PI公司宣布旗下適用于SiC MOSFET的SCALE-iDriver現(xiàn)已通過(guò)AEC-Q100汽車(chē)級(jí)認(rèn)證

SIC1182KQ (1200V)和SIC1181KQ (750V) SCALE-iDriver器件可驅(qū)動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用中的SiC MOSFET，新產(chǎn)品具有軌到軌輸出、快速門(mén)極開(kāi)關(guān)速度、支持正負(fù)輸出電壓的單極供電電壓、集成的功率和電壓管理以及加強(qiáng)絕緣。重要安全特性包括漏源極(VDS)監(jiān)測(cè)、電流檢測(cè)讀出、原方和副方欠壓保護(hù)(UVLO)、限流門(mén)極驅(qū)動(dòng)以及可確保在故障情況下安全工作和軟關(guān)斷的高級(jí)有源鉗位(AAC)。AAC與VDS監(jiān)控相結(jié)合，可確保在短路情況下的安全關(guān)斷時(shí)間少于2μs。門(mén)極驅(qū)動(dòng)控制和AAC特性可使門(mén)極電阻最小化，這有助于降低開(kāi)關(guān)損耗，提高逆變器效率。 新器件將SCALE-iDriver的控制和安全特性與其高速FluxLink?通信技術(shù)的完美結(jié)合，與使用光耦器或電容性耦合器或磁性耦合器相比，Power Integrations為門(mén)極驅(qū)動(dòng)器IC技術(shù)帶來(lái)了革命性變化。這種組合極大地提高了絕緣能力，并且使用極少的外部器件即可實(shí)現(xiàn)安全可靠、高性?xún)r(jià)比的300kW以下逆變器設(shè)計(jì)。Power Integrations汽車(chē)門(mén)極驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品高級(jí)市場(chǎng)總監(jiān)Michael Hornkamp表示：

新的單通道SIC118xKQ門(mén)極驅(qū)動(dòng)器可提供高達(dá)8A的輸出電流，并且適合標(biāo)準(zhǔn)門(mén)極-發(fā)射極電壓最低為+15V，負(fù)電壓范圍介于-3V至-15V的SiCMOSFET。新器件具有較強(qiáng)的外部磁場(chǎng)抗擾性能，采用緊湊的eSOP封裝，可提供≥9.5mm的爬電距離和電氣間隙，并且所采用的材料達(dá)到了最高CTI級(jí)（根據(jù)IEC60112標(biāo)準(zhǔn)，CTI = 600）。新器件現(xiàn)已開(kāi)始供貨。