[導讀]格芯的eMRAM產(chǎn)品旨在替代高容量嵌入式NOR閃存(eFlash)，幫助設(shè)計人員擴展現(xiàn)有物聯(lián)網(wǎng)和微控制器單元架構(gòu)，以實現(xiàn)28nm以下技術(shù)節(jié)點的功率和密度優(yōu)勢。
格芯的eMRAM是一款可靠的多功能嵌入式非易失性存儲器(eNVM)，已通過了5次嚴格的回流焊實測，在-40℃至125℃溫度范圍內(nèi)具有100,000次使用壽命和10年數(shù)據(jù)保存期限。FDX eMRAM解決方案支持AEC-Q100 2級設(shè)計，且還在開發(fā)工藝，預計明年將支持AEC-Q100 1級解決方案。
格芯汽車、工業(yè)和多市場戰(zhàn)略業(yè)務(wù)部門高級副總裁和總經(jīng)理Mike Hogan表示：“我們將繼續(xù)通過功能豐富的可靠解決方案實現(xiàn)差異化FDX平臺，客戶可利用這些解決方案來構(gòu)建適用于高性能和低功耗應用的創(chuàng)新產(chǎn)品。我們的差異化eMRAM部署在業(yè)界先進的FDX平臺之上，可在易于集成的eMRAM解決方案中實現(xiàn)高性能射頻、低功耗邏輯和集成電源管理的獨特組合，幫助客戶提供新一代超低功耗MCU和物聯(lián)網(wǎng)應用?！?
格芯攜手設(shè)計合作伙伴，即日起提供定制設(shè)計套件，包括通過芯片驗證的插入式MRAM模塊(4至48MB)，以及MRAM內(nèi)置自檢功能支持。
eMRAM是新一代存儲技術(shù)，擁有RAM內(nèi)存讀寫速度、能夠與NAND閃存一樣具有非易失性的新型存儲介質(zhì)，斷電不會出現(xiàn)丟失數(shù)據(jù)，而寫入速度是閃存的數(shù)千倍。
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