波老師那個(gè)年代上大學(xué)都是自己攢機(jī)裝電腦,買CPU先問主頻多少Hz?后來買手機(jī)也是,先看幾個(gè)核,再看主頻。。。所以估計(jì)大家都也差不多,都烙下病根兒了。
可是IGBT是個(gè)功率器件,它的開關(guān)頻率上限并不是一個(gè)確定的值。我一般都是這么回答這個(gè)問題的:
首先,開關(guān)頻率是指IGBT在一秒鐘內(nèi)開關(guān)次數(shù)。而在確定的母線電壓和導(dǎo)通電流下,IGBT每次開關(guān)都會(huì)產(chǎn)生一定的損耗,開通損耗是Eon,關(guān)斷損耗是Eoff,還有二極管反向恢復(fù)也有損耗Erec。
IGBT的開關(guān)頻率越高,開關(guān)次數(shù)就越多,損耗功率就也高,那乘以散熱器的熱阻后,IGBT的溫升也越高,如果溫度高到超出了IGBT的上限,那IGBT就失效了。具體你們可以看我之前發(fā)的關(guān)于IGBT熱設(shè)計(jì)的文章。
但是損耗是和電壓電流成正比的,如下圖所示。
所以假如用一個(gè)很大標(biāo)稱電流的IGBT工作在一個(gè)小的電流下,那這個(gè)大IGBT的開關(guān)損耗功率和導(dǎo)通損耗功率就都會(huì)減小,那么這個(gè)大IGBT就更有可能用在更高的開關(guān)頻率。
很多新手有個(gè)誤區(qū),他們?cè)捠沁@么說的,“小管子發(fā)熱小,大管子發(fā)熱大,你看那大IGBT模塊發(fā)熱功率都上千瓦,那分離IGBT芯片才幾瓦。。?!?/span>
其實(shí)他剛好說反了,在同一個(gè)電壓等級(jí)下同樣技術(shù)的芯片,標(biāo)稱電流越大的說明導(dǎo)通電阻越小,因此才能通更大的電流啊。
總而言之,IGBT的開關(guān)頻率最高到多少,取決于在此工況下IGBT的結(jié)溫會(huì)不會(huì)超上限。只要你有錢,巴菲特都能陪你吃飯,所以只要不惜成本3300V也能工作在50kHz硬開關(guān)。。。你不信?有圖有真相。
所以說別再問我IGBT最高的最高開關(guān)頻率了,只要你有錢,隨便超頻。
雖然有錢可以為所欲為,但是違反物理極限的事情還是有錢也做不到的。那什么是物理極限呢?那就是IGBT的開關(guān)速度。
剛才說了開關(guān)頻率是IGBT在一秒內(nèi)開關(guān)的次數(shù),而且IGBT每個(gè)開關(guān)周期里還有占空比,比如說1kHz開關(guān)頻率,50%占空比,那控制型號(hào)發(fā)出的方波從開通到關(guān)斷的時(shí)間就是0.5毫秒。如下圖。
但是你以為你發(fā)了0.5毫秒的方波,IGBT就能同步開0.5毫秒?不能,IGBT很遲緩,一般同等技術(shù)水平下的IGBT芯片,標(biāo)稱電壓越高的IGBT越遲緩。
這個(gè)遲緩時(shí)間就是開關(guān)延遲,定義方法如下圖。
一般都是關(guān)斷延遲比開通延遲長,所以一個(gè)半橋上下橋臂的IGBT在開關(guān)狀態(tài)切換時(shí),需要一個(gè)死區(qū)時(shí)間,就是上下兩個(gè)IGBT同時(shí)處于關(guān)斷狀態(tài)。否則就會(huì)出現(xiàn)上下橋臂直通短路的情況。
死區(qū)時(shí)間主要取決于關(guān)斷延遲比開通延遲長了多少(當(dāng)然還要有冗余)。
一般常見的3300V IGBT的死區(qū)時(shí)間都在10us以上。
以上文中的例子,50kHz對(duì)應(yīng)一個(gè)周期是20us,假設(shè)是半橋DCDC,占空比50%,那一次開通時(shí)間只有10us,再減去10us死區(qū)時(shí)間,這個(gè)IGBT就不用開通了,只能永遠(yuǎn)保持關(guān)斷狀態(tài)。
因此這就是IGBT的物理極限,關(guān)斷延遲和死區(qū)時(shí)間導(dǎo)致的頻率極限。但是這個(gè)極限比實(shí)際應(yīng)用的開關(guān)頻率高出很多,因此平時(shí)并沒有意義去討論這個(gè)問題,除非你真的要用3300V的IGBT工作在50kHz。(在大部分實(shí)際應(yīng)用中3300V的IGBT開關(guān)頻率都是1kHz左右,超過2kHz就非常少見了。)
最后我們?cè)谂e一個(gè)實(shí)際中會(huì)碰到的有參考價(jià)值的例子。
例如高速電機(jī)的應(yīng)用,假設(shè)電機(jī)額定轉(zhuǎn)速在10萬轉(zhuǎn)以上,一對(duì)極,折算成電機(jī)驅(qū)動(dòng)頻率約為2000Hz,逆變器直流母線電壓600V,額定扭矩對(duì)應(yīng)的線電流有效值約為30A,水冷散熱器。
在高速電機(jī)應(yīng)用中,大部分是無刷直流的控制方法,但有寫特殊場合為了保證控制精度和扭矩穩(wěn)定性,需要采用SVPWM的控制方法,這時(shí)就需要逆變器有很高的開關(guān)頻率了,而且開關(guān)頻率越高,紋波越小,電機(jī)的扭矩就約平穩(wěn),我們假設(shè)開關(guān)頻率要不低于30kHz。
現(xiàn)在我們開始選型,根據(jù)逆變器的體積和成本考慮,我們先初選FS75R12KT4和FS100R12KT4,標(biāo)稱電流分別為75A和100A的兩款三相全橋IGBT模塊。
這個(gè)封裝的IGBT模塊,水冷散熱器的典型熱阻為0.072K/W,進(jìn)口水溫60°C。在散熱條件確定后,我們就可以開始仿真計(jì)算了。
我們把結(jié)溫上限設(shè)為145度,留5度的安全余量。
可以得到一個(gè)結(jié)溫在145度下,輸出電流和開關(guān)頻率的關(guān)系,如下圖所示。
黑色是100A的模塊,紅色是75A模塊,在30~40kHz的頻率區(qū)間,100A的模塊能比75A的模塊多輸出約10A的電流有效值。在30A輸出電流下,100A模塊的開關(guān)頻率可以比75A模塊高15kHz以上。當(dāng)然你可以選個(gè)更大的FS150R12KT4,工作到100kHz,不過這時(shí)候你就要考慮下1200V一般3us的死區(qū)時(shí)間可能會(huì)吃掉一半的PWM波,所以這時(shí)候頻率又被開關(guān)速度給限制了。
所以回到我們的主題,IGBT的頻率可以有多高?雖然極限取決于死區(qū)時(shí)間,但是實(shí)際中主要還是取決于散熱和電流,不提散熱和電流張開就問開關(guān)頻率,這是許多小白司機(jī)常犯的錯(cuò)誤。