[導讀]網(wǎng)易科技訊 4月13日消息，長江存儲今日在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片X2-6070研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。
長江存儲表示，X2-6070是業(yè)
網(wǎng)易科技訊 4月13日消息，長江存儲今日在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片X2-6070研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。
長江存儲表示，X2-6070是業(yè)內首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，擁有業(yè)內已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。此次同時發(fā)布的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片X2-9060，以滿足不同應用場景的需求。
據(jù)了解，每顆X2-6070 QLC閃存芯片共提供1.33Tb的存儲容量。而在I/O讀寫性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq電壓下實現(xiàn)1.6Gbps（Gigabits/s千兆位/秒）的數(shù)據(jù)傳輸速率。
長江存儲表示，公司用短短3年時間實現(xiàn)了從32層到64層再到128層的跨越。
另據(jù)財聯(lián)社報道，預計2020年底-2021年中旬陸續(xù)量產(chǎn)，目標達到月產(chǎn)能10萬片；供應鏈消息透露，這款閃存已送樣。
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