恩智浦發(fā)布符合汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的LFPAK封裝功率SO-8MOSFET系列

恩智浦半導(dǎo)體4月23日發(fā)布了符合汽車行業(yè)Q101標(biāo)準(zhǔn)的LFPAK封裝（緊湊型熱增強(qiáng)無耗封裝）功率SO-8 MOSFET系列。采用了TrenchMOS技術(shù)，面積比DPAK封裝減小了46%，熱性能與DPAK封裝近似。

主要特點為：LFPAK封裝利用銅片設(shè)計，典型厚度為1.1mm，遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)的SO8和DPAK封裝（恩智浦未透露具體厚度值），減小了導(dǎo)通電阻和MOSFET的開關(guān)損耗。

其他特點包括：LFPAK系列產(chǎn)品有5個電壓級別：30V、40V、 55V、75V 和 100V；耐受瞬時大電流；100%突波耐受測試；符合汽車AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，最高工作溫度為175°C；支持引線光學(xué)檢查。

據(jù)恩智浦工程師的詳細(xì)解釋：LFPAK封裝即Power SO-8封裝，比傳統(tǒng)的SO-8封裝厚度更薄，導(dǎo)通阻抗更低，負(fù)荷電流更高。PowerSO-8封裝與傳統(tǒng)SO8封裝在引腳位置與分布上也相同，因此很多時候可以直接在原有的傳統(tǒng)SO-8焊點上直接焊接，更好地發(fā)揮MOSFET的性能，并獲得更優(yōu)的焊點設(shè)計。由于目前業(yè)界對PowerSO-8封裝還沒有一個統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)定義，因此各家公司在封裝設(shè)計上都會一些細(xì)微的差別?；谶@一原因，恩智浦引入了統(tǒng)一的焊點設(shè)計，可以在不改變PCB布圖的情況下采用LFPAK封裝，或者其他供應(yīng)商的Power SO-8封裝產(chǎn)品。

根據(jù)整車廠在汽車電子應(yīng)用中保持燃油效率、電子穩(wěn)定性和可靠性的需求，恩智浦推出了上述LFPAK功率SO-8 MOSFET系列產(chǎn)品。

目標(biāo)應(yīng)用為：發(fā)動機(jī)和變速系統(tǒng)控制器；防抱死制動系統(tǒng)；冷卻泵；DC/DC轉(zhuǎn)換器；電動助力轉(zhuǎn)向（EPS）和電動液壓助力轉(zhuǎn)向（EHPS）系統(tǒng)；電池反向保護(hù)；當(dāng)考慮空間敏感性時，用作通用汽車電子切換元件。（記者 恩平）