延;這兩個(gè)時(shí)延的單位為時(shí)鐘周期數(shù))。另外一個(gè)時(shí)鐘周期用于正確捕獲數(shù)據(jù)并補(bǔ)償總線轉(zhuǎn)換時(shí)延(通常為一個(gè)時(shí)鐘周期)。

如果傳輸時(shí)延大于總線轉(zhuǎn)換時(shí)延，那么‘讀到寫’指令間的間隔為：

“讀到寫”指令間的時(shí)間周期 = 讀時(shí)延 – 寫時(shí)延 + 1 + 傳輸時(shí)延

請參考圖7。發(fā)送讀指令經(jīng)過四個(gè)時(shí)鐘周期后，將發(fā)送端口A 的寫指令。這樣是為了避免因讀/寫時(shí)延、總線轉(zhuǎn)換時(shí)間和傳輸時(shí)延間的差別而導(dǎo)致的總線沖突。

總線翻轉(zhuǎn)

QDR-IV 器件支持總線翻轉(zhuǎn)以降低切換噪聲和I/O功耗。在存儲事務(wù)處理中，存儲器控制器和QDR-IV都可以選擇應(yīng)用總線翻轉(zhuǎn)。

由于QDR-IV 器件的POD 信令模式為I/O 信號提供了到VDDQ 的高壓終端選項(xiàng)，所以信號轉(zhuǎn)為高電平邏輯狀態(tài)不會(huì)耗電。因此，總線翻轉(zhuǎn)對于POD I/O 信號是一個(gè)很重要的性能。QDR-IV 會(huì)保證翻轉(zhuǎn)地址和數(shù)據(jù)總線的數(shù)據(jù)完整性。

使用芯片配置寄存器來啟用或禁用地址和數(shù)據(jù)總線翻轉(zhuǎn)功能。

地址總線翻轉(zhuǎn)

AINV 是雙倍數(shù)據(jù)速率信號，每次將地址發(fā)送給存儲器器件時(shí)都會(huì)更新該信號。AINV 引腳指示是否對地址總線(An –A0)和AP 進(jìn)行了翻轉(zhuǎn)。AINV 是高電平有效信號。當(dāng)AINV = 1 時(shí)，將翻轉(zhuǎn)地址總線;當(dāng)AINV = 0 時(shí)，不翻轉(zhuǎn)地址總線。AINV 引腳的功能由存儲器控制器控制。

地址總線和地址奇偶位都被視為地址組(AG)。

表5顯示的是AG 定義以及x18 和x36 QDR-IV 選項(xiàng)的AINV 設(shè)置條件。

x36器件示例

不進(jìn)行地址總線翻轉(zhuǎn)：

假設(shè)要訪問的地址分別為22’h 000199和22’h 3FFCFF。17個(gè)地址引腳需要在第一個(gè)和第二個(gè)地址的邏輯狀態(tài)間進(jìn)行切換，如下表所示(紅色單元格顯示)。這樣會(huì)增大地址引腳上的切換噪聲、I/O電流以及串?dāng)_。

進(jìn)行地址總線翻轉(zhuǎn)：

根據(jù)表5顯示，第一個(gè)地址組(22'h 000199)滿足翻轉(zhuǎn)邏輯條件。因此，存儲器控制器發(fā)送第一個(gè)地址組前，它會(huì)將地址組從22’h 000199翻轉(zhuǎn)為22’h 3FFE66，并將AINV引腳置為1。由于不需要翻轉(zhuǎn)第二個(gè)地址組，所以存儲器控制器可以將其直接發(fā)送，并將AINV設(shè)置為0。

下表顯示的是地址總線翻轉(zhuǎn)的結(jié)果。在這種情況下，只有5個(gè)地址引腳需要切換邏輯(紅色單元格顯示)。切換位的總數(shù)降低為5，所以降低了由于同時(shí)切換輸出(SSO)而引起的噪聲、I/O電流以及串?dāng)_。

數(shù)據(jù)總線翻轉(zhuǎn)

數(shù)據(jù)總線翻轉(zhuǎn)在數(shù)據(jù)線路中也類似，但翻轉(zhuǎn)位由存儲器控制器在存儲器寫操作期間生成，并且翻轉(zhuǎn)位由QDR-IV存儲器中的翻轉(zhuǎn)邏輯在存儲器讀操作期間生成。

DINVA和DINVB引腳指示了是否翻轉(zhuǎn)相應(yīng)的DQA和DQB引腳。DINVA和DINVB均為高電平有效信號。當(dāng)DINV = 1時(shí)，將翻轉(zhuǎn)數(shù)據(jù)總線;當(dāng)DINV = 0時(shí)，不翻轉(zhuǎn)數(shù)據(jù)總線。

DINVA[1]和DINVA[0]相互獨(dú)立并控制與其相應(yīng)的DQA組。DINVA[0]控制DQA[17:0](對于x36的配置)或DQA[8:0](對于x18的配置)。DINVA[1]控制DQA[35:18](對于x36的配置)或DQA[17:9](對于x18的配置)。同樣，DINVB[0]控制x36配置中的DQB[17:0]或x18配置中的DQB[8:0]。DINVB[1]控制x36配置中的DQB[35:18]或x18配置中的DQA[17:9]。

表8顯示的是DINV位說明以及x18和x36 QDR-IV選項(xiàng)的DINVA設(shè)置條件。

注意：可以對DINVA[1]、DINVB[0]以及DINVB[1]使用相同的翻轉(zhuǎn)邏輯，以便控制相應(yīng)的DQ組。

x18器件的示例

不進(jìn)行數(shù)據(jù)總線翻轉(zhuǎn)：

假設(shè)需要分別發(fā)送DQA[8:0]上的9’h 007和9’h 1F3。6個(gè)數(shù)據(jù)引腳需要在第一個(gè)和第二個(gè)DQA[8:0]位的邏輯狀態(tài)之間進(jìn)行切換，如下表所示(紅色單元格顯示)。這樣會(huì)增大數(shù)據(jù)引腳上的切換噪聲、I/O電流以及串?dāng)_。

進(jìn)行數(shù)據(jù)總線翻轉(zhuǎn)：

根據(jù)表8，第一個(gè)DQA[8:0]滿足翻轉(zhuǎn)邏輯條件。因此，存儲器控制器發(fā)送第一個(gè)DQA[8:0]前，它會(huì)將引腳地址從9’h 007翻轉(zhuǎn)為9’h 1F8，并將DINVA[0]引腳設(shè)置為1。由于第二個(gè)DQA[8:0]不需要翻轉(zhuǎn)，所以存儲器控制器可以直接發(fā)送它，并將DINVA[0]設(shè)置為0。

表10顯示的是數(shù)據(jù)總線翻轉(zhuǎn)的結(jié)果。在這種情況下，只有3個(gè)數(shù)據(jù)引腳需要切換邏輯(紅色單元格顯示)。切換位的總數(shù)降低為3，所以降低了SSO的噪聲、I/O電流以及串?dāng)_。

地址奇偶校驗(yàn)

QDR-IV只有一條地址總線，但其以雙倍數(shù)據(jù)速率和高頻率運(yùn)行。因此，地址奇偶校驗(yàn)輸入(AP)和地址奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤標(biāo)志輸出(PE#)引腳提供了片上地址奇偶校驗(yàn)功能，以便能夠確保地址總線完整性。地址奇偶校驗(yàn)功能是可選的;可以使用配置寄存器來啟用或禁用它。

通過該AP引腳可以在各地址引腳(An到A0)上進(jìn)行偶校驗(yàn)。設(shè)置AP值，使AP和An-A0中邏輯“1”的總數(shù)為偶數(shù)。

對于數(shù)據(jù)總線寬度為x18的器件，設(shè)置AP值，使A[21:0]和AP中邏輯“1”的總數(shù)為偶數(shù)。

對于數(shù)據(jù)總線寬度為x36的器件，設(shè)置AP值，使A[20:0]和AP中邏輯“1”的總數(shù)為偶數(shù)。

器件的示例

以數(shù)據(jù)總線寬度為x36的器件的21’h1E0000和21’h1F0000地址為示例。表11顯示的是如何為每個(gè)地址設(shè)置AP值。

當(dāng)發(fā)生奇偶錯(cuò)誤時(shí)，在配置寄存器4、5、6和7中(請查看相關(guān)數(shù)據(jù)手冊，了解有關(guān)配置寄存器的更多信息)記錄第一個(gè)錯(cuò)誤的完整地址以及端口A/B錯(cuò)誤位和地址翻轉(zhuǎn)位。端口A/B錯(cuò)誤位表示發(fā)生地址奇偶錯(cuò)誤的端口：0表示端口A，1表示端口B。持續(xù)鎖存該信息，直到向配置寄存器3中的地址奇偶錯(cuò)誤清除位寫入1來清除該信息為止。

通過兩個(gè)計(jì)數(shù)器，可以表示是否發(fā)生了多個(gè)地址奇偶錯(cuò)誤。端口A錯(cuò)誤計(jì)數(shù)是端口A地址上奇偶錯(cuò)誤數(shù)量的運(yùn)行計(jì)數(shù)器。同樣，端口B錯(cuò)誤計(jì)數(shù)是端口b地址上奇偶錯(cuò)誤數(shù)量的運(yùn)行計(jì)數(shù)器。每個(gè)計(jì)數(shù)器獨(dú)立計(jì)數(shù)到最大值(3)，然后將停止計(jì)數(shù)。這些計(jì)數(shù)器均是自由運(yùn)行的;對配置寄存器3的地址奇偶錯(cuò)誤清除位寫入1，可將其復(fù)位。

檢測到地址奇偶錯(cuò)誤后，寫操作就會(huì)被忽略，以防止損壞存儲器。但是，如果輸入地址錯(cuò)誤，仍會(huì)繼續(xù)執(zhí)行讀操作，但存儲器會(huì)發(fā)送出假數(shù)據(jù)。

PE#為低電平有效信號，表示地址奇偶錯(cuò)誤。檢測到地址奇偶錯(cuò)誤后，PE#信號在8個(gè)周期(QDR-IV XP SRAM)或5個(gè)周期(QDR-IV HP SRAM)內(nèi)被設(shè)置為0。它將保持置位狀態(tài)，直到通過配置寄存器清除了錯(cuò)誤為止。處理完地址翻轉(zhuǎn)便表示完成了地址奇偶檢查。

PE#轉(zhuǎn)為低電平后，會(huì)停止存儲器操作，并使用配置寄存器將PE#復(fù)位為高電平。此外，由于發(fā)生AP錯(cuò)誤的寫操作也被阻止，所以需要向存儲器重新編寫數(shù)據(jù)。

在本系列第三部分，我們將探討校正問題，其中包括矯正訓(xùn)練、控制/地址校正和讀寫校正，以及糾錯(cuò)碼(ECC)和QDR-IV存儲器控制器的設(shè)計(jì)建議。