東芝推出采用其最新一代工藝的80V N溝道功率MOSFET，助力提高電源效率

中國上海，2020年3月30日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布，其“U-MOS X-H系列”產(chǎn)品線新增采用其最新一代工藝制造而成的80V N溝道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備的開關(guān)電源。

U-MOS X-H系列產(chǎn)品示意圖

新增產(chǎn)品包括采用表面貼裝SOP Advance封裝的“TPH2R408QM”以及采用TSON Advance封裝的“TPN19008QM”。產(chǎn)品于今日開始出貨。

由于采用了其最新一代的工藝制造技術(shù)，與當(dāng)前U-MOS Ⅷ-H系列中的80V產(chǎn)品相比，新款80V U-MOS X-H產(chǎn)品的漏源導(dǎo)通電阻降低了大約40%。通過優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)，漏源導(dǎo)通電阻與柵極電荷特性之間的平衡也得到了進一步的改善。因此，新產(chǎn)品可提供業(yè)界最低功耗。

東芝正在擴展其降耗型產(chǎn)品線，從而為降低設(shè)備功耗提供幫助。

應(yīng)用：

?開關(guān)電源(高效AC-DC轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等)

?電機控制設(shè)備(電機驅(qū)動等)

特性：

?業(yè)界最低功耗(通過改善導(dǎo)通電阻與柵極電荷特性之間的平衡)

?業(yè)界最低導(dǎo)通電阻：

RDS(ON)=2.43mΩ(最大值)@VGS=10V(TPH2R40QM)

RDS(ON)=19mΩ(最大值)@VGS=10V(TPN19008QM)

?高額定通道溫度：Tch=175℃

主要規(guī)格：