關(guān)于永磁無(wú)刷直流電機(jī)轉(zhuǎn)速同步實(shí)現(xiàn)的方法

ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位靜態(tài)RAM，組織為512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的。這種高度可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)，可生產(chǎn)出高性能和低功耗的設(shè)備。

當(dāng)CS1為HIGH（取消選擇）或CS2為L(zhǎng)OW（取消選擇）或CS1為L(zhǎng)OW，CS2為HIGH且LB和UB均為HIGH時(shí)，器件將處于待機(jī)模式，在該模式下，可通過(guò)CMOS輸入降低功耗水平。

使用芯片使能和輸出使能輸入可輕松擴(kuò)展存儲(chǔ)器。激活的LOW Write Enable（WE）控制存儲(chǔ)器的寫(xiě)入和讀取。數(shù)據(jù)字節(jié)允許訪問(wèn)高字節(jié)（UB）和低字節(jié)（LB）。

IS62WV51216ALL和IS62WV51216BLL封裝在JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的48引腳迷你BGA（7.2mmx8.7mm）和44引腳TSOP（TYPE II）中。英尚微電子親自授權(quán)為ISSI代理,為各行業(yè)領(lǐng)域提供各種SRAM芯片,保持長(zhǎng)期供貨,完成客戶各方面的需求.
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