對于超薄介質，由于存在大的漏電和非線性，通過標準I-V和C-V測試不能直接提取氧化層電容(Cox)。然而，使用高頻電路模型則能夠精確提取這些參數(shù)。隨著業(yè)界邁向65nm及以下的節(jié)點，對于高性能/低成本數(shù)字電路，RF電路，以及模擬/數(shù)?；旌想娐分械钠骷?，這方面的挑戰(zhàn)也在增加。
減少使用RF技術的建議是在以下特定的假設下提出來：假設RF技術不能有效地應用，尤其是在生產的環(huán)境下，這在過去的確一直是這種情況。
但是，現(xiàn)在新的參數(shù)測試系統(tǒng)能夠快速、準確、可重復地提取RF參數(shù)，幾乎和DC測試一樣容易。最重要的是，通過自動校準、去除處理(de-embedding)以及根據(jù)待測器件(DUT)特性進行參數(shù)提取，探針接觸特性的自動調整，已經能夠實現(xiàn)RF的完整測試。這方面的發(fā)展使得不必需要RF專家來保證得到好的測試結果。在生產實驗室，根據(jù)中間測試結果或者操作需要，自動探針臺和測試控制儀能夠完成過去需要人為干涉的事情。世界范圍內，已經有7家半導體公司驗證了這種用于晶圓RF生產測試的系統(tǒng)。
RF測試的應用
無論你是利用III-V簇晶圓生產用于手機配件的RF芯片，還是利用硅技術生產高性能模擬電路，在研發(fā)和生產中預測最終產品的性能和可靠性，都需要晶圓級RF散射參數(shù)(s)的測量。這些測試對DC數(shù)據(jù)是重要的補充，相對于單純的DC測試，它用更少的測試卻能提供明顯更多的信息。實際上，一個兩通道的s參數(shù)掃描能同時提取阻抗和電容參數(shù)，而采用常規(guī)DC方法，則需要分開測試，甚至需要單獨的結構以分離工藝控制需要的信息。
功放RF芯片的功能測試是這種性能的另外一種應用。這些器件非常復雜，然而價格波動大。生產中高頻低壓的測試條件排除了通常阻礙晶圓級測試的功耗問題。也不存在次品器件昂貴的封裝費用。已知良品芯片技術也可以應用于晶圓級測試中，它能夠明顯改進使用RF芯片的模塊的良率。
芯片制造商也可以利用晶圓級RF測試來提取各種高性能模擬和無線電路的品質因數(shù)。比如濾波器、混頻器以及振蕩器。SoC(System-on-chip)器件制造商希望這種子電路測試技術能夠降低總體的測試成本。
130nm節(jié)點以下的高性能邏輯器件中，表征薄SiO2和高介電常數(shù)(high-k)柵介質的等效氧化層厚度(EOT)非常關鍵。RF測試在介電層的精確建模方面扮演了重要角色，它能夠去除掉寄生元件，而這種寄生效應在傳統(tǒng)的二元模型中將阻礙C-V數(shù)據(jù)的正確表示。中高頻(MFCV,HFCV)電容測量技術不可能因為儀器而對測試引入串聯(lián)阻抗。
標準I-V/C-V測試面臨的挑戰(zhàn)
產品研發(fā)階段的設計工程師采用的仿真模型，包括從s參數(shù)數(shù)據(jù)提取的RF參數(shù)和I-V/C-V數(shù)據(jù)。先進的設計工具要求的是統(tǒng)計模型，不是單個的一套參數(shù)。這使得良率和功能特性的最優(yōu)化成為可能。如果I-V和C-V參數(shù)基于統(tǒng)計結果，而RF不是的話，那么這個模型就是非物理的和不可靠的。
在有些情況下，比如電感、I-V和C-V信息的價值都非常有限。但是，Q在使用的頻率之下，作為電感表征和控制的參數(shù)，則具有很高的價值。I-V和C-V測試中面臨的挑戰(zhàn)是要理解，什么時候它是產品特性的主要表征，什么時候不是。許多模擬和無線器件特性的只要表征參數(shù)是Ft和Fmax。理想的情況下，在第3諧波以外的使用情況下，它們是需要測量并提取出來的RF參數(shù)。對于數(shù)字和存儲器產品，只要器件的模型保持簡化，那么I-V和C-V對于有源和無源器件來說都是很有價值的測量項目。前面提到的，柵介質的測量具有復雜的C-V模型。
采用RF/RFC-V的顧慮
不可靠的測試會阻礙生產管理。好器件的壞測量結果被稱為alpha錯誤。在生產中，這可能意味著有晶圓被誤廢棄。讓人誤解的ITRS信息，以及許多公司在他們的建模實驗室經歷緩慢、艱苦的過程，這些結合起來都使得工程師不情愿采用量產RF測試，他們認為會有高的alpha錯誤率。
