PI公司宣布旗下適用于SiC MOSFET的SCALE-iDriver現(xiàn)已通過AEC-Q100汽車級認證
美國加利福尼亞州圣何塞，2020年3月17日 – 深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日宣布，其適合碳化硅(SiC) MOSFET的高效率單通道門極驅(qū)動器SIC118xKQ SCALE-iDriver?現(xiàn)已通過AEC-Q100汽車級認證。新品件經(jīng)過設(shè)定后可支持常用SiC MOSFET的門極驅(qū)動電壓要求，并具有先進的安全和保護特性。
SIC1182KQ (1200V)和SIC1181KQ (750V) SCALE-iDriver器件可驅(qū)動汽車應(yīng)用中的SiC MOSFET，新產(chǎn)品具有軌到軌輸出、快速門極開關(guān)速度、支持正負輸出電壓的單極供電電壓、集成的功率和電壓管理以及加強絕緣。重要安全特性包括漏源極(VDS)監(jiān)測、電流檢測讀出、原方和副方欠壓保護(UVLO)、限流門極驅(qū)動以及可確保在故障情況下安全工作和軟關(guān)斷的高級有源鉗位(AAC)。AAC與VDS監(jiān)控相結(jié)合，可確保在短路情況下的安全關(guān)斷時間少于2μs。門極驅(qū)動控制和AAC特性可使門極電阻最小化，這有助于降低開關(guān)損耗，提高逆變器效率。 新器件將SCALE-iDriver的控制和安全特性與其高速FluxLink?通信技術(shù)的完美結(jié)合，與使用光耦器或電容性耦合器或磁性耦合器相比，Power Integrations為門極驅(qū)動器IC技術(shù)帶來了革命性變化。這種組合極大地提高了絕緣能力，并且使用極少的外部器件即可實現(xiàn)安全可靠、高性價比的300kW以下逆變器設(shè)計。Power Integrations汽車門極驅(qū)動器產(chǎn)品高級市場總監(jiān)Michael Hornkamp表示：
碳化硅MOSFET技術(shù)打開了通向更輕便小巧的汽車逆變器系統(tǒng)的大門。開關(guān)速度和工作頻率不斷提高；我們的低門極電阻值可用來維持高開關(guān)效率，而我們的快速短路響應(yīng)可在發(fā)生故障時為系統(tǒng)提供及時保護。此外，SCALE-iDriver在絕緣強度方面為功能安全樹立了新標準；即使功率器件導(dǎo)致了嚴重的驅(qū)動器故障，SCALE-iDriver的絕緣性能仍然完好無損，從而確保機箱的任何部分都不會有威脅生命的高壓存在。
新的單通道SIC118xKQ門極驅(qū)動器可提供高達8A的輸出電流，并且適合標準門極-發(fā)射極電壓最低為+15V，負電壓范圍介于-3V至-15V的SiCMOSFET。新器件具有較強的外部磁場抗擾性能，采用緊湊的eSOP封裝，可提供≥9.5mm的爬電距離和電氣間隙，并且所采用的材料達到了最高CTI級（根據(jù)IEC60112標準，CTI = 600）。新器件現(xiàn)已開始供貨。
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