ITC法官宣布隆基股份產(chǎn)品不侵犯韓華專利權(quán) 摻鎵單晶未來或?qū)⒊蔀槭袌鲋髁?/h1>
隆基、韓華專利案終于水落石出。
4月13日，美國國際貿(mào)易委員會（ITC）法官發(fā)布，隆基股份產(chǎn)品不侵犯Hanwha Q CELLS（以下簡稱“韓華”）專利權(quán)。
具體事態(tài)發(fā)展回顧如下：
2019年3月，韓華在美國和德國分別向隆基股份、晶科能源提起專利侵權(quán)訴訟，指控晶科能源、隆基樂葉在美國，晶科能源等企業(yè)在德國非法進(jìn)口并銷售侵犯韓華鈍化工藝專利的太陽能電池和組件。
2019年3月7日，針對2019年3月5日有關(guān)媒體發(fā)表的題為《韓華Q－CELLS起訴晶科隆基和REC，侵犯鈍化技術(shù)專利》（以下簡稱“韓華訴訟案件”）等文章，隆基綠能科技股份公司（以下簡稱“公司”）及時披露了《關(guān)于媒體報道的澄清公告》，對涉及的專利內(nèi)容、公司采用的技術(shù)方法以及對公司的影響等情況進(jìn)行了公告。
對此，隆基股份作出回應(yīng)稱，其一，韓華訴訟使用的專利是通過從其他研究機(jī)構(gòu)經(jīng)多次轉(zhuǎn)移購買所得，其專利權(quán)與其他公司共有。同時，該專利權(quán)穩(wěn)定性存在較大不確定性。其二，從技術(shù)上看，目前公司產(chǎn)品與涉案專利采用的技術(shù)方法并不一致（專利采用的是ALD技術(shù)，公司采用的是PECVD技術(shù)）；其三，目前無證據(jù)表明公司產(chǎn)品侵犯任何專利權(quán)。
2019年3月8日，隆基股份收到上述事項的專利權(quán)訴訟請求書及傳票并及時披露了《關(guān)于韓華起訴公司專利權(quán)的進(jìn)展公告》。
2020年4月9日，隆基股份及相關(guān)中介機(jī)構(gòu)就《中國證監(jiān)會行政許可項目審查一次反饋意見通知書》（193156號）中所列的韓華訴訟案件相關(guān)問題做出了回復(fù)。
據(jù)了解，韓華Q CELLS是韓國韓華集團(tuán)旗下的全球太陽能整體解決方案企業(yè)，產(chǎn)品涉及電池和組件，提供涵蓋整個太陽能業(yè)務(wù)的解決方案。晶科能源、隆基股份、韓華在全球光伏行業(yè)的競爭中都處于第一集團(tuán)。
隆基股份表示，長期以來，公司高度重視技術(shù)創(chuàng)新，尊重知識產(chǎn)權(quán)，目前公司的專利申請數(shù)量已超過1000件，包括PERC電池技術(shù)在內(nèi)的許多光伏發(fā)電關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域已實現(xiàn)全球領(lǐng)先。
現(xiàn)就韓華訴訟案件披露進(jìn)展如下：美國國際貿(mào)易委員會（ITC）法官發(fā)布“韓華訴隆基產(chǎn)品侵犯其美國專利權(quán)（專利號：US9893215號）”337調(diào)查初裁結(jié)果：初裁公司產(chǎn)品不侵犯韓華專利權(quán)。
針對公司最新進(jìn)展，4月13日，隆基股份在投資者互動平臺上回答投資者提問時表示，從4月份公司開始已批量生產(chǎn)和供應(yīng)摻鎵硅片產(chǎn)品。
隆基官網(wǎng)用紅色字體標(biāo)注顯示：隆基已取得摻鎵專利授權(quán)、P型產(chǎn)品（摻硼和摻鎵）同價。
3月25日，隆基股份與日本信越化學(xué)工業(yè)株式會社正式簽署全球、非排他性、包含交叉許可模式的專利許可協(xié)議。使用摻鎵技術(shù)相關(guān)專利的隆基產(chǎn)品將在全球范圍內(nèi)受到保護(hù)，免于被訴。具體協(xié)議條款屬于保密內(nèi)容。使用他人知識產(chǎn)權(quán)并支付合理的費(fèi)用，對于促進(jìn)創(chuàng)新、推進(jìn)技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)發(fā)展至關(guān)重要。
隆基支付摻鎵單晶專利技術(shù)使用費(fèi)，同時宣布摻硼和摻鎵單晶硅片同價，這說明了在P型技術(shù)方面，隆基更看好摻鎵單晶技術(shù)。隨著本次摻鎵專利許可的獲得，將讓隆基在控制光伏產(chǎn)品衰減方面獲得進(jìn)一步突破，同時更好的為行業(yè)提供低衰減產(chǎn)品解決方案。
隆基單晶PERC產(chǎn)品也將在未來實際應(yīng)用中凸顯更高性價比，具備更大的競爭優(yōu)勢；另一方面，將更好地推動PERC技術(shù)產(chǎn)業(yè)化水平的更加穩(wěn)定與高效，助推整個產(chǎn)業(yè)的技術(shù)進(jìn)步與成本下降。
業(yè)內(nèi)認(rèn)為，由于摻鎵單晶可有效降低初始光致衰減（LID），提高組件發(fā)電效率，在硅片價格一樣的前提下，摻鎵單晶未來或?qū)⒊蔀槭袌鲋髁鳌?br /> ? ? ? ?
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