人們還認識到生產能力和運營成本將是不可接受的，而且還需要高水準的技術支持來解釋測量結果。沒有可靠的校準、以及接觸電阻問題所帶來的重復測試，造成了早期的RF系統(tǒng)的低生產能力。過去舊系統(tǒng)的校準并不是對不同的測量頻率配置都有效。高的運營成本還與手動測試黃金標準校正片有關系，它用的是軟墊和昂貴的RF探針，這種探針會由于過度壓劃而很快壞掉，從而成本大增。市場上還有一種錯誤的理解，認為晶圓級的s參數(shù)測試需要專門的探針和卡盤。
生產中關于RF測試需要額外關注的方面：
●需要改變大量的測試結構。
●結果不穩(wěn)定，隨設備、人和時間的變化而發(fā)生變化。
●RF專家必須照顧呵護每一臺設備。
●對于不同的批次可能需要完全不同的處理和操作流程。
●懷疑這是否能夠成為實時技術。
●實驗室級別的結果不可靠。
fab在這些認知的基礎上仍然維持現(xiàn)狀，像“瞎蒼蠅”一樣進行著RF芯片、新柵極材料和其他先進器件的設計和工藝開發(fā)。結果是設計與工藝的相互作用，大大增加了成本和走向市場的時間，同時還伴隨著更低的初始良率。
生產解決方案
使晶圓級RF測試成為生產工藝控制工具的關鍵在于測試的完全自動化。這意味著機器人要把晶圓、校準標準、探針卡傳送到需要這些東西的地方。換句話說，設計測試系統(tǒng)時一個主要的目標是沒有人為干預的情況下數(shù)據(jù)的完整性。
現(xiàn)在的第三代測試機臺具有達到40GHz的這種測試能力。不像實驗室的儀器，這些專門設計用于量產環(huán)境的測試機臺，根據(jù)不同的應用，支持從6到65GHz的升級。要求第三代測試機臺能夠自動進行寄生去除處理，并根據(jù)DUT特性進行選擇測試，這是獲得可信的Cox,Fmax和Q值所面臨的主要技術挑戰(zhàn)。這些算法，再加上改進的互連技術，以及自動的校準過程，使得從s參數(shù)測試迅速準確地提取RF參數(shù)成為可能。
精確的寄生去除處理包括糾正隨機的測量假象。比如，在一個特征阻抗為50Ω的系統(tǒng)中，接觸電阻的任何變化都會限制測量的可重復性。設備制造商必須確定RF測試中所有不穩(wěn)定的起源，從而在設計測量系統(tǒng)時有針對性地加以消除。系統(tǒng)互聯(lián)的創(chuàng)新設計改進了系統(tǒng)中主要部件之間連接的可重復性。
設備制造商為了保證測量的可重復性，還要注意的其他方面如：測量自動化，探針接觸阻抗的修正，探針變形量(overdrive)的調整，探針的清潔初始化?？刂坪锰结樀淖冃瘟恳约氨匾獣r對探針進行清洗，這些都會明顯延長探針的壽命，這會降低主要的耗材成本(每根RF探針價值大約$1000)。這應該也是測試機臺統(tǒng)計過程控制的一部分。
在具有穩(wěn)定已知的誤差分布，以及不確定性特征的條件下，來源于收集數(shù)據(jù)的史密斯曲線就不會存在非物理假象;不再需要由專家來分析和解釋這些結果了。在舊的系統(tǒng)中，RF測試專家需要對數(shù)據(jù)進行監(jiān)控(跟蹤每個測試系列的曲線等)，尋找奇怪的、或者意外的測量結果，然后分析這些結果以確認它們代表的是工藝的變化，而不是測量的異常。
第三代參數(shù)測試儀通過改進邏輯方法使得持續(xù)監(jiān)控RF測量成為現(xiàn)實，降低甚或消除了對于RF專家技術支持的需求。使用這些系統(tǒng)，不周生產層面的操作者能夠通過大量的產品和生產設備獲取可重復的、實時的測量結果。RF測試幾乎和DC測試一樣容易，它也成為完全表征晶圓器件時的必需之舉。實際上，一套第三代系統(tǒng)可以同時進行DC和RF測試(見“RF測試的創(chuàng)新設計”)。這個系統(tǒng)包含了許多其他的改進，以提高產能，使它在工藝監(jiān)控的量產晶圓級測試方面更實用。這些特點加速了建模實驗室的測量工作，同時又不降低測量結果的實驗室級別，從而縮短了研發(fā)周期和進入市場的時間。所有這些都可以通過簡單的系統(tǒng)升級實現(xiàn)，而不必購買專用的探針臺。當校準規(guī)格存儲到探針臺后，操作流程與單純的DC測試一樣，只有在周期性的設備保養(yǎng)時才會變化。
